3.Открывают вентиль "откачка" и удерживают крышку в течение 2-3 с, крышку прижмет вакуумом.
4.Подключают ВИТ-2 (см. “Подключение ВИТ-2”).
Ждут 7-10 минут, чтобы насос выкачал вакуум до предельного давления (показания 4 - 5 мВ на термопарной шкале ВИТ-2; рисунок 8 – положение 2).
5.Игольчатым натекателем ("газонапуск") устанавливают необходимый расход рабочего газа, который контролируют по показаниям ВИТ-2. Оптимальным является то значение, которое лежит в интервале 1 - 1,5 мВ (рисунок 38 – положение 1). Именно при этих значениях расхода рабочего газа плазмохимическая обработка протекает наиболее эффективно.
Рис. 40. Свечение, как результат образования плазмы
Ждут 1-2 минуты для того, чтобы рабочий газ заполнил плазменный реактор.
6.Ручкой регулировки мощности на панели управления микроволновой печи выставляют требуемую мощность. Ручкой таймера устанавливают время протекания процесса (рис. 33).
Появление яркого свечения в плазменном реакторе свидетельствует о начале протекания процесса. 7.После окончания обработки, открывают дверцу камеры СВЧ генератора.
8.Закрывают вентиля "откачка" и "газонапуск". Дают остыть системе 5-10 минут.
9.Медленно открывают кран "напуск", придерживая крышку вакуумной камеры.
10.После снятия крышки достают обработанную деталь и проводят дальнейшие измерения на ИУС-3.
Порядок работы на ИУС-3
Перед проведением измерений образцов необходимо установить погрешность измерения удельного сопротивления, используя стандартный образец монокристаллического кремния проводимостью 4 Ом∙см и толщиной 0,5 мм. Для этого:
1. Рассчитывают величину поправки по формуле: поправка в % = 40∙(В-3)-110∙(а-1), где а и В – расстояния (мм) между внутренними и внешними контактами контактной головки.
2. Включить тумблер “сеть”, расположенный на передней части блока преобразования сигнала БПС.
3. Переключатель “поправка %” ставят в положение, которое соответствует полученной величине.
4. Помещают стандартный образец на столик манипулятора, приблизительно совместив отверстия прицела с центром образца.
5. Ставят рукоятку для ручного привода манипулятора (8) в положение “измерение”.
6.Находят диапазон измерения (Ом/* или кОм/*) нажатием кнопки блока переключателя, расположенного на передней панели устройства контактного УК, при котором показания индикаторной лампы старшего разряда отлично от 0 и не гаснет индикаторная лампа младшего разряда.
7.Производят отсчёт установившегося показания удельного поверхностного сопротивления по индикаторным лампам, которое обозначают через ρв.
8.Замеряют температуру окружающей среды.
9.Поставить рукоятку ручного привода манипулятора в положение “установка” и снять со столика стандартный образец.
10.Поставить переключатель “поправка %“ в положение 0.
Разделить ρв на величину 4,53 и обозначить полученное частное сопротивление через R.
Рассчитать величину удельного сопротивления при замеренной температуре окружающей среды по формуле: 
(Ом∙см), где d – толщина стандартного образца монокристаллического кремния; F1 и F2 – коэффициенты, приведенные в приложении в соответствующих таблицах.
Рассчитать 
, где Ft – температурный коэффициент, который рассчитывается по формуле 
, где Сt – коэффициент, приведённый в приложении в соответствующей таблице.
Сравнить 
с величиной удельного сопротивления, указанной в аттестационном документе.
Эти величины не должны расходиться более чем на 4,5 %.
После установления расхождения 
и эталонного 
, можно приступать к измерению поверхностного сопротивления образцов, используемых в лабораторной работе.
11.Включить тумблер “сеть”, расположенный на передней части блока преобразования сигнала БПС.
12.Измеряемый образец кладут на столик манипулятора 4 (рисунок 41). Совмещают отверстия прицела с тем местом, в котором будет произведено измерение.
13.Поставить рукоятку для ручного привода манипулятора (8) в положение “измерение”.
Внимание: измерение должно производиться на расстоянии не менее 2 мм от краёв образца, чтобы исключить возникновение краевых эффектов.
14.Находят диапазон измерения (Ом/* или кОм/*) нажатием кнопки блока переключателя, расположенного на передней панели устройства контактного УК, при котором показания индикаторной лампы старшего разряда отлично от 0 и не гаснет индикаторная лампа младшего разряда
Рис. 41. Схематическое изображение контактного устройства УК.
15.Производят отсчёт установившегося показания удельного поверхностного сопротивления по индикаторным лампам.
Показания снимаются в пяти точках образца. Четыре – по его углам, а пятая – в середине. Полученные значения усредняются, и находится среднее значение поверхностного сопротивления образца.
“Холостое” включение плазменного модуля СВЧ
Под термином “холостое включение” подразумевается генерация плазмы в вакуумной камере, не содержащей образец. Целью данного этапа является освоить порядок работы на плазменном модуле СВЧ (см. выше).
Визуальный контроль изменения состояния поверхности образца при плазмохимической обработке
На стеклянную подложку наносится тонкий слой органического вещества.
Подложка помещается на оснастку.
Далее проводятся операции, описанные в главе “Порядок работы на плазменном модуле СВЧ”.
После извлечения подложки из вакуумной камеры производится осмотр поверхности стекла, делаются выводы.
Плазмохимическая обработка ITO покрытия на стеклянной
подложке
Подложка, с нанесённым на неё ITO покрытием, помещается на оснастку.
Повторяется последовательность операций, описанная в главе “Порядок работы на плазменном модуле СВЧ”.
После плазмохимической обработки образца проводят измерения на ИУС-3, описанные в главе “Порядок работы на ИУС-3”.
По полученным результатам строят график зависимости ρ/* (Ом/* или кОм/*) от времени травления (с).
Плазмохимическая обработка пластин КЭФ-4,5 (1,0,0)
Последовательность выполнения данного этапа лабораторной работы аналогична таковой для “плазмохимической обработки ITO покрытия на стеклянной подложке”, но вместо ITO используется пластина КЭФ-4,5 (1,0,0).