Новосибирский государственный технический университет




 

621.38 № 2888

С 921

 

 

СХЕМОТЕХНИКА
ЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ

Методические указания к лабораторным работам

для студентов III курса РЭФ

(специальности 200800 и 201000)

 

Новосибирск
2005

УДК 621.38.061(076.5)

С 921

 

Составители: В.С. Данилов, канд. техн. наук, доц.,

К.С. Лукьянов, аспирант

 

Рецензент А.В. Кривецкий, доц. кафедры КТРС

 

 

Работа выполнена на кафедре КТРС

 

 

 

 
Ó Новосибирский государственный
технический университет, 2005

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1

Изучение принципов работы в САПР OrCAD
на примере моделирования каскада
на биполярном транзисторе

Основной частью САПР OrCAD является программа OrCAD Capture, при помощи которой создаются проекты и задания на моделирование. Запустив OrCAD Capture (Меню_«Пуск»/ Программы/ OrCAD Family Realese x.x/ Capture CIS) создаем новый проект (рис. 1.1).

В свойствах проекта (рис. 1.2) указываем имя проекта (Name), тип проекта (Analog or Mixed A/D) и месторасположение файлов проекта (Location). Следует заметить, что в качестве папки для проекта не следует использовать папки, имена которых или путь к которым содержат русские буквы или пробелы.

При дополнительном запросе о шаблоне проекта (рис. 1.3), следует указать использование «пустого» шаблона (Create a blank project). После создания проекта, он содержит одну одностраничную схему (Schematic1, Page1). В общем случае проект может содержать несколько схем, в каждой из которых по нескольку страниц. При моделировании в расчетах участвует текущая (корневая, Root) схема, причем расчету подвергаются все страницы схемы. При открытии страницы схемы, предназна­ченной для моделирования (Simulation), она обрамляется двумя

 

Рис. 1.1. Основные меню OrCAD

Рис. 1.2. Типы проектов

 

 

Рис. 1.3. Тип шаблона

 

инструментальными панелями: одной, предназначенной для создания и редактирования схемы (по умолчанию – справа), другой – для управления процессом рас­че­тов (моделирования). Подробнее о составе этих инструментальных панелей можно узнать из описания рис. 1.4.

 

Рис. 1.4. Дополнительные меню

Меню основных инструментов (сверху вниз):

Select – режим выделения элементов схемы;

Place Part – размещения элемента из библиотек;

Place Wire – соединительная линия;

Place net alias – указание имени цепи (при необходимости повышенной наглядности);

Place bus – размещение групповой линии соединений;

Place junction – указание электрического соединения при пересечении проводников;

Place bus entry – размещение точки вхождения в групповую линию связи;

Place power – размещение указателя подключения к питанию;

Place ground – размещение значка земли/нулевого проводника;

Place hierachical block – размещение иерархического блока на схеме;

Place pin – добавление вывода элементу;

Place off-page connector – межстраничный соединитель;

Place no connect – указание на неподключенность вывода;

Place line/polyline/rectangle/ellipse/arc/text – графическое (неэлектрическое) оформление схемы линиями/ многоугольниками/ прямоугольниками/ эллипсами/ дугами/ текстовыми надписями.

При размещении элемента из библиотек (рис. 1.5) следует
в списке элементов этой библиотеки (Part List) выбрать нужный

 

Рис. 1.5. Выбор элемента

элемент, при отсутствии его в данной библиотеке добавить библиотеку (Add Library…); библиотеки, содержащие математические модели элементов и предназначенные для моделирования, расположены по умолчанию в «C:\Program Files\Orcad\Capture\ Library\PSpice\*.olb».

Особо следует отметить наличие точки нулевого (общего) провода на схеме, обязательным требованием является наличие на схеме точки (узла) с именем «0», относительно которой при моделировании отсчитываются все потенциалы. Рекомендуется использовать элемент 0/Sourse (рис. 1.6). После создания схемы можно перейти к созданию профиля моделирования (Simulation Profile) (рис. 1.7).

 

Рис. 1.6. Размещение «земли»

 

 

Рис. 1.7. Создание нового профиля

Имя указывается произвольное, к текущей схеме (Root Schematic) может быть несколько профилей моделирования (заданий на моделирование) с разными параметрами (рис. 1.8). Основные параметры профиля:

· тип анализа (по времени – Transient, частотный – AC Sweep);

· границы анализа (время – Run to time, граничные частоты, Гц).

Полезным также является установка опции Last Plot на закладке Probe Window/ Show (рис. 1.9). После успешного создания профиля становятся активными инструменты, отвечающие за моделирование (рис. 1.10) – активный профиль, создание, редактирование профиля, запуск моделирования, просмотр результатов моделирования, расстановка маркеров. Пример простейшего каскада, нарисованного в САПР OrCAD, приведен на рис. 1.11.

Для изменения параметров элемента достаточно дважды щелкнуть на параметре. Все параметры и величины задаются в системе СИ, т.е. напряжение измеряется в вольтах, время – в секундах и т.д. Используются стандартные множители-приставки (табл. 1.1).

 

Рис. 1.8. Основные установки параметров моделирования

Рис. 1.9. Дополнительные установки параметров
моделирования

 

Рис. 1.10. Активные меню моделирования

Рис. 1.11. Пример простейшей схемы

Таблица 1.1



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2016-04-11 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: