Объем дисциплины и виды учебной работы.




 

Вид учебной работы Всего часов Семестр
VIII
Аудиторные занятия (всего)    
В том числе:    
Лекции (Л)    
Практические занятия (ПЗ)    
Семинары (С) - -
Лабораторные работы (ЛР) - -
Самостоятельная работа (СРС) (всего)    
В том числе:    
Курсовая работа -  
Расчетно-графические работы -  
Реферат -  
Другие виды самостоятельной работы    
Подготовка к занятиям    
Самоподготовка -  
Вид промежуточной аттестации:    
- зачет    
Общая трудоемкость: 108 часов (3 зачетных единицы)

Содержание дисциплины.

Содержание разделов дисциплины.

№ п/п Наименование раздела дисциплины Содержание раздела (дидактические единицы)
     
  Современные требования к системе качества при разработке изделий микроэлектроники. Виды, методы и средства контроля. Программа и содержание дисциплины. Современные требования к системе контроля качества при разработке и массовом производстве изделий микроэлектроники. Виды и средства контроля.
  Режимы диагностирования и контроля электрических параметров. Режимы диагностирования и контроля электрических параметров. Зависимость набора параметров и условий контроля от типа изделий и вида приемки. Выбор норм контроля электрических параметров. Выбор режимов и условий измерений. Зависимость испытаний от вида приемки и типа изделия.
  Метрологическое обеспечение процесса контроля электрических параметров. Метрологическое обеспечение процесса контроля: организационные мероприятия и технические средства. Применение методов самодиагностирования и поверки по эталону.
  Структура и функционирование современной автоматизированной системы контроля. Типовая структура и функционирование современной автоматизированной системы контроля электрических параметров. Требования к основным модулям. Организация информационных каналов. Основные направления совершенствования измерительных систем. Агрегативный принцип построения измерительных систем. Автоматизированная система входного контроля электрорадиоэлементов. Автоматизированная система контроля элементных средств.
  Отказы изделий электронной техники. Основные отказы на стадиях жизненного цикла ИЭТ. Виды и механизмы отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции. Механизмы коррозии и окисления металлизации. Механизмы отказа контактов. Механизмы отказов в межэлементных соединениях на основе поликремния. Механизмы отказов планарных структур. Механизмы пробоя в тонком окисле и эффект горячих носителей. Механизмы отказов в результате действия ударных и вибрационных нагрузок. Механизмы отказов в результате радиационных воздействий.
  Отбраковочные испытания. Тренировка изделий электронной техники. Виды отбраковочных испытаний. Тренировка ИЭТ. Электротренировка. Электротермотренировка. Термотренировка ИЭТ. Высокотемпературное старение. Испытания по методу «температура-влажность-напряжение смещения». Режим энергоциклирования ИС и термоциклирование. Продолжительность тренировок ИС и их место в технологическом процессе отбраковочных испытаний. Требования к отбраковочным испытаниям ИС за рубежом.
  Основы инженерной методики планирования, проведения и обработки результатов многофакторных испытаний на надежность. Оценка погрешностей измерений. Построение графиков по результатам измерений. Построение гистограмм распределения и интегрального распределения.
  Контроль структурного совершенства полупроводниковых материалов. Применение электронной микроскопии для изучения структурного совершенства полупроводников. Применение рентгеновских топографических методов в полупроводниках для изучения дефектов. Метод Берта-Баррета. Метод Ланга. Метод Бормана. Растровая электронная микроскопия.
  Определение тепловых характеристик полупроводника. Контроль наличия загрязнений в процессе производства. Абсолютный метод определения коэффициента теплопроводности. Относительный метод определения коэффициента теплопроводности. Методы нахождения кинетических параметров, использующие ввод теплоты при помощи оптического импульса. Определение параметров полупроводника по данным измерений тепловых и термоэлектрических эффектов. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин. Методы удаления загрязнений. Определение чистоты поверхности.
  Тестовые структуры и методы тестирования интегральных микросхем в составе электронных изделий. Использование тестовых структур при оценке качества и надежности полупроводниковых приборов и ИМС. Основные тестовые стратегии. Оптическое тестирование. Функциональное тестирование. Внутрисхемное тестирование. «Летающие» пробники. Периферийное сканирование.
  Контроль качества корпусов и герметизации изделий микроэлектроники. Контроль содержания паров воды внутри корпусов интегральных микросхем. Контроль качества герметизации пластмассовых корпусов.

 



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2016-04-11 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: