Вид учебной работы | Всего часов | Семестр |
VIII | ||
Аудиторные занятия (всего) | ||
В том числе: | ||
Лекции (Л) | ||
Практические занятия (ПЗ) | ||
Семинары (С) | - | - |
Лабораторные работы (ЛР) | - | - |
Самостоятельная работа (СРС) (всего) | ||
В том числе: | ||
Курсовая работа | - | |
Расчетно-графические работы | - | |
Реферат | - | |
Другие виды самостоятельной работы | ||
Подготовка к занятиям | ||
Самоподготовка | - | |
Вид промежуточной аттестации: | ||
- зачет | ||
Общая трудоемкость: | 108 часов (3 зачетных единицы) |
Содержание дисциплины.
Содержание разделов дисциплины.
№ п/п | Наименование раздела дисциплины | Содержание раздела (дидактические единицы) |
Современные требования к системе качества при разработке изделий микроэлектроники. Виды, методы и средства контроля. | Программа и содержание дисциплины. Современные требования к системе контроля качества при разработке и массовом производстве изделий микроэлектроники. Виды и средства контроля. | |
Режимы диагностирования и контроля электрических параметров. | Режимы диагностирования и контроля электрических параметров. Зависимость набора параметров и условий контроля от типа изделий и вида приемки. Выбор норм контроля электрических параметров. Выбор режимов и условий измерений. Зависимость испытаний от вида приемки и типа изделия. | |
Метрологическое обеспечение процесса контроля электрических параметров. | Метрологическое обеспечение процесса контроля: организационные мероприятия и технические средства. Применение методов самодиагностирования и поверки по эталону. | |
Структура и функционирование современной автоматизированной системы контроля. | Типовая структура и функционирование современной автоматизированной системы контроля электрических параметров. Требования к основным модулям. Организация информационных каналов. Основные направления совершенствования измерительных систем. Агрегативный принцип построения измерительных систем. Автоматизированная система входного контроля электрорадиоэлементов. Автоматизированная система контроля элементных средств. | |
Отказы изделий электронной техники. | Основные отказы на стадиях жизненного цикла ИЭТ. Виды и механизмы отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции. Механизмы коррозии и окисления металлизации. Механизмы отказа контактов. Механизмы отказов в межэлементных соединениях на основе поликремния. Механизмы отказов планарных структур. Механизмы пробоя в тонком окисле и эффект горячих носителей. Механизмы отказов в результате действия ударных и вибрационных нагрузок. Механизмы отказов в результате радиационных воздействий. | |
Отбраковочные испытания. Тренировка изделий электронной техники. | Виды отбраковочных испытаний. Тренировка ИЭТ. Электротренировка. Электротермотренировка. Термотренировка ИЭТ. Высокотемпературное старение. Испытания по методу «температура-влажность-напряжение смещения». Режим энергоциклирования ИС и термоциклирование. Продолжительность тренировок ИС и их место в технологическом процессе отбраковочных испытаний. Требования к отбраковочным испытаниям ИС за рубежом. | |
Основы инженерной методики планирования, проведения и обработки результатов многофакторных испытаний на надежность. | Оценка погрешностей измерений. Построение графиков по результатам измерений. Построение гистограмм распределения и интегрального распределения. | |
Контроль структурного совершенства полупроводниковых материалов. | Применение электронной микроскопии для изучения структурного совершенства полупроводников. Применение рентгеновских топографических методов в полупроводниках для изучения дефектов. Метод Берта-Баррета. Метод Ланга. Метод Бормана. Растровая электронная микроскопия. | |
Определение тепловых характеристик полупроводника. Контроль наличия загрязнений в процессе производства. | Абсолютный метод определения коэффициента теплопроводности. Относительный метод определения коэффициента теплопроводности. Методы нахождения кинетических параметров, использующие ввод теплоты при помощи оптического импульса. Определение параметров полупроводника по данным измерений тепловых и термоэлектрических эффектов. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин. Методы удаления загрязнений. Определение чистоты поверхности. | |
Тестовые структуры и методы тестирования интегральных микросхем в составе электронных изделий. | Использование тестовых структур при оценке качества и надежности полупроводниковых приборов и ИМС. Основные тестовые стратегии. Оптическое тестирование. Функциональное тестирование. Внутрисхемное тестирование. «Летающие» пробники. Периферийное сканирование. | |
Контроль качества корпусов и герметизации изделий микроэлектроники. | Контроль содержания паров воды внутри корпусов интегральных микросхем. Контроль качества герметизации пластмассовых корпусов. |