а) большое выходное сопротивление
б) высокий коэффициент усиления
в) высокий КПД
Основное равенство биполярного транзистора имеет вид
а) IЭ=IК+IБ
б) IК= IЭ+IБ
в) IБ= IЭ+IК
Основное неравенство биполярного транзистора имеет вид
а) IК≥IЭ>>IБ
б) IЭ≥IК>>IБ
в) IБ>IК>>IЭ
Фотоумножитель предназначен для усиления
а) слабых излучений
б) слабых электрических сигналов
в) слабых звуковых сигналов
Использовать фотодиод в качестве фоторезистора
а) можно
б) нельзя
в) можно в исключительных случаях
35) На рисунке изображено условное обозначение
а) фоторезистора
б) фотодиода
в) фототранзистора
На рисунке изображено условное обозначение
а) фоторезистора
б) фотодиода
в) фототранзистора
37) На рисунке изображено условное обозначение
а) фоторезистора
б) фотодиода
в) фототранзистора
Фототранзистор можно использовать
а) только в двухполюсном режиме работы
б) только в трехполюсном режиме работы
в) как двухполюсном, так и в трехполюсном режимах работы
Фототранзистор как обычный транзистор использовать
а) можно
б) нельзя
в) можно в исключительных случаях
Наибольшей чувствительностью к излучению обладает
а) фотодиод
б) фоторезистор
в) фототранзистор
Элементарной ячейкой солнечной батареи является
а) фоторезистор
б) фотодиод
в) фототранзистор
На рисунке показан режим работы фотоэлемента в качестве
а) источника тока
б) потребителя
в) обычного диода
43) Коэффициент усиления по напряжению транзисторного каскада определяется:
а) 
б) 
в) 
г) 
д) 
44) Соотношение между основными параметрами полевого транзистора имеет вид:
а) 
=SRi
б) Ik= 
Iб
в) Ik= 
IЭ
г) R=U/I
д) Iб=(1- ) IЭ
45) Полупроводниковый стабилитрон имеет структуру:
а) p-n-p
б) p-n
в) n-p-n
г) p-n-p-n
д) p-i-n
46) Коэффициент усиления транзисторного каскада по току:
а) 
б) КI = Uвх / Uвых
в) 
г) КI = Iвых / Iвх
д) КI = Iвх / Iвых
47) В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует:
а) h21б
б) h21Э
в) h11Э
г) h11б
д) h22Э
48) Наименьшим выходным сопротивлением обладает схема включения транзистора с:
а) ОБ
б) ОИ
в) ОК
г) ОЭ
д) ОС
Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ
а) KU=1
б) KU<1
в) KU=0
г) KU>>1
д) KU<0
50) p-n переход образуется при контакте:
а) металл-металл
б) металл-полупроводник
в) полупроводник- полупроводник
г) металл-диэлектрик
д) полупроводник-диэлектрик
51) Полупроводниковый диод имеет структуру:
а) p-n
б) n-p-n
в) p-n-p
г) p-n-p-n
д) n-p-n-p
52) Электроды полупроводникового диода имеют название:
а) катод, анод
б) база, эмиттер
в) катод, управляющий электрод
г) база1, база2
д) сетка, анод
53) Электроды полупроводникового транзистора имеют название:
а) анод, катод, управляющий электрод
б) сток, исток, затвор
в) анод, сетка, катод
г) коллектор, база, эмиттер
д) база1, база2, эмиттер
54) Какие системы параметров используют для биполярных транзисторов:
а) A, B, C
б) h, Y, Z
в) X, Y, Z
г) 
д) 