Указания по выполнению лабораторной работы




 
 

2.1. В соответствии разделом 1 в рабочей области окна программы Micro-Cap собирается схема для исследования ВАХ диода.

Рис.5. Схема для исследования ВАХ диода

Напряжение источника постоянного напряжения V1 задается любым или по умолчанию.

2.2. В окне параметров диода выбирается обобщенная модель диода $Generic с параметрами по умолчанию, кроме параметра BV, значение которого выбирается равным 1В.

2.3. На панели меню выбирается меню анализа схем Analysis. В этом меню выбирается анализ по постоянному току (DC). В появившемся окне, установки анализа по постоянному току DC Analysis Limits, устанавливается необходимые параметры в соответствии с заданием.

2.4. В табл.1 приведены параметры окна DC Analysis Limits для моделирование зависимости ВАХ диода от температуры.

Таблица 1

Параметры окна DC Analysis Limits для моделирования зависимости ВАХ диода от температуры

 

Sweep Run Options Normal
Variable 1 Auto Scale Ranges -
Method Auto Accumulate Plots -
Name V1 Вывод результатов моделирования
Range 2,-2,0.001 Ignore Expression Errors -
Variable 2 Page -
Method None P  
Name - X Expression DCINPUT1
Range - Y Expression I(D1)
Temperature X Range Auto
Method List Y Range Auto
Range T1,T2,T3    
Number of Points      
Maximum Change %      

 

2.5. Командой Run выполняется моделирование.

2.6. В диалоговом окне Properties for DC Analysis форматируется зависимость прямого тока диода от температуры при заданных значениях I(D1) в окне Scales and Formats в координатах: Х – Range Low = 0, Range High > 0; У– Range Low = 0, Range High > 0.

2.7. Командой Edit – Copy to Clipboard – Copy the Visible Portion of Window in BMP Format результаты моделирования прямого тока диода в зависимости от температуры сохраняются в буфере обмена в формате BMP. Из буфера обмена результаты моделирования прямого тока диода в зависимости от температуры переносятся в любой графический редактор, где сохраняются в любом удобном формате.

2.8. В диалоговом окне Properties for DC Analysis форматируется зависимость обратного тока диода от температуры при заданных значениях I(D1) в окне Scales and Formats в координатах: Х – Range Low < 0, Range High = 0; У– Range Low < 0, Range High = 0.

2.9. Командой Edit – Copy to Clipboard – Copy the Visible Portion of Window in BMP Format результаты моделирования обратного тока диода в зависимости от температуры сохраняются в буфере обмена в формате BMP. Из буфера обмена результаты моделирования обратного тока диода в зависимости от температуры переносятся в любой графический редактор, где сохраняются в любом удобном формате.

2.19. В графическом редакторе сохраненные файлы форматируются в общий рисунок – ВАХ диода в зависимости от температуры. В качестве примера на рис. 6 приведены результаты моделирования зависимости ВАХ диода от температуры при: Т1=9 оС, Т2=54 оС, Т3=74 оС.

 
 

Рис.6. Результаты моделирования зависимости ВАХ диода от температуры при: Т1=9 оС, Т2=54 оС, Т3=74 оС.

 

Состав отчета по лабораторной работе

3.1. Титульный лист, оформленный в соответствии с общими требованиями.

3.2. Цель лабораторной работы.

3.3. Краткие теоретические сведения.

3.4. Исходные данные для моделирования.

3.5. Результаты моделирования ВАХ диода в зависимости от температуры.

3.6. Основные выводы содержащие ответ на вопрос как о зависит ВАХ диода от температуры и почему.

 

Варианты заданий по лабораторной работе №2

№ варианта Т1, оС Т2, оС Т3, оС № варианта Т1, оС Т2, оС Т3, оС
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               

 



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2017-10-25 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: