Министерство образования российской Федерации
КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА
Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники
Д.В. ПОГОДИН
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И электроника
Учебное пособие для самоподготовке к экзамену
(тестированию) по дисциплине Э и Э, часть 2 - ЭЛЕКТРОНИКА
Для студентов заочного и дневного отделения
Казань 2007
Раздел 1.
Электрофизические свойства полупроводников. P-n переход.
1. Собственный (чистый) полупроводник имеет электропроводность:
1. Смешанную. 2. n-типа. 3. p-типа. 4. i-типа.
2. При изготовлении полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов) применяются полупроводниковые материалы:
1. Примесные. 2. Чистые. 3. только n-типа. 4. только p-типа. 5. только i-типа.
3. Полупроводник n-типа имеет электропроводность:
1. Примесную. 2. электронную. 3. Собственную. 4. Дырочную
4. Полупроводник р-типа имеет электропроводность:
1. Примесную. 2. электронную. 3. Собственную. 4. Дырочную.
5. Донорной называется примесь, которая создает:
1. Электроны. 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Вакансии.
6. Акцепторной называется примесь, которая создает:
1. Электроны. 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации.
7. Примесь, создающая электроны называется
1. Акцепторной. 2. Донорной. 3. Электронной. 4. Дырочной.
8. Примесь, создающая дырки называется
1. Акцепторной. 2. Донорной. 3. Электронной. 4. Дырочной.
9. Процесс образования свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:
1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.
10. Процесс исчезновения свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:
1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.
11. В примесном полупроводнике основными свободными носители заряда называют:
1. Электроны.
2. Дырки.
3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой.
4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.
12. В примесном полупроводнике неосновными свободными носителями заряда называют:
1. Электроны.
2. Дырки.
3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой.
4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.
13. В полупроводнике р-типа основными свободными носителями заряда являются:
1. Электроны. 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации. 5. Ионы примесей.
14. В полупроводнике n-типа основными свободными носителями заряда являются:
1. Электроны. 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации.5. Ионы примесей.
15. В полупроводнике n-типа, каждый атом примеси создает:
1. Электроны. 2. Дырки.
3. Электроны и ионы донорной примеси.
4. Электрон и ион акцепторной примеси.
16. В полупроводнике р-типа, каждый атом примеси создает:
1. Электроны. 2. Дырки.
3. Электроны и ионы донорной примеси.
4. Дырку и ион акцепторной примеси.
17. Дырки являются основными носителями заряда в полупроводнике:
1. n-типа.
2. р-типа.
3. i-типа.
18. Электроны являются основными носителями заряда в полупроводнике:
1. n-типа.
2.р-типа.
3. i-типа.
19. Движение зарядов под действием сил электрического поля называется:
1. Дрейфом.
2. Диффузией.
3. Инжекцией.
4. Экстракцией.
20. В полупроводниках возможно два механизма движения зарядов:
1. Дрейф и диффузия.
2. Диффузия и инжекция.
3. Диффузия и эксракция.
4. Экстракция и инжекция.
21. Электрический ток под действием градиента концентрации называется:
1. Диффузионным.
2. Дрейфовым.
3. Инжекционным.
4. Экстракционным.
22. Электрический ток под действием сил электрического поля называется:
1. Диффузионным.
2. Дрейфовым.
3. Инжекционным.
4. Экстракционным.
23. Движение зарядов под действием градиента концентрации называется:
1. Дрейфом. 2. Диффузией. 3. Инжекцией. 4. Эксракцией.
24. Диффузионную емкость в p-n переходе создают:
1. заряды ионов примеси. 2. Электроны.
3. Неосновных носители зарядов, накопленные при протекании прямого тока.
4. Дырки.
25. Барьерную емкость в p-n- переходе создают:
1. Заряды ионов примеси.
2. Электроны.
3. неосновных носители зарядов, накопленные при протекании прямого тока.
4. Дырки.
26. Величина диффузионной емкости зависит от:
1. величины прямого тока. 2. Величины обратного напряжения. 3. величины прямого напряжения.
4. величины обратного тока.
27. Величина барьерной емкости зависит от:
1. величины прямого тока. 2. Величины обратного напряжения.
3. От величины прямого напряжения. 4. От величины обратного тока.
28. В изолированном (равновесном) р-n- переходе выполняется соотношение:
1. Iдиф < Iдр 2. Iдиф > Iдр 3. Iдиф = Iдр. 4. Iдиф = 0. 5. Iдр =0.
29. При прямом смещении р-n- перехода выполняется соотношение:
1. Iдиф < Iдр 2. Iдиф > Iдр. 3. Iдиф = Iдр 4. Iдиф = 0. 5. Iдр =0.
30. При обратном смещении р-n- перехода выполняется соотношение:
1. Iдиф < Iдр 2.. Iдиф > Iдр 3.. Iдиф = Iдр 4. Iдиф = 0. 5. Iдр = 0.
31. При прямом смещение р-n- перехода ток создают:
1. основные носители заряда.
2. неосновные носители заряда. 3. дырки. 4. электроны.
32. При обратном смещение р-n перехода ток создают:
1. основные носители заряда 2. неосновных носители заряда.
3. дырки 4. электроны.
33. Прямые токи р-n перехода могут достигать больших величин:
1. Из за высокой концентрации основных носителей заряда.
2. Из за большой площади р-n перехода.
3. Из за низкой концентрации основных носителей заряда.
4. Из за низкой концентрации неосновных носителей заряда.
5. 1 и 2.
34. Обратные токи р-n перехода имеют малую величину:
1. Из за высокой концентрации основных носителей заряда.
2. Из за большой площади р-n перехода.
3. Из за низкой концентрации основных носителей заряда.
4. Из за низкой концентрации неосновных носителей заряда.
35. Для барьерной и диффузионной емкостью р-n перехода справедливо соотношение:
1. Сдиф> Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.
36. Между барьерной и диффузионной емкостью, при прямом смещение р-n перехода, справедливо соотношение:
1. Сдиф> Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.
37. Между барьерной и диффузионной емкостью при обратном смещение р-n перехода справедливо соотношение:
1. Сдиф> Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.
38. Пробоем р-n перехода называют:
1. Резкое возрастание обратного тока, при больших обратных напряжениях.
2. Резкое возрастание прямого тока, при больших прямых напряжениях.
3. Практически постоянная величина обратного тока, при малых обратных напряжениях.
4. Малая величина прямого тока, при небольших прямых напряжениях.
39. В полупроводниковых приборах используют следующие виды пробоя:
1. Электрический для стабилизации напряжения.
2. Туннельный для стабилизации напряжения.
3. Туннельный, для выпрямления переменного тока.
4. Тепловой для выпрямления.
5. Электрический для стабилизации напряжения, туннельный, для выпрямления переменного тока.
Раздел 2. Полупроводниковые диоды
1. Р-n переход в диоде располагается в области:
1. эмиттера. 2. Его там нет. 3. В основном в области базы. 4. Он симметричный.
2. Одностороннюю проводимость диода характеризует соотношение:
1. Rпр = Rобр. 2. Rпр < Rобр. 3. Сдиф> Сбар. 4. Rпр>> Rобр. 5. Rпр<< Rобр.
3. В импульсных диодах высокое быстродействия переключения достигают:
1. за счет малых площадей р-n перехода.
2. за счет больших площадей р-n перехода.
3. за счет увеличения ширины р-n перехода.
4. за счет малого обьема области базы.
5. 1 и 4.
4. Для создания омического контакта металла с полупроводником должно выполняться соотношение:
1. An/n>Aмет. 2. An/n<Aмет. 3. An/n=Aмет.
5. Для создания выпрямляющего контакта на переходе металл-полупроводник должно выполняться условие:
1. An/n>Aмет. 2. An/n<Aмет. 3. An/n=Aмет.
6. В выпрямительных диодах прямые токи достигают больших величин за счет:
1. уменьшения площади р-n перехода. 2. увеличения площади р-n перехода.
3. увеличения ширины р-n перехода.
7. Обратные токи в выпрямительных диодах большой мощности достигают больших величин:
1. за счет малых площадей р-n перехода. 2. за счет больших площадей р-n перехода.
3. за счет увеличения ширины р-n перехода.
8. Барьерные емкости выпрямительных диодов достигают больших величин:
1. за счет малых площадей р-n перехода. 2. за счет больших площадей р-n перехода.
3. за счет увеличения ширины р-n перехода.
9. Между прямым Rпр и обратным Rобр сопротивлениями у выпрямительного диода выполняется соотношение:
1. Rпр = Rобр 2. Rпр < Rобр 3. Rпр > Rобр 4. Rпр>> Rобр 5. Rпр<< Rобр.
10. Указать свойство р-n перехода, которое используется в выпрямительных диодах:
1. Односторонняя проводимость.
2 Барьерная емкость.
3 Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект. 7. туннельный пробой
11. Указать свойство р-n перехода, которое используется в стабилитронах:
.1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой.
6. Туннельный эффект.
12. Указать свойство р-n перехода, которое используется в стабисторах:
1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект. 7. Особенность прямой ветви ВАХ.
8. туннельный пробой
13. Указать свойство, которое используется в диодах Шотки:
1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Свойство перехода металл-полупроводник 7. туннельный пробой
14. Указать свойство р-n перехода, которое используется в обращенных диодах:
1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект. 7. Особенность прямой ветви ВАХ. 8. туннельный пробой.
15. Импульсный диод в схемах выполняет роль:
1. ключа. 2. активного элемента. 3. стабилизатора напряжения
16. Указать свойство р-n перехода, которое используется в туннельных диодах:
1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический (туннельный) пробой. 6. Туннельный эффект. 7. туннельный пробой
17. Указать условно-графическое обозначение выпрямительного диода (рис.3.1.).
1.
2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.
18. Указать условно-графическое обозначение стабилитрона (рис.3.1.):
1. 2.
3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.
19. Указать условно-графическое обозначение двуханодного стабилитрона (рис.3.1.):
1. 2. 3.
4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.
20. Указать условно-графическое обозначение диода Шотки (рис.3.1.):.
1. 2. 3. 4.
5. 6. 7. 8. 9. 10.
21. Указать условно-графическое обозначение варикапа (рис.3.1.)..
1. 2. 3. 4. 5.
6. 7. 8. 9. 10.
22. Указать условно-графическое обозначение тунельного диода (рис.3.1.).
1. 2. 3. 4. 5. 6.
7. 8. 9. 10.
23. Указать условно-графическое обозначение обращенного диода (рис.3.1.).
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.
8. 9. 10.
24. При работе стабилитрона в номинальном режиме р-n - переход смещен:
1. в прямом направлении 2. в обратном направлении.
3. в обоих направлениях.
25. В номинальном режиме стабистора его р-n-переход смещен:
1. в прямом направлении.
2. в обратном направлении 3. в обоих направлениях.
26. В номинальном режиме варикапа его р-n- переход смещен:
1. в прямом направлении 2. в обратном направлении. 3. в обоих направлениях.
27. В номинальном режиме работы p-n-переход выпрямительного диода смещен:
1. в прямом направлении 2. в обратном направлении 3. в обоих направлениях.
28. Указать носители заряда, которыми определяется прямая ветвь ВАХ диода:
1. основные.
2. неосновные 3. дырки 4. Электроны.
29. Указать носители заряда, которыми определяется обратная ветвь ВАХ диода:
1. основные. 2. неосновные. 3. дырки 4. Электроны.
30. Указать соотношение между барьерной и диффузионной емкостью в варикапе:
1. Сдиф> Сбар. 2. Сдиф< Сбар.
3. Сдиф= Сбар.
31. Показать ВАХ идеального выпрямительного диода (рис.3.2):
1. 2. 3. 4. 5. 6.
32. Показать ВАХ реального выпрямительного диода (рис.3.2):
1. 2. 3. 4. 5. 6.
33. Показать ВАХ стабилитрона (рис.3.2):
1. 2. 3. 4. 5. 6.
34. Показать кулон-вольтную характеристику варикапа (рис.3.2):
1. 2. 3. 4. 5. 6.
35. Показать ВАХ туннельного диода (рис.3.2):
1. 2. 3. 4. 5. 6.
36. Показать ВАХ обращенного диода (рис.3.2):
1. 2. 3. 4. 5. 6.
37. Показать прямую ветвь ВАХ диода (рис.3.2):
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. ом
38. Показать обратную ветвь ВАХ диода (рис.3.2):
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. ом
39. Показать участок теплового пробоя диода (рис.3.2):
1. аб. 2. зи. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. де.
40. Показать рабочий участок ВАХ стабилитрона (рис.3.2):
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. ом
41. Показать рабочий участок ВАХ стабистора (рис.3.2):
 |
1. аб. 2. бв.
3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. ом
42. Показать рабочий участок ВАХ туннельного диода (рис.3.2):
1. аб. 2. бв. 3. кл. 4. жи. 5. мн. 6. ом
43. Показать проводящий ток участок ВАХ обращенного диода (рис.3.2):
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. ом
44. Показать непроводящий ток участок ВАХ обращенного диода (рис.3.2):
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. Ом
45. Показать участок, на котором преобладает диффузионная емкость (рис.3.2):
1. аб. 2. зи. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. жз.
46. Показать участок, на котором преобладает барьерная емкость (рис.3.2):
1. аб. 2. зи. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. жз.
47. Показать на ВАХ участок с отрицательным сопротивлением (рис.3.2):
1. аб. 2. зи. 3. гд. 4. жи. 5. мн. 6. жз. 7. кл.
48. Назвать физическим процесс, которым определяется участок аб (рис. 3.2):
1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей.
3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
49. Назвать физическим процесс, которым определяется участок бв (рис. 3.2):
1. движение основных носителей. 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
50. Назвать физическим процесс, которым определяется участок гд (рис. 3.2):
1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода.
5. Туннельный эффект.
51. Назвать физическим процесс, которым определяется участок де (рис. 3.2):
1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
52. Назвать физическим процесс, которым определяется участок кл (рис. 3.2):
1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
53.
|
Назвать физическим процесс, которым определяется участок мн (рис. 3.2):
1. движение основных носителей 2. движение неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
6. туннельный пробой.
54. Назвать выводы полупроводникового диода:
1. коллектор, база. 2. База, эмиттер.
3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.
55. Быстродействие переключения импульсных диодов на р-п переходе определяет:
1. накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда. 2. Перезаряд барьерной емкости.
3. 1и 2. 4. накопление и рассасывание основных носителей заряда.
56. Быстродействие переключения диодов Шотки определяется:
1. накопление и рассасывание неосновных носителей заряда. 2. Перезаряд барьерной емкости.
3. 1и 2. 4. накопление и рассасывание основных носителей заряда.
57. Показать выражение для ВАХ диода:
1. I=I0(eU/φт - 1);
2. I=I0(e(U-Ir)/φт; 3. I= - I0; 4. I=I0(e(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C0(1 - φк/U)- ν. 5. С=Iпрτ/φт.
58. Показать выражение для прямой ветви ВАХ диода:
1. I=I0(eU/φт - 1); 2. I=I0(e(U-Ir)/φт; 3. I= - I0; 4. I=I0(e(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C0(1 - φк/U)- ν.
5. С=Iпрτ/φт. 6. I=I0eU/φт.
59. Показать выражение для обратной ветви ВАХ диода:
1. I=I0(eU/φт - 1); 2. I=I0(e(U-Ir)/φт; 3. I= - I0; 4. I=I0(e(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C0(1 - φк/U)- ν. 5. С=Iпрτ/φт.
60. Показать выражение для барьерной емкости р-n перехода:
1. I=I0(eU/φт - 1); 2. I=I0(e(U-Ir)/φт; 3. I= - I0; 4. I=I0(e(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C0(1 - φк/U)- ν.
5. С=Iпрτ/φт.
61. Показать выражение для диффузионной емкости р-n перехода:
1. I=I0(eU/φт - 1); 2. I=I0(e(U-Ir)/φт; 3. I= - I0; 4. I=I0(e(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C0(1 - φк/U)- ν.
5. С=Iпрτ/φт.
64. Показать ВАХ диода с учетом обьмного сопротивления области базы:
1. I=I0(eU/φт - 1); 2. I=I0(e(U-Ir)/φт;
3. I= - I0; 4. I=I0(e(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C0(1 - φк/U)- ν. 5. С=Iпрτ/φт.