НЕКОММЕРЧЕСКОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО

«АЛМАТИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИ»

Факультет Аэрокосмических и Информационных технологий

Кафедра «Электроники»

СОГЛАСОВАНО

Декан ФАИТ

________ С.С. Табултаев

«___» __________ 2016

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ТЕСТОВЫЕ ВОПРОСЫ

по дисциплине «Основы электронной и измерительной техники»

Зав.кафедра: __________________

Состовители: ____________________

Алматы 2016

<question> Если сопротивление элемента зависит от тока или приложенного напряжения, то такой элемент называется

<variant> линейным

<variant> нелинейным

<variant> пассивным

<variant> активным

<variant> с прямозависимой характеистикой

<question> Электрическая цепь, у которой электрические напряжения и электрические токи связаны друг с другом нелинейными зависимостями, называется

<variant> нелинейной электрической цепью

<variant> линейной электрической цепью

<variant> схемой замещения

<variant> эквивалентной схемой замещения

<variant> участком сложной цепи, содержашей R,L,C элементы

<question> В схеме выпрямителя стабилитрон выполняет задачу

<variant> стабилизатора

<variant> ограничителя

<variant> опорного диода

<variant> суммирующего прибора

<variant> преобразователя

<question> Диод используемый для выпрямления переменного тока

<variant> выпрямительный

<variant> преобразователь

<variant> туннельный

<variant> Шоттки

<variant> варикап

<question> Диффузионная длина электронов в р-области диода связана со временем жизни носителей соотношением:

<variant> cвязи двух параметров коэффициента диффузии и времени жизни носителей заряда

<question> Поле объемного заряда в ОПЗ (область пространственного заряда) n-p перехода образуется

<variant> нескомпенсированными зарядами донорных и акцепторных примесей

<variant> молекулами

<variant> атомами

<variant> позитронами

<variant> свободными носителями заряда

<question> Внутреннее электрическое поле в ОПЗ (область пространственного заряда) n-p перехода

<variant> отсутствует

<variant> направлено от n-области к p-области

<variant> направлено от p-области к n-области

<variant> увеличивается

<variant> увеличивается скачкообразно

<question> С повышением температуры скорость протекания процесса диффузии примеси в полупроводнике:

<variant> Возрастает

<variant> Динамический изменяется

<variant> Не изменяется

<variant> Уменьшается

<variant> Возрастает в зависимости от времени протекания процесса.

<question> Где располагается уровень Ферми у невырожденного р-полупроводника?

<variant> В запрещенной зоне ближе к потолку валентной зоны

<variant> Внутри валентной зоны

<variant> Посередине запрещенной зоны

<variant> В запрещенной зоне ближе к дну зоны проводимости

<variant> От запрещенной зоны к максимальному значению валентной зоны

<question> На рисунке приведено условно-графическое обозначение

<variant> мостовой выпрямительной схемы

<variant> схема источника питания

<variant> схема стабилизатора

<variant> операционного усилителя

<variant> однополупериодного выпрямителя

<question> Укажите схему включения стабилитрона

<question> Полупроводниковый стабилитрон – это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для

<variant> стабилизации напряжения

<variant> индикации наличия электромагнитных полей

<variant> генерации переменного напряжения

<variant> усиления напряжения

<variant> с для фиксации переменных напряжении

<question> Диод используемый в качестве емкости

<variant> варикап

<variant> выпрямительный

<variant> туннельный

<variant> стабилитрон

<variant> Шоттки

<question> Укажите определение крутизны полевого транзистора.

<variant> S=

<variant> S= <variant> активным

<variant> S=

<question> Ширина запрещенной зоны у полупроводников равна

<variant> Менее 3 эВ, полупроводники с шириной запрещённой зоны менее ~0.3 эВ называют узкозонными полупроводниками.

<variant> Характерные значения ширины запрещённой зоны в полупроводниках составляют 0,1—4 эВ.

<variant> В полупроводниках она отсутствует, так как валентная зона

примыкает к зоне проводимости.

<variant> Больше 3 эВ, полупроводники с шириной запрещённой зоны более ~3 эВ — широкозонными полупроводниками.

<variant> Запрещенную зону невозможно измерить

<question> Основные возможные виды направленного движения носителей заряда

в полупроводниках

<variant> Диффузионное и дрейфовое.

<variant> Классическое и квантовое.

<variant> Медленное и быстрое.

<variant> Электронное и дырочное.

<question> Диффузионной длиной называется

<variant> Длину свободного пробега электрона при диффузионном

движении.

<variant> Расстояние от одного электрода до другог

<variant> Неизвестное расстояние.

<variant> Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при

диффузионном движении убывает в 10 раз.

<variant> Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при

диффузионном движении убывает в е раз.

<question> Из перечисленного у полупроводникового диода электрическим пробоем является

<variant> Резкое возрастание напряжения на p-n переходе при увеличении

значения обратного тока через переход.

<variant> Превышение критического значения тока и напряжения, после

которого диод выходит из строя.

<variant> Резкое возрастание тока через p-n переход при прямых

напряжениях на переходе, больших некоторого критического

значения.

<variant> Резкое возрастание тока через p-n переход при обратных

напряжениях на переходе, больших некоторого критического

значения.

<variant> Резкое возрастание напряжения на p-n переходе при увеличении

значения обратного тока через переход.

<question> Опишите изменение барьерной емкости при увеличении (по модулю)

обратного напряжения p-n перехода

<variant> Уменьшается по линейному закону

<variant> Растет по линейному закону

<variant> Растет по квадратичному закону

<variant> активным

<variant> Растет по квадратичному закону

<question> Влияние роста температуры на ВАХ полупроводникового диода –

<variant> линейным влияет, для большинства диодов с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях.

<variant>Прямой ток растет, а обратный уменьшается <variant> влияет, для большинства диодов с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях.

<variant> активным

<variant> с прямозависимой характеистикой

<variant> Температура не влияет на ВАХ диода.

<question> Выберите из приведённых характеристик и зависимостей, соответствующую входной для схемы с общей базой

<variant> Зависимость эмиттерного тока от напряжения база –эмиттер при постоянном напряжении коллектор –база

<variant> Зависимость истокового тока от напряжения база –эмиттер при постоянном напряжении коллектор –база

<question> В активном режиме работы биполярного транзистора дифференциальные сопротивления p-n переходов характеризуются следующим образом

<variant> Сопротивление эмиттерного перехода мало, а коллекторного

велико.

<variant> Сопротивления обоих переходов малы.

<variant> Сопротивления обоих переходов велики.

<variant> Сопротивление эмиттерного перехода велико, а коллекторного

мало.

<variant> Вне зависимости от их величин сопротивление эмиттерного

перехода всегда больше сопротивления коллекторного перехода.

<question> Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером приведена на рисунке

Варианты ответов:

<variant>)

<question> Вывод 1 полупроводникового прибора называется

<variant> Эмиттером

<variant> Истоком

<variant> Стоком

<variant> Базой

<variant> Коллектором

<question> Смещение на транзисторе типа n-p-n с ОЭ в активном режиме это

<variant> оба перехода не упраляемый

<question> h-параметр, который является коэффициентом передачи тока

<variant> h₂₁

<variant> h₀₁

<variant> h₁₁

<variant> a

<variant> b

<question> Покажите связь между собой коэффициентов передачи токов эмиттера a и b транзистора

<variant> b=a/(1-a)

<variant> b=1/(a-1)

<variant> b=(1-a)/(1+a)

<variant> b=1-a

<variant> b=a-(1/a)

<question> Укажите или выберите определение параметра h₁₁

<variant> h₁₁=

<variant> h₁₁= .

<question> Схема включения транзистора, имеющая минимальное выходное сопротивление

<variant> с ОК

<variant> с ОБ

<variant> у всех схем одинаковая

<variant> в схеме эмитерного повторителя

<variant> в схеме повторителя тока

<question> Укажите определение коэффициента передачи тока h₂₁ при включении транзистора по схеме с общим эмиттером

<variant> h₂₁=

<question> Назовите дрейфовый или бездрейфовый транзистор, обладающий лучшими высокочастотными свойствами

<variant> дрейфовый

<variant> оба одинаковы

<variant> бездрейфовый.

<variant> это зависит от толщины базы

<variant> это зависит от материала изготовления

<question> Эффект Эрли-это

<variant> изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

<variant> изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

<variant> изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

<variant> изменение толщины базы из-за влияния температуры

<variant> влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

<question> Модуляция толщины базы коллекторным напряжением это

<variant> изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

<variant> влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

<variant> изменение толщины базы из-за влияния температуры

<variant> изменение при котором уменьшается воздействие коллекторного тока на эмиттер

<question> Объясните лучшие высокочастотные свойства дрейфового транзистора

<variant> малое время движения неосновных носителей через базу под действием электрического поля

<variant> малый дрейфовый ток через переходы

<variant> малое удельное сопротивление базы

<variant> малая емкость коллекторного перехода

<variant> малая толщиной базы

<question> Что больше, ток эмиттера или ток инжекции неосновных носителей в базу транзистора?

<variant> ток эмиттера

<variant> оба равны

<variant> ток инжекции

<variant> это зависит от концентрации акцепторной примеси в эмиттере <variant> это зависит от концентрации донорной примеси в базе

<question> Укажите определение параметра h₂₂.

<variant> h₂₂=

<question> Главные процессы определяющие зависимость коэффициента переноса в базе от частоты

<variant> конечное время движения дырок от эмиттерного перехода к коллекторному

<variant> влияние сопротивления базы

<variant> модуляция ширины базы высокочастотным напряжением коллектора

<variant> лавинные процессы в коллекторном переходе

<variant> материал изготовления базы

<question> Cхема включения транзистора имеющая наибольшее усиление тока

<variant> ОК

<variant> c ОЭ и ОК

<variant> с ОЭ и ОБ

<variant> во всех схемах

<variant> все схемы не имеют усиления

<question> Под модуляцией толщины базы коллекторным напряжением подразумевается

<variant> изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

<variant> влияние коллекторного напряжения на толщину эмиттера в области вывода базы

<variant> эффект Эрли

<question> Принципы управления параметрами электронного активного элемента, заложенные в полевых транзисторах, могут быть реализованы в более сложных электронных устройствах

<variant> в ячейках памяти на основе транзистора с изолированным затвором (флэш-память)

<variant> в приборах с зарядовой связью (используются в запоминающих устройствах ЭВМ)

<variant> в приборах с зарядовой связью (используются в устройствах преобразования световых (оптических) сигналов в электрические

<variant> в различных видах тиристоров

<variant> в различных видах стабилизаторов напряжения

<question> Назовите устройство для усиления электрических сигналов, изображенное на рисунке

<variant> прибор с двумя p-n переходами, предназначенный для усиления токов, напряжении и мощностей

<variant> прибор имющий три режима работы инжекция, рекомбинация и экстракция

<variant> диод

<variant> стабилитрон

<variant> биполярный транзистор

<question> Устройство, предназначенное для увеличения параметров электрического сигнала (напряжения U, тока I или мощности P) за счет энергии потребляемой от источника питания усилителя с помощью усилительных элементов при заданном уровне искажений осуществимо при помощи

<variant> транзисторов

<variant> операционных усилителей

<variant> диодов и стабилитронов

<variant> емкостей и индуктивностей

<variant> тиристоров

<question> Условное обозначение устройства на рисунке

<variant> структурная схема опрационного усилителя

<variant> структурная схема транзистора

<variant> структурная схема источника питаня

<variant> схема устройства для преобразования электрического сигнала

<variant> условное обозначения интеральной микросхемы выполняющей усиление

<question> Назовите характеристику изображенную на рисунке

<variant> АЧХ

<variant> ФЧХ

<variant> зависимость коэффициента усиления от частоты

<variant> передаточная характеристика

<variant> характеристика на которой изображен диапазон пропускаемых частот

<question> Назовите характеристику изображенную на рисунке

<variant> ФЧХ

<variant> АЧХ

<variant> зависимость фазы от частоты, отдельно для области низких и области верхних рабочих частот.

<variant> передаточная характеристика

<variant> амплитудная характеристика

<question> Функция которую выполняет цепь обратной связи

<variant> часть выходного напряжения возвращается к входу усилителя

<variant> воздействие ОС может привести либо к увеличению, либо к уменьшению результирующего сигнала непосредственно на входе усилителя

<variant> стабилизирует усиленный сигнал

<variant> увеличивает шумы и помехи

<variant> уменьшает шумы и помехи

<question> Сопротиление датчика выполняет функцию

<variant> датчика тока

<variant> шунтирующий резистор

<variant> увеличивает ток

<variant> увеличивает емкость

<variant> преобразует напряжение питания

<question> Схема усилителя какого тока представлена на рисунке

<variant> простейший усилительный каскад с общим эмиттером

<variant> усилитель на биполярном транзисторе

<variant> усилитель переменного тока

<variant> усилитель постоянного тока

<variant> дифференциальный усилитель

<question> Объясните спад амплитудно-частотной характеристики УНЧ на низких частотах

<variant> наличием в схеме разделительной емкости

<variant> собственными шумами усилителя

<variant> влиянием температуры

<variant> низким входным сопротивлением схемы

<variant> нелинейностью характеристик усилительного элемента

<question> Объясните спад амплитудно-частотной характеристики УНЧ на транзисторах на верхних частотах

<variant> влиянием барьерной емкости транзистора

<variant> нелинейностью характеристик транзистора

<variant> влиянием температуры

<variant> низким входным сопротивлением

<variant> собственными шумами усилителя

<question> Изображенный усилитель называют

<variant> усилительный каскад с общим истоком

<variant> усилительный каскад на полевом транзисторе

<variant> усилительный каскад на биполярном транзисторе

<variant> усилительный каскад на однопереходном транзисторе

<variant> усилительный каскад с общим истоком и источником смещения в цепи истока

<question> Определите схему изображенную на рисунке

<variant> структурная схема операционного усилителя

<variant> структурная схема транзистора

<variant> структурная схема источника питания

<variant> схема устройства для преобразования электрического сигнала

<variant> условное обозначения интегральной микросхемы, выполняющей усиление

<question> Динамическим диапазоном называют

<variant> 0,25 Вт

<variant> отношение максимально допустимого значения входного сигнала к его минимальному значению

<question> Для анализа и синтеза систем автоматического управления, содержащих усилители используемые формулы носят название -

;

<variant> логарифмические формы записи коэффициентов усиления по току

<variant> логарифмические формы записи коэффициентов усиления по напряжению

<variant> нелогарифмические формы записи коэффициентов усиления

<variant> тригонометрические формы записи коэффициентов усиления

<question> Назовите усилитель изображенный на схеме

<variant> Усилительный каскад с эмиттерной термостабилизацией

<variant> Усилительный каскад с коллекторной термостабилизацией

<variant> Усилительный каскад с базовой термостабилизацией

<variant>Усилительный каскад с термостабилизациейна составных транзисторах

<question> Чему равен фазовый сдвиг между входным напряжением и напряжением обратной связи в усилителе с ООС?

<variant>180°

<variant> 270°

<variant>100°

<variant> 360°

<variant> 0°

<question> Приведенные выражения характеризуют усилитель, охваченный отрицательной обратной связью, выберите правильные формулы

<variant> Kос=K/(1-b*K)

<variant> Kпос=K/(1+b*K)

<variant> Kос=K/(1-K)

<variant> Kос=K/(1+b)

<variant> Kос=K/(1+b*K)

<question> Для чего используется отрицательная обратная связь в усилителях

<variant> для увеличения динамического диапазона усиления

<variant> для построения генератора синусоидальных колебаний

<variant> для увеличения коэффициента усиления

<variant> для увеличения мощности выходного сигнала

<variant> для уменьшения напряжения питания схемы

<question> Назовите основные параметры усилителя -

<variant> коэффициент усиления

<variant> Rвх и Rвых

<variant> выходная емкость

<variant> выходная индуктивность

<variant> входная освещенность

<question> Синфазное напряжение в дифференциальном усилителе меняется

<variant> не усиливается

<variant> усиливается

<variant> не усиливается, т. к. транзисторы: один в отсечке, второй в насыщении

<variant> усиливается, т. к. оба транзистора в насыщении

<variant> усиливается незначительно

<question> Назовите элементную базу дифференциального усилитель, которые имеют более высокое входное сопротивление

<variant> на МДП – транзисторах во встроенным каналом

<variant> на биполярных транзисторах

<variant> на полевых транзисторах с управляемым p-n переходом

<variant> на полевых и биполярных примерно одинаково

<variant> на туннельных диодах

<question> Назовите источники синфазного сигнала

<variant> переменное и постоянное напряжение, наводимое на проводах на входе

<variant> составляющая входного сигнала, подаваемого с предыдущего каскада

<variant> напряжение по одному из входов, которое появится при повышении температуры

<variant> изменение выходного напряжения

<variant> изменение напряжения обратной связи

<question> Укажите влияние оказывающих значения напряжений питания Eп на максимально допустимые значения синфазных напряжений

<variant> не влияют

<variant> при меньшем Eп допустимы больщие синфазные напряжения

<variant> при большем Eп допустимы больщие синфазные напряжения

<variant> при меньшем Eп допустимы меньшие синфазные напряжения

<variant> при большем Eп допустимы меньшие синфазные напряжения

<question> Для настройки нуля выхода операционного усилителя ОУ, требуется задавать на входе напряжение смещения из-за

<variant> Для настройки нуля выхода операционного усилителя ОУ, требуется задавать на входе напряжение смещения из-за

<variant> для получения необходимого фазового сдвига

<variant> из-за большого Rэ дифференциального каскада

<variant> из-за инверсии сигнала

<variant> для термостабилизации

<question> Изображенная схема на рисунке это

<variant> дифференциальный усилитель

<variant> операционный усилитель

<variant> RC - генератор

<variant> фазоинверсный каскад

<variant> входной каскад операционного усилителя с разностью фаз на входе

<question> Операционный усилитель это

<variant> усилитель постоянного тока с большим коэффициентом усиления напряжения, высоким входным и низким выходным сопротивлением

<variant> усилитель постоянного напряжения без обратных связей, выполняющий математические операции

<variant> УПТ с Rвх® ¥, коэффициентом усиления тока, стремящимся к ¥ °

<variant> 360°

<variant> логическая схема

<question> Выходное напряжение сдвига в операционном усилителе ОУ

<variant> Напряжение на выходе ОУ при Uвх=0

<variant> Разность фаз напряжений на входе ОУ

<variant> Напряжение на выходе, противофазное входному

<variant> Разность фаз выходного и входного напряжения

<variant> присутствие разности потенциалов на выходе при входном потенциале =0

<question> Параметры дифференциального усилителя -

<variant> большой коэффициент усиления дифференциальных сигналов

<variant> высокая степень подавления синфазных помех

<variant> + Eпит= const

<variant> – Eпит=const

<variant> токи const

<question> Причины разбаланса операционного усилителя ОУ -

<variant> неодинаковые параметры транзисторов в каскадах ОУ

<variant> применение мощных транзисторов

<variant> несимметричность каскада сдвига

<variant> температурная нестабильность входных транзисторов

<variant> перегрев диодов

<question> Назовите усилительный каскад

<variant> дифференциальный каскад

<variant> разностно-балансный качкад

<variant> промежуточный каскад

<variant> эмитерный повторитель

<variant> параллельно-балансный каскад

<question> Отрицательная обратная связь позволяет:

<variant> содать апроксимированные прямолинейными отрезками кривые создать схему с заданными функциями

<variant> получить вольтамперные характеристики элементов схемы

<variant> достич максимума характеристики зажигания светодиода

<variant> получить диаграмма минимизации булевой функции

<variant> достичь нужного коэффициента усиления

<question> Для настройки нуля выхода операционного усилителя ОУ, требуется задавать на входе напряжение смещения, причины

<variant> из-за разбаланса внутри схемы ОУ

<variant> для получения необходимого фазового сдвига

<variant> из-за инверсии сигнала

<variant> для термостабилизации

<variant> из-за большого Rэ дифференциального каскада

<question> Объясните установку диодов на входе ОУ

<variant> для защиты ОУ от пробоя на входе

<variant> для управления работой ОУ

<variant> для фиксации напряжения на входе

<variant> для дифференцирования входного сигнала

<variant> для коррекции частотной характеристики

<question> Объясните необходимости двух источников питания ОУ

<variant> для стабилизации эмиттерного тока входного дифференциального усилителя

<variant> для термокомпенсации режима

<variant> для увеличения выходного напряжения

<variant> для использования транзисторов разной проводимости

<variant> для стабилизации выходного напряжения

<question> Причины использования в аналоговых схемах на операционного усилителя ОУ отрицательной обратной связи ООС

<variant> для увеличения динамического диапазона усиления

<variant> для увеличения коэффициента усиления

<variant> для увеличения мощности выходного сигнала

<variant> для уменьшения напряжения питания схемы

<variant> для построения генератора синусоидальных колебаний

<question> Синфазное напряжение на входах операционного усилителя ОУ это

<variant> напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах

<variant> напряжение на одном из входов, большее, чем на другом

<variant> положительное на одном из входов и отрицательное на втором

<variant> разнополярные импульсы на входах

<variant> одинаковый сигнал, присутствующее одновременно на обоих входах

<question> Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является

<variant> Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является

<variant> напряжение на одном из входов, большее, чем на другом

<variant> выходное напряжение, синфазное с входным

<variant> положительное на одном из входов и отрицательное на втором

<variant> разнополярные импульсы на входах.

<question> Покажите изменения диапазона выходного напряжения операционного усилителя ОУ

<variant> От -En1 до En2

<variant> От -En1 до - En2

<variant> От - ¥ до ¥

<variant> От - ¥ до 0

<variant> От 0 до ¥.

<question> На представленной схеме укажите назначение катушки индуктивности

<variant> На высоких частотах уменьшаются усилительные свойства транзисторов, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности

<variant> В области высоких частот, когда модуль реактивного сопротивления катушки становится соизмерим с сопротивлением, поэтому последовательно с резистором включают катушку индуктивности

<variant> На высоких частотах увеличиваютя усилительные свойства транзисторов, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности

<variant> Для того чтобы расширить полосу пропускания, применяют высокочастотную коррекции усилительных свойств, поэтому последовательно с резистором включают катушку индуктивности

05_Устройства аналоговой обработки сигналов_Основы электронной и измерительной техники_ рус.

<question> Схема, изображенная на рисунке, называется схемой

<variant> инвертирующий усилителя

<variant> неинвертирующий усилителя

<variant> сумматора

<variant> дифференциатора

<variant> интегратора

<question> Схема, изображенная на рисунке это

<variant> стабилизатор напряжения

<variant> интегратор

<variant> схема вычитания

<variant> устройство для поддержания постоянных напряжении <variant> устройство на основе опорных диодов для поддержания U=const

<question> Генератор на операционном усилителе ОУ это

<variant> эквивалент индуктивности

<variant> эквивалент емкости

<variant> генератор пилы

<variant> генератор импульсов

<variant> генератор синусоидального напряжения

<question> Схема, изображенная на рисунке это

<variant> компаратор

<variant> интегратор

<variant> дифференциатор

<variant> триггер Шмитта

<variant> мультивибратор

<question> Схема изображенная на рисунке это

<variant> триггер Шмидта

<variant> компаратор неуправляемый

<variant> инвертирующий усилитель

<variant> дифференциальный усилитель

<variant> управляемый компаратор

<question> Схема, изображенная на рисунке это

<variant> интегратор

<variant> дифференциатор

<variant> инвертирующий усилитель

<variant> повторитель

<variant> устройство является простейшей схемой генератора линейно изменяющегося напряжения

<question> Укажите коэффициент усиления по напряжению инвертирующего усилителя

<variant> K_ос= - (R_ос / R)

<variant> K_ос= (R_ос / R₁)+1

<variant> K_ос=U_вых / ((I_вх2-I_вх1)*R_вых)

<variant> K_ос=K_u*(I_вых/I_вх)

<variant> K_ос= - (R_ос / R)*K

<question> Укажите коэффициент усиления по напряжению неинвертирующего усилителя

<variant> K_ос= (R_ос / R₁)+1

<variant> K_ос=U_вых / ((I_вх2-I_вх1)*R_вых)

<variant> K_ос=K_u*(I_вых/I

НЕКОММЕРЧЕСКОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО

Поиск по сайту