Перечень тестовых вопросов, выносимых на экзамен
№ п/п | Вопрос | ||||||||||
Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух последовательно соединенных резисторов? [14, стр. 56, 61 ] | |||||||||||
Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух параллельно соединенных резисторов? [14, стр. 56, 62 ] | |||||||||||
Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как
[14, стр. 56, 61 ] | |||||||||||
Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как
[14, стр. 56, 62 ] | |||||||||||
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 Ом? [7, стр. 25; 17, стр. 29] | |||||||||||
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 кОм? [7, стр. 25; 17, стр. 29] | |||||||||||
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 МОм? [7, стр. 25; 17, стр. 29] | |||||||||||
Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет [7, стр. 25; 17, стр. 30] | |||||||||||
Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет [7, стр. 25; 17, стр. 30] | |||||||||||
Номинальная мощность рассеивания данного резистора составляет [7, стр. 25; 17, стр. 30] | |||||||||||
Резистор, с какой номинальной мощностью рассеивания необходимо выбрать, если на нем при работе выделяется мощность 0,3 Вт? [14, стр. 66] | |||||||||||
Каким способом включен здесь переменный резистор?
[17, стр. 31] | |||||||||||
Каким способом включен здесь переменный резистор?
[17, стр. 31] | |||||||||||
Как определяется напряжение на выходе делителя напряжения? [7, стр. 21; 14, стр. 70; 18, стр.139] | |||||||||||
Как указываются позиционное обозначение и номиналы резисторов на принципиальных схемах? [7, стр. 25] | |||||||||||
Каким образом указывается номинальное сопротивление на корпусе малогабаритного резистора с R = 6, 8 Ом? [17, стр. 30] | |||||||||||
Какой из резисторов является переменным по принципу действия?
[17, стр. 31] | |||||||||||
Какой из резисторов является подстроечным по обозначению?
1 2
[17, стр. 31] | |||||||||||
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для резистора? | |||||||||||
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для конденсатора? | |||||||||||
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для индуктивности? | |||||||||||
Общая емкость данной электрической цепи определяется как
[18, стр. 140] | |||||||||||
Общая емкость данной электрической цепи определяется как
[18, стр. 140] | |||||||||||
Как определяется емкостное сопротивление конденсатора? [18, стр. 141] | |||||||||||
Как определяется индуктивное сопротивление индуктивности? [18, стр. 142] | |||||||||||
Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 1 нФ? [7, стр. 29] | |||||||||||
Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 10 nF? [7, стр. 29] | |||||||||||
Каким образом указывается номинальная емкость на корпусе малогабаритного конденсатора с С = 6, 8 мкФ? [14, стр. 43; 17, стр. 35] | |||||||||||
Емкость конденсатора определяется по формуле [18, стр. 140] | |||||||||||
Ток, протекающий через конденсатор определяется по формуле [18, стр. 140] | |||||||||||
Как определяется напряжение на выходе делителя напряжения? [7, стр. 21; 14, стр. 70; 18, стр.139] | |||||||||||
Э.Д.С. самоиндукции, возникающая в катушке индуктивности, определяется по формуле | |||||||||||
Сердечник данной катушки индуктивности выполнен из
[17, стр. 44] | |||||||||||
Сердечник данной катушки индуктивности выполнен из [17, стр. 44] | |||||||||||
Как изображаются контакты реле на электрических схемах? [17, стр. 44] | |||||||||||
Какое из реле является наиболее экономичным? [17, стр. 54] | |||||||||||
Какая из кнопок является кнопкой с возвратом в исходное состояние путем вытягивания? [17, стр. 50] | |||||||||||
Какая из кнопок является кнопкой с возвратом в исходное состояние путем повторного нажатия? [17, стр. 50] | |||||||||||
Какая из кнопок возвращается в исходное состояние путем отдельного привода? [17, стр. 50Ї | |||||||||||
Как обозначается кнопочный переключатель в цепи питания? [19, стр. 41] | |||||||||||
Как обозначается кнопочный переключатель в цепи сигнализации? [19, стр. 42] | |||||||||||
За счет чего удерживается якорь поляризованного реле после снятия питания на его катушки? | |||||||||||
Электропроводность полупроводников | |||||||||||
Проводимость полупроводников сильно зависит от | |||||||||||
При T = 0 0 K полупроводник становится [1, стр. 34] | |||||||||||
Дырка – это [1, стр. 35; 7, стр. 37] | |||||||||||
Процесс генерации пар – это [1, стр. 35; 7, стр. 37] | |||||||||||
Процесс рекомбинации пар – это [1, стр. 35; 7, стр. 37 | |||||||||||
При одинаковой температуре электропроводность больше | |||||||||||
Собственная проводимость полупроводников играет положительную роль у [9, стр. 13] | |||||||||||
Ток дрейфа возникает в полупроводнике [1, стр. 42; 7, стр. 37] | |||||||||||
Ток диффузии возникает в полупроводнике [1, стр. 42; 7, стр. 37] | |||||||||||
Направление тока дрейфа в чистом полупроводнике совпадает [2, стр. 127] | |||||||||||
Сурьма (Sb) – является [2, стр. 123] | |||||||||||
Индий (In) – является [2, стр. 124] | |||||||||||
Примесь сурьмы (Sb) – создает олупродводник [2, стр. 124] | |||||||||||
Примесь индия (In) – создает полупродводник [2, стр. 125] | |||||||||||
В полупроводнике n – типа основными носителями заряда являются [1, стр. 39] | |||||||||||
В полупроводнике p – типа основными носителями заряда являются [1, стр. 39] | |||||||||||
В полупроводнике n – типа неосновными носителями заряда являются [1, стр. 39] | |||||||||||
В полупроводнике p – типа неосновными носителями заряда являются [1, стр. 39] | |||||||||||
Температура нагрева полупроводника кремния (Si) не должна превышать [1, стр. 59; 2, стр. 125] | |||||||||||
? | Температура нагрева полупроводника германия (Ge) не должна превышать [1, стр. 59; 2, стр. 125] | ||||||||||
p-n переход можно получить | |||||||||||
Ток диффузии в p-n переходе образован [1, стр. 55; 2, стр. 127] | |||||||||||
Ток дрейфа в p-n переходе образован [1, стр. 56; 2, стр. 127] | |||||||||||
Ток диффузии в p-n переходе совпадает [2, стр. 127] | |||||||||||
Запирающий слой p-n перехода является [2, стр. 126] | |||||||||||
За счет чего в p-n переходе образуется внутреннее электрическое поле? [1, стр. 52; 2, стр. 126] | |||||||||||
Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны p- области? [1, стр. 52; 2, стр. 126] | |||||||||||
Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны n- области? [1, стр. 52; 2, стр. 126] | |||||||||||
Внутреннее электрическое поле p-n перехода [1, стр. 59; 2, стр. 127] | |||||||||||
Направление тока дрейфа p-n перехода [1, стр. 53; 2, стр. 127] | |||||||||||
От чего зависит величина тока дрейфа p-n перехода? [1, стр. 56; 2, стр. 127] | |||||||||||
Ток насыщения неосновных носителей p-n перехода – это [1, стр. 56; 2, стр. 127] | |||||||||||
Контактная разность потенциалов для кремния равна [2, стр. 128] | |||||||||||
Контактная разность потенциалов для германия равна [2, стр. 128] | |||||||||||
Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от контактной разности потенциалов [1, стр. 55, 56; 2, стр. 128] | |||||||||||
Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от приложенного внешнего напряжения [1, стр. 55, 56; 2, стр. 128] | |||||||||||
При прямом включении p-n перехода плюс источника питания подключен к [1, стр. 55; 2, стр. 129] | |||||||||||
При обратном включении p-n перехода плюс источника питания подключен к [1, стр. 56; 2, стр. 128] | |||||||||||
При прямом включении p-n перехода толщина запирающего слоя [1, стр. 55; 2, стр. 129] | |||||||||||
При обратном включении p-n перехода толщина запирающего слоя [1, стр. 56; 2, стр. 128] | |||||||||||
При прямом включении p-n переход считается [1, стр. 55; 2, стр. 129] | |||||||||||
При обратном включении p-n переход считается [1, стр. 56; 2, стр. 128] | |||||||||||
Величина прямого тока через p-n переход при определяется по формуле [2, стр. 129] | |||||||||||
Величина обратного тока через p-n переход определяется по формуле [1, стр. 57; 2, стр. 129] | |||||||||||
Сопротивление закрытого p-n перехода [1, стр. 56; 2, стр. 129] | |||||||||||
Сопротивление открытого p-n перехода [1, стр. 55; 2, стр. 129] | |||||||||||
Электрический пробой p-n перехода – процесс [1, стр. 57; 2, стр. 134] | |||||||||||
Тепловой пробой p-n перехода – процесс [1, стр. 57; 2, стр. 134] | |||||||||||
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются диоды? [17, стр. 25] | |||||||||||
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются транзисторы? [17, стр. 25] | |||||||||||
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются тиристоры? [17, стр. 25] | |||||||||||
Какой из диодов является выпрямительным?
[1, стр. 92; 17, стр. 67] | |||||||||||
Какой из диодов является стабилитроном? [1, стр. 94; 2, стр. 136; 17, стр. 69] | |||||||||||
Какой из диодов является туннельным? [1, стр. 103; 17, стр. 69] | |||||||||||
Какой из диодов является варикапом? [1, стр. 100; 17, стр. 70] | |||||||||||
Стабилитрон включается в схему [1, стр. 94; 2, стр.136; 17, стр. 69] | |||||||||||
В варикапе используется емкость [1, стр. 99; 2, стр.131; 17, стр. 69] | |||||||||||
На каких частотах используются плоскостные диоды [1, стр. 94; 8, стр.21] | |||||||||||
На каких частотах используются точечные диоды [1, стр. 94; 8, стр.21] | |||||||||||
Какой из диодов является фотодиодом? [1, стр. 105; 17, стр. 70] | |||||||||||
Какой из диодов является светодиодом? [1, стр. 107; 17, стр. 71] | |||||||||||
Данный транзистор имеет структуру
[2, стр. 138; 7, стр. 62; 17, стр. 73] | |||||||||||
Данный транзистор имеет структуру
[2, стр. 138; 7, стр. 62; 17, стр. 73] | |||||||||||
Концентрация примесей в эмиттере биполярного транзистора по отношению к базе [1, стр. 112; 2, стр.139] | |||||||||||
Площадь коллекторного перехода биполярного транзистора по отношению к площади эмиттерного перехода [2, стр.139] | |||||||||||
Транзистор КТ 904 [15, стр. 184] | |||||||||||
В режиме отсечки в биполярном транзисторе [1, стр. 117; 9, стр.56] | |||||||||||
В режиме насыщения в биполярном транзисторе [1, стр. 117; 9, стр.56] | |||||||||||
В активном режиме в биполярном транзисторе [1, стр. 117; 9, стр.56] | |||||||||||
Здесь изображена схема включения биполярного транзистора с
[1, стр. 117; 2,144; 9, стр.54] | |||||||||||
Здесь изображена схема включения биполярного транзистора с
[1, стр. 117; 2,144; 9, стр.54] | |||||||||||
Какая характеристика называется входной статической характеристикой биполярного транзистора? [1, стр. 123; 2? стр. 155; 9, стр.55] | |||||||||||
Какая характеристика называется выходной статической характеристикой биполярного транзистора? [1, стр. 123; 2? стр. 156; 9, стр.56] | |||||||||||
Какая характеристика называется переходной статической характеристикой биполярного транзистора? [9, стр. 58; 10, стр.10] | |||||||||||
В электронной аппаратуре транзисторы работают [1, стр. 124; 2. стр.143; 9. стр. 15] | |||||||||||
В точке 1 транзистор –
[1, стр. 125; 2, стр. 171;9, стр.56]
| |||||||||||
В точке 2 транзистор –
[1, стр. 125; 2, стр. 171; 9, стр.56]
| |||||||||||
В точке 3транзистор – [1, стр. 125; 2, стр. 171; 9, стр.56] | |||||||||||
Где на нагрузочной прямой располагается начальная рабочая точка при работе транзистора в активном режиме? [1, стр. 125; 2, стр. 171;9, стр.56] | |||||||||||
Какой режим работы фотодиода изображен?
[7, стр. 170; 8, стр. 75; 22, стр. ] | |||||||||||
Какой режим работы фотодиода изображен?
[7, стр. 170; 8, стр. 75; 22, стр. ] | |||||||||||
Как включаются фотодиоды в фотопреобразовательном режиме? [7, стр. 170; 8, стр. 75; 22, стр. ] | |||||||||||
Какой фотоэффект используется в полупроводниковых фотоэлектронных приборах? [7, стр. 170; 8, стр. 74; 22, стр. ] | |||||||||||
Какой фотоэффект используется в электровакуумных фотоэлектронных приборах? [7, стр. 117; 8, стр. 81] | |||||||||||
Из каких полупроводников изготовлен p-n переход в светодиодах? [1, стр. 107; 7, стр. 167; 22, стр. ] | |||||||||||
Коэффициент усиления по току в схеме с ОБ [1, стр. 118; 2, стр. 144; 7, стр. 82] | |||||||||||
Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ [1, стр. 119; 2, стр. 148; 7, стр. 78] | |||||||||||
Коэффициент усиления по току в схеме с ОК [1, стр. 121; 2, стр. 151; 7, стр. 83] | |||||||||||
Общий коэффициент усиления по току составного транзистора [1, стр. 121; 2, стр. 154; 7, стр. 86] | |||||||||||
Коэффициент усиления по току в схеме с ОК равен [1, стр. 121; 2, стр. 151; 7, стр. 83] | |||||||||||
Название оптрона определяется типом [7, стр. 180; 8, стр. 88] | |||||||||||
Данный транзистор является [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||||||||
Данный транзистор [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||||||||
Данный транзистор имеет [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||||||||
Данный транзистор имеет [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||||||||
Коэффициент усиления по току у биполярного транзистора в схеме с ОЭ [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||||||||
В динамическом режиме транзистор работает [1, стр. 124; 2, стр. 143; 7, стр. 66; 9, стр. 15] | |||||||||||
В статическом режиме транзистор работает [1, стр. 124; 2, стр. 143; 7, стр. 66; 9, стр. 15] | |||||||||||
Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по току меньше единицы? [1, стр. 118; 2, стр.147; 4, стр. 184; 7, стр. 82] | |||||||||||
Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы? [2, стр.151; 4, стр. 185; 7, стр. 83] |
Условие передачи наибольшей мощности от источника сигнала с внутренним (выходным?) сопротивлением r в нагрузку R Н [1, стр. 234; 8, стр. 146] | |||||
Переворачивает ли схема с ОБ фазу сигнала [4, стр. 184; 7, стр. 83] | |||||
Переворачивает ли схема с ОК фазу сигнала [4, стр. 185; 7, стр. 83;] | |||||
Переворачивает ли схема с ОЭ фазу сигнала [1, стр. 243; 2, стр. 148; 4, стр. 180; 7, стр. 80] | |||||
Входное сопротивление схемы с ОБ R ВХОБ [1, стр. 128; 2, стр. 147; 7, стр. 83] | |||||
Выходное сопротивление схемы с ОБ R ВЫХОБ [2, стр. 147; 7, стр. 83; 8, стр. 185] | |||||
Входное сопротивление схемы с ОК R ВХОК [1, стр. 129; 2, стр. 151; 7, стр. 85] | |||||
Выходное сопротивление схемы с ОК R ВЫХОК [2, стр. 153; 7, стр. 84; 8, стр. 104] | |||||
Входное сопротивление схемы с ОБ (см 147) | |||||
Выходное сопротивление схемы с ОБ (см 148) | |||||
Входное сопротивление схемы с ОК (см 149) | |||||
Выходное сопротивление схемы с ОК (см 150) | |||||
Усилитель УНЧ работает в диапазоне частот до [1, 230; 8, стр. 93; 15, стр. 366] | |||||
Полоса пропускания УНЧ - диапазон частот, в котором коэффициент усиления изменяется не более, чем на [1, стр. 235; 4, стр. 237; 9, стр. 67] | |||||
В режиме какого класса работают выходные каскады УНЧ [1, стр. 256; 15, стр. 392] | |||||
В режиме какого класса работают входные каскады УНЧ [1, стр. 255; 2, стр. 174; 8, стр. 109] | |||||
Какие межкаскадные связи присутствуют в УНЧ [1 стр. 250, 2, стр. 180] | |||||
Какая зависимость является амплитудно-частотной характеристикой усилителя? [1, ср. 239; 4, стр. 237; 8, стр. 115; 9, стр. 63] | |||||
Что называется амплитудной характеристикой усилителя? [1, стр. 237; 4, стр. 240; 8, стр. 98; 9, стр. 63] | |||||
Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области низких частот? [1, стр. 252; 8, стр. 115; 9, стр. 65] | |||||
Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области верхних частот? [1, стр. 253; 8, стр. 115; 9, стр. 65] | |||||
Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен , второго каскада - . Чему равен общий коэффициент усиления? [1, стр. 232; 8, стр. 92; 9, стр. 63] | |||||
Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен дБ, второго каскада - дБ. Чему равен общий коэффициент усиления? [1, стр. 232] | |||||
Как влияет отрицательная обратная связь на коэффициент усиления К U усилителя? [1, стр. 270; 4, стр. 288; 8, стр. 119; 9, стр. 67] | |||||
Усилитель состоит из двух каскадов, коэффициенты усиления которых К1 = 10, К2 = 20. Последний каскад охвачен отрицательной обратной связью с β = 0,2. Определить общий коэффициент усиления. [1, стр. 270; 4, стр. 288; 8, стр. 119; 9, стр. 67] | |||||
Определите тип смещения транзистора в данной схеме [1, стр. 243; 2, стр. 167; 7, стр. 64] | |||||
Определите тип усилительного каскада [1, стр. 126; 2, стр. 148; 7, стр. 66; 9, стр. 54] | |||||
Каково назначение резистора RK в данной схеме? [1, стр. 126; 2, стр. 148; 7, стр. 66; 9, стр. 54] | |||||
Определите назначение резистора RБ в данной схеме [1, стр. 243; 2, стр. 176; 7, стр. 64; 8, стр. 96] | |||||
Определите назначение конденсатора С2 в данной схеме [1, стр. 243; 2, стр. 181; 7, стр. 78; 8, стр. 112] | |||||
Как влияет увеличение сопротивления RБ н а положение начальной рабочей точки (НРТ) на нагрузочной прямой? [1, стр. 244; 2, стр. 176; 7, стр. 64; 8, стр. 96] | |||||
Определите тип смещения транзистора в данной схеме [1, стр.245; 2, стр.176; 7, стр.74; 9, стр.70] | |||||
Напряжение смещения в данной схеме определяется величиной сопротивления [1, стр.245; 2, стр.176; 7, стр.74; 9, стр.70] | |||||
Определите назначение резистора R Э в данной схеме [1, стр.246; 2, стр.179; 7, стр.65; 9, стр.71] | |||||
Определите назначение конденсатора СЭ в данной схеме [1, стр.247; 2, стр.179; 7, стр.65; 9, стр.72] | |||||
Работа усилительного каскада в режиме класса А отличается от работы в других классах [1, стр.255; 2, стр. 174] | |||||
Работа усилительного каскада в режиме класса В отличается от работы в других классах [1, стр.255; 2, стр. 174] | |||||
Какая из схем включения биполярных транзисторов переворачивает фазу сигнала на 1800? [1, стр. 243; 2, стр. 148; 4, стр. 180; 7, стр. 80] | |||||
Какая из схем включения биполярных транзисторов называется эмиттерным повторителем? [1, стр.127; 2, стр. 151; 7, стр.83; 8, стр.102] | |||||
Какая из схем включения биполярных транзисторов обладает максимальным коэффициентом усиления по мощности? [1, стр.127; 2, стр. 151; 4 стр.182; 7, стр.80] | |||||
Как определяется коэффициент усиления каскада, охваченного отрицательной обратной связью? [1, стр.271; 4 стр.288; 9, стр.69] | |||||
Как переводится значение коэффициента усиления по напряжению из относительных единиц в дБ? [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
Как влияет увеличение сопротивления резистора R K на коэффициент усиления по напряжению в схеме усилительного каскада с ОЭ? [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
Для чего в усилителях мощности используют трансформатор? [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
В каком из классов усилителей проявляется искажение типа “ступенька”? [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
В чем суть искажение типа “ступенька”? [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
В каком классе работают транзисторы в двухтатктном усилителе мощности? [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
Каким внутренним сопротивлением должны обладать приборы для измерения тока [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
Каким внутренним сопротивлением должны обладать приборы для измерения напряжения [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
Изменится ли внутреннее сопротивление вольтметра и при увеличении пределов измерения [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
Изменяется ли внутреннее сопротивление амперметра при уменьшении пределов измерения [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
Какова последовательность измерения значений тока и напряжения неизвестного порядка? [2, стр. 161; 7, стр. 89; 8, стр. 34] | |||||
Зависит ли точность измерений I и U от их частоты? | |||||
Что непосредственно измеряют с помощью осциллографа? | |||||
Как физически создается изображение на экране электронно-лучевой трубки (ЭЛТ)? | |||||
Что заставляет луч двигаться на экране по горизонтали? | |||||
В чем суть калибровки амплитуды осциллографа? | |||||
Для чего в осциллографе применяяется ждущая развертка? | |||||
Какое различие между открытым и закрытым входами осциллографа? | |||||
Что такое “фигуры Лиссажу” | |||||
Как измерить амплитудные параметры сигнала? | |||||
Как измерить временные параметры сигнала? | |||||
Как измерить частоту сигнала? | |||||
Как измерить пульсацию напряжения на выходе выпрямителя с фильтром? | |||||
Почему большинство электронных устройств питается от источников постоянного напряжения? | |||||
Какие преимущества имеют выпрямители по сравнению с другими источниками питания? | |||||
Можно ли построить выпрямитель без силового трансформатора? | |||||
Можно ли построить выпрямительную схему без вентилей (диодов)? | |||||
Как выполнить проверку исправности элементов диодного моста? | |||||
К каким последствиям приведет пробой (накоротко) диода VD1 моста? | |||||
К каким последствиям приведет пробой (разрыв) диода VD1 моста? | |||||
В каких цепях наиболее эффективно работают емкостные фильтры? | |||||
В каких цепях наиболее эффективно работают индуктивные фильтры? | |||||
Когда происходит заряд конденсатора емкостного фильтра? | |||||
Какое наибольшее U ОБР приложено к диоду в схеме однополупериодного выпрямителя? | |||||
Какое наибольшее U ОБР приложено к диоду в схеме двухполупериодного выпрямителя со средней точкой? | |||||
Какое наибольшее U ОБР приложено к диоду в схеме мостового двухполупериодного выпрямителя? | |||||
Привести техническое решение выпрямителя на диодах типа Д 226Б (U ОБР.МАКС =400 В, I ПР.МАКС =0,3 А, R ОБР.МИН =10 МОм), если выпрямленное напряжение составляет 1350 В | |||||
Как изменится напряжение стабилизации на выходе ПСН при изменении входного напряжения? | |||||
Как изменится ток, протекающий через стабилитрон в ПСН, если R Б = 200 Ом, а входное напряжение изменилось на 2 В? | |||||
Как изменится напряжение стабилизации на выходе ПСН при возрастании температуры? | |||||
Определить ток стабилитрона I СТ, если входной ток I ВХ = 50 мА, а ток в нагрузке I Н =30 мА. | |||||
Сопротивление резистора R БАЛ = 200 Ом. Как изменится ток стабилитрона I СТ (при U CТ =const), если входное напряжение U ВХ возрастет на величину D U ВХ =2B? | |||||
Для чего в параметрическом стабилизаторе напряжения используется резистор R Б? | |||||
Что произойдет со стабилитроном, если закоротить резистор R Н?
| |||||
Как отреагирует делитель напряжения на одинаковых резисторах R Б и R Н, если параллельно R Н включить стабилитрон с U СТ > U ВХ/2 при указанной полярности U ВХ? | |||||
Как отреагирует делитель напряжения на одинаковых резисторах R Б и R Н, если параллельно R Н включить стабилитрон с U СТ < U ВХ/2 при указанной полярности U ВХ? | |||||
Как отреагирует делитель напряжения на одинаковых резисторах R Б и R Н, если параллельно R Н включить стабилитрон с U СТ > U ВХ/2 при указанной полярности U ВХ? | |||||
Как изменится напряжение на стабилитроне VD при отключении нагрузки? | |||||
Можно ли эксплуатировать выпрямитель без сглаживающего фильтра? | |||||
Если ток через диод выпрямительной схемы превышает I VD ДОП, то необходимо: | |||||
Если обратное напряжение на диоде выпрямительной схемы превышает U VD ОБРДОП, то необходимо: | |||||
Коэффициент пульсаций показывает | |||||
В чем состоит различие между стабилизаторами напряжения параметрического (ПСН) и компенсационного (КСН) типа? | |||||
С какой целью в схемах компенсационных стабилизаторов напряжения используют источник опорного напряжения? | |||||
Как отреагирует приведенное ниже устройство на короткое замыкание в стабилитроне VD?
| |||||
Как отреагирует приведенное ниже устройство на обрыв в стабилитроне VD?
| |||||
Характеристика какого устройства приведена ниже? |