| № п/п | Наименование обеспечиваемых (последующих) дисциплин | № № разделов данной дисциплины, необходимых для изучения обеспечиваемых (последующих) дисциплин | ||||||||||
| Технология производства полупроводниковых приборов и микроэлектромеханических систем | + | + | + | + | + | + | + | + | + | + | ||
| Процессы микро- и нанотехнологии | + | + | + | + | ||||||||
| Методы исследования материалов и структур электроники | + | + | + |
Разделы дисциплины и виды занятий (в часах).
| № п/п | Наименование раздела дисциплины | Л | ПЗ | ЛР | С | СРС | Всего часов |
| Современные требования к системе качества при разработке изделий микроэлектроники. Виды, методы и средства контроля. | |||||||
| Режимы диагностирования и контроля электрических параметров. | |||||||
| Метрологическое обеспечение процесса контроля электрических параметров. | |||||||
| Структура и функционирование современной автоматизированной системы контроля. | |||||||
| Отказы изделий электронной техники. | |||||||
| Отбраковочные испытания. Тренировка изделий электронной техники. | |||||||
| Основы инженерной методики планирования, проведения и обработки результатов многофакторных испытаний на надежность. | |||||||
| Контроль структурного совершенства полупроводниковых материалов. | |||||||
| Определение тепловых характеристик полупроводника. Контроль наличия загрязнений в процессе производства. | |||||||
| Тестовые структуры и методы тестирования интегральных микросхем в составе электронных изделий. | |||||||
| Контроль качества корпусов и герметизации изделий микроэлектроники. | |||||||
| Итого: |
Лекции, практические занятия, лабораторные работы, семинары.
Лекции.
| № п/п | № раздела дисциплины | Тематика лекций | Трудоемкость (час.) |
| Программа и содержание дисциплины. Современные требования к системе контроля качества при разработке и массовом производстве изделий микроэлектроники. Виды и средства контроля. | |||
| Режимы диагностирования и контроля электрических параметров. Зависимость набора параметров и условий контроля от типа изделий и вида приемки. Выбор норм контроля электрических параметров. Выбор режимов и условий измерений. Зависимость испытаний от вида приемки и типа изделия. | |||
| Метрологическое обеспечение процесса контроля: организационные мероприятия и технические средства. Применение методов самодиагностирования и поверки по эталону. | |||
| Типовая структура и функционирование современной автоматизированной системы контроля электрических параметров. Требования к основным модулям. Организация информационных каналов. Основные направления совершенствования измерительных систем. Агрегативный принцип построения измерительных систем. Автоматизированная система входного контроля электрорадиоэлементов. Автоматизированная система контроля элементных средств. | |||
| Основные отказы на стадиях жизненного цикла ИЭТ. Виды и механизмы отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции. Механизмы коррозии и окисления металлизации. Механизмы отказа контактов. | |||
| Механизмы отказов в межэлементных соединениях на основе поликремния. Механизмы отказов планарных структур. Механизмы пробоя в тонком окисле и эффект горячих носителей. Механизмы отказов в результате действия ударных и вибрационных нагрузок. Механизмы отказов в результате радиационных воздействий. | |||
| Виды отбраковочных испытаний. Тренировка ИЭТ. Электротренировка. Электротермотренировка. Термотренировка ИЭТ. Высокотемпературное старение. Испытания по методу «температура-влажность-напряжение смещения». | |||
| Режим энергоциклирования ИС и термоциклирование. Продолжительность тренировок ИС и их место в технологическом процессе отбраковочных испытаний. Требования к отбраковочным испытаниям ИС за рубежом. | |||
| Оценка погрешностей измерений. Построение графиков по результатам измерений. Построение гистограмм распределения и интегрального распределения. | |||
| Применение электронной микроскопии для изучения структурного совершенства полупроводников. | |||
| Применение рентгеновских топографических методов в полупроводниках для изучения дефектов. Метод Берта-Баррета. Метод Ланга. Метод Бормана. Растровая электронная микроскопия. | |||
| Абсолютный метод определения коэффициента теплопроводности. Относительный метод определения коэффициента теплопроводности. Методы нахождения кинетических параметров, использующие ввод теплоты при помощи оптического импульса. Определение параметров полупроводника по данным измерений тепловых и термоэлектрических эффектов. | |||
| Виды загрязнений поверхности подложек и пластин. Методы удаления загрязнений. Определение чистоты поверхности. | |||
| Использование тестовых структур при оценке качества и надежности полупроводниковых приборов и ИМС. Основные тестовые стратегии. Оптическое тестирование. Функциональное тестирование. Внутрисхемное тестирование. «Летающие» пробники. Периферийное сканирование. | |||
| Контроль содержания паров воды внутри корпусов интегральных микросхем. Контроль качества герметизации пластмассовых корпусов. | |||
| Итого: |
Практические занятия
| № п/п | № раздела дисциплины | Тематика практических занятий | Трудоемкость (час.) |
| 2, 3, 6 | Составление программы диагностирования и выбор технических средств контроля параметров выпрямительного диода. | ||
| 2, 3, 6 | Составление программы диагностирования и выбор технических средств контроля параметров биполярного транзистора. | ||
| 2, 3, 6 | Составление программы диагностирования и выбор технических средств контроля параметров МДП-транзистора. | ||
| 2, 3, 6 | Синтез устройства контроля статических параметров операционного усилителя. | ||
| 2, 3, 6 | Синтез устройства контроля динамических параметров операционного усилителя и компаратора. | ||
| 2, 3, 6 | Синтез устройства контроля параметров аудио-усилителя. | ||
| 2, 3, 6 | Разработка схемы и расчет параметров элементов программируемого источника постоянного напряжения. | ||
| 2, 3, 6 | Разработка схемы и расчет параметров элементов программируемого источника постоянного тока. | ||
| 2, 3, 6 | Разработка схемы и расчет параметров элементов программируемого источника синусоидального напряжения. | ||
| Выбор структуры информационной сети системы автоматизированного контроля. | |||
| Итого: |