Меры защиты от статического электричества при работе с ИМС




Определение, классификация и область применения микропроцессоров


Процессоры фирмы AMD

 


3 Назначение, условно графическое обозначение, структура, принцип работы, область применения, тип корпуса и электрические параметры ATtiny15L-1Sw

 

ATtiny15L-1Sw является 8-ми разрядным CMOS микроконтроллером с низким уровнем энергопотребления, основанным на AVR RISC архитектуре. Благодаря выполнению высокопроизводительных инструкций за один период тактового сигнала, ATtiny15L-1Sw достигает производительности, приближающейся к уровню 1 MIPS на МГц, обеспечивая разработчику возможность оптимизировать уровень энергопотребления в соответствии с необходимой вычислительной производительностью.

Ядро AVR содержит мощный набор инструкций и 32 рабочих регистра общего назначения. Все 32 регистра напрямую подключены к арифметико - логическому устройству (АЛУ), что обеспечивает доступ к двум независимым регистрам при выполнении одной инструкции за один такт. В результате, данная архитектура имеет более высокую эффективность кода, при повышении пропускной способности, вплоть до 10 раз, по сравнению со стандартными микроконтроллерами CISC.

 

Рисунок 3.1 – Расположение выводов и внешний вид микроконтроллера

 

Блок схема микроконтроллера ATtiny15L-Sw представлена на рисунке 3.2.

Параметры ATtiny15L-Sw:

-память программ - 1Кбайт;

-память данных для EEPROM - 64байт;

-количество команд - 90;

-количество линий вывода/ввода - 6;

-количество источников прерывания: а) внутренних - 4; б) внешних - 1;

-таймеры: а) 8-разрядные - 1; б) сторожевой;

-ШИМ - 1;

-аналоговый компаратор;

-АЦП (10-разрядный) [каналов] - 4;

-встроенный RC-генератор;

-схема BOD;

-возможность внутреннего программирования;

-рабочая частота - 1.6МГц;

-напряжение питания - 2.7…5.5В;

-тип корпуса - пластиковый, SOIC, малогабаритный с 2 сторон.

 

 

Рисунок 3.2 - Блок схема микроконтроллера ATtiny15L-Sw

 

Таблица 3.1 - Функции порта B

 

Вывод для порта Функции порта
VCC Вывод напряжения питания
GND Земля
PB0 MOSI(Линия ввода данных для загрузки памяти) AREF(Опорное напряжение АЦП) AIN0(Положительный вход аналогового компаратора)
PB1 MISO(Линия вывода данных для загрузки памяти) OC1A(Выход ШИМ таймера / счетчика) AIN1(Отрицательный вход аналогового компаратора)
PB2 SCK(Вход последовательного тактового сигнала для последовательного программирования) INT0(Вход внешнего прерывания) ADC1(Входной канал АЦП 1) T0(Вход внешнего счетчика)
PB3 ADC2(Входной канал АЦП 2)
PB4 ADC3(Входной канал АЦП 3)
PB5 RESET(Контакт внешнего сброса) ADC0(Входной канал АЦП 0)

Меры защиты от статического электричества при работе с ИМС

 

Во избежание выхода из строя микросхем в процессе их монтажа и демонтажа необходимо учитывать опасность воздействия на них статического электричества.

Электрические заряды могут образовываться на теле человека при трении об одежду, при ходьбе по линолеуму и резиновым покрытиям и т.д.

При прикосновении к микросхеме на нее «стекает» электрический заряд и в зависимости от его величины могут возникать следующие дефекты:

1) изменение параметров;

2) пробой диэлектрика;

3) возрастание тока в несколько раз;

4) пробой p-n переходов;

5) частичное разрушение металлизации;

6) разрушение внутренних выводов;

7) полное разрушение кристалла.

Для уменьшения влияния статического электричества принимают следующие меры:

1) ношение малоэлектризующейся одежды;

2) использование малоэлектризующихся покрытий;

3) химическая обработка и создание определенной влажности помещений;

Не рекомендуется использовать одежду из шелка, нейлона, капрона и т.д.

Все виды оборудования необходимо заземлять. Оснастка и инструмент питающиеся от сети, подключаются непосредственно к заземляющей шине. Оборудование и инструмент, не имеющие питание от сети, подключаются к заземляющей шине через резистор с номинальным сопротивлением 106 Ом. Поверхность столов и пола рекомендуется покрывать малоэлектризующимися материалами. Если это невозможно, то рабочий монтажный стол покрывают небольшим металлическим листом, соединенным с шиной заземления через резистор с номинальным сопротивлением 106 Ом.

Для уменьшения электростатического заряда применяют антистатические браслеты (жилеты), соединенные с заземляющей шиной через резистор с номинальным сопротивлением 106 Ом.

Влажность в рабочих помещениях должна быть приблизительно 60%.

Особую осторожность следует проявлять при работе с микросхемами на МДП и МОП структурах. Следует помнить, что прикосновение к выводам микросхемы не приводит к немедленному выводу ее из строя. Дефекты могут проявиться при регулировке и эксплуатации аппаратуры.


 



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2020-05-11 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: