Лабораторная работа №1
Исследование полупроводниковых диодов
И стабилитронов
Выполнил
Проверил
Сумы 2017
Цель: Исследование особенностей работы полупроводниковых диодов, построение ВАХ, анализ сопротивления диода на переменном и постоянном токе. Определение основных параметров и режима работы стабилитрона, построение ВАХ, исследование изменения напряжения на стабилитроне при изменении сопротивления в
схеме параметрического стабилизатора.
Ход работы
I. Анализ особенностей работы диодов.
Эксперимент 1. Измерение напряжения и вычисление тока через диод.
Откройте файл с9_011 (рис. 9.1) и включите схему. Мультиметр покажет напряжение на диоде UПР при прямом смещении. Переверните диод и снова запустите схему. Теперь мультиметр покажет напряжение на диоде UОБ при обратном смещении. Запишите показания в раздел "Результаты экспериментов". Вычислите ток диода при прямом IПР и обратном IОБ смещении согласно формулам (9.1)и (9.2).
Эксперимент 2. Измерение тока.
Откройте файл с9_012 (рис. 9.2) и включите схему. Мультиметр покажет ток диода IПР при прямом смещении. Переверните диод и снова запустите схему. Теперь мультиметр покажет ток IОБ диода при обратном смещении. Запишите показания в раздел "Результаты экспериментов".
Эксперимент 3. Измерение статического сопротивления диода.
Измерьте сопротивление диода в прямом и обратном подключении, используя мультиметр в режиме омметра. Малые значения сопротивления соответствуют прямому подключению. Показания прямого сопротивления различны для разных шкал омметра. Почему?
Эксперимент 4. Снятие вольтамперной характеристики диода.
а). Прямая ветвь ВАХ. Отройте файл с9_013 (рис. 9.3). Включите схему. Последовательно устанавливая значения ЭДС источника равными 5 В, 4 В, 3 В, 2 В, 1 В, 0.5 В, 0 В запишите значения напряжения UПР и тока IПР диода в таблицу а) раздела "Результаты экспериментов".
б). Обратная ветвь ВАХ. Переверните диод. Последовательно устанавливая значения ЭДС источника равными 0 В, 5 В, 10 В, 15 В запишите значения тока IОБ и напряжения UОБ в таблицу б) раздела "Результаты экспериментов".
в). По полученным данным постройте графики IПР (UПР) и IОБ (UОБ)-
г). Постройте касательную к графику прямой ветви ВАХ при IПР = 4 мА и оцените дифференциальное сопротивление диода по наклону касательной. Проделайте ту же процедуру для IПР = 0.4 мА и IПР =0.2 мА. Ответы запишите в раздел "Результаты экспериментов". д). Аналогично пункту г) оцените дифференциальное сопротивление диода при обратном напряжении 5 В и запишите экспериментальные данные в раздел "Результаты экспериментов".
е). Вычислите сопротивление диода на постоянном токе IПР = 4 мА по формуле RCt= UПР/IПР и занесите результат в раздел "Результаты экспериментов".
ж). Определите напряжение изгиба. Результаты занесите в раздел "Результаты экспериментов". Напряжение изгиба определяется из вольтамперной характеристики диода, смещенного в прямом направлении, для точки, где характеристика претерпевает резкий излом.
Эксперимент 5. Получение ВАХ на экране осциллографа.
Откройте файл с9_014. (рис. 9.4). Включите схему. На ВАХ, появившейся на экране осциллографа, по горизонтальной оси считывается напряжение на диоде в милливольтах (канал А), а по вертикальной - ток в миллиамперах (канал В, 1 мВ соответствует 1 мА). Обратите внимание на изгиб ВАХ. Измерьте и запишите в раздел "Результаты экспериментов" величину напряжения изгиба.