ПОЛУПРОВОДНИКИ
Общие свойства полупроводников
1. Ширина запрещенной зоны (в эВ) в распределении электронов по энергиям в полупроводниках:
Меньше, чем 3
больше, чем 3
2. Собственными называются полупроводники, …
Свойства которых практически не зависят от примесей,
свойства которых в основном определяются примесями и дефектами,
в состав которых входят элементы четвертой группы Периодической таблицы,
в состав которых не входят атомы металлов и диэлектриков.
3. Донорные состояния существуют в полупроводнике, если
Валентность примеси больше, чем валентность основного полупроводника,
валентность примеси меньше, чем валентность основного полупроводника,
валентности примеси и основного полупроводника одинаковы.
4. Акцепторные состояния существуют в полупроводнике, если
Валентность примеси меньше, чем валентность основного полупроводника,
валентность примеси больше, чем валентность основного полупроводника,
валентности примеси и основного полупроводника одинаковы.
5. Концентрация (в м-3) примесей в полупроводниках, необходимая для изготовления приборов полупроводниковой электроники, не должна превышать … (концентрация атомов в твердом теле – 1028 м-3).
1022
1028
1010
10-15.
6. Электрическое сопротивление полупроводников
Уменьшается с ростом температуры
увеличивается с ростом температуры,
не зависит от температуры,
с ростом температуры вначале увеличивается, а затем уменьшается.
7. Появление примесей в полупроводнике приводит к тому, что
В запрещенной зоне появляются дискретные состояния,
Увеличивается электрическая проводимость,
из запрещенной зоны исчезают дискретные состояния,
увеличивается электрическая проводимость.
8. Появление в запрещенной зоне дискретных состояний обусловлено
Появлением примесей и дефектов в полупроводнике,
увеличением давления,
понижением температуры,
уменьшением давления.
Методы получения сверхчистых материалов
1. К методам кристаллизационной очистки относятся:
Метод зонной плавки,
Метод вытягивания из расплава,
электролитический метод,
тепловая закалка.
2. Соответствие между цифровыми обозначениями и элементами схемы метода зонной плавки:
| кварцевая трубка | |
| индукционная катушка | |
| очищаемый образец | |
| расплавленные зоны | |
| графитовая лодочка |
1 2
 |
3
 | |||
 |
3. Методы кристаллизационной очистки используют для:
Уменьшения концентрации примесей в кристаллической решетке,
уменьшения числа дефектов в кристаллической решетке,
увеличения плотности вещества,
уменьшения шероховатости поверхности,
очистки воды от вредных примесей.
4. Монокристаллическая затравка используется
В методе вытягивания из расплава,
в методе зонной плавки,
в электролитическом методе,
при тепловой закалке образца.
5. Защитный газ применяется
В методе зонной плавки,
в методе вытягивания из расплава,
в электролитическом методе,
при тепловой закалке образца.
Полупроводники – химические элементы
1. К химическим элементам - полупроводникам относятся:
Кремний,
Германий,
магний,
марганец,
хлор.
2. Кремний является базовым материалом для изготовления:
планарных транзисторов,
Интегральных микросхем,
фулереновых нанотрубок,
постоянных магнитов.
3. Наиболее распространенное соединение кремния в земной коре:
SiO2,
SiC,
SiCl4,
SiHCl3,
H2SiO3.
4. Элементы-доноры для полупроводникового германия:
Сурьма,
Фосфор,
аргон,
галлий,
индий.
5. Элементы-акцепторы для полупроводникового германия:
Галлий,
Индий,
фосфор,
мышьяк,
аргон.
.
6. Германий применяется для изготовления