Утверждаю Рассмотрено
Зам. директора по УР на заседании цикловой комиссии
__________Л. Е. Симкина специальностей 11.02.01, 11.02.02,
__ ________ 2015г. 11.02.06
Председатель комиссии
____________ Л.В.Суховей
____ __________ 2015г.
.
Перечень вопросов к экзамену по дисциплине «Электронная техника»
11.02.02 Техническое обслуживание и ремонт радиоэлектронной техники (по отраслям);
Студент должен
Уметь:
-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним
определять работоспособность устройств электронной техники;
-производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам;
знать:
-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах;
-принципы включения электронных приборов и построения электронных схем;
1. Собственная проводимость полупроводников. Зонная диаграмма собственного (беспримесного) полупроводника.
2. Примесный полупроводник n-типа. Зонная диаграмма.
3. Примесный полупроводник р-типа. Зонная диаграмма.
4. Дрейфовый и диффузионные токи в полупроводнике.
5. Электронно-дырочный переход (р-n переход) и его свойства.
6. Прямое и обратное включение р-n перехода.
7. Вольтамперная характеристика (ВАХ) р-n перехода.
8. Емкости р-n перехода (диффузионная, барьерная).
9. Пробой р-n перехода. Виды пробоя.
10. Контакт металл-полупроводник. Выпрямляющие и невыпрямляющие
контакты. Переход Шоттки.
11. Классификация полупроводниковых диодов по различным признакам.
Критерии работоспособности.
12. Вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода и ее
зависимость от температуры, конструкции, материала.
13. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Вольтамперная
характеристика (ВАХ), параметры.
14. Импульсные полупроводниковые диоды. Вольтамперная
характеристика (ВАХ), параметры.
15. Полупроводниковые стабилитроны. Вольтамперная характеристика
(ВАХ), параметры.
16. Варикапы. Вольтфарадная характеристика, параметры.
17. Туннельные диоды, обращенные диоды. Вольтамперная
характеристика (ВАХ), параметры.
18. Диод Ганна. Вольтамперная характеристика (ВАХ), параметры.
19. Лавинно-пролетный диод (ЛПД). Параметры, применение.
20. Биполярный транзистор. Устройство, принцип действия, токи в
транзисторе. Параметры. Критерии работоспособности.
21. Включение транзистора по схеме с общей базой (ОБ). Усилительные
свойства, применение.
22. Статические характеристики транзистора в схеме с общей базой (ОБ).
23. Включение транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ).
Усилительные свойства, применение.
24. Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером
(ОЭ).
25. Включение транзистора по схеме с общим коллектором (ОК).
Усилительные свойства, применение.
26. Эквивалентная схема биполярного транзистора. Частотные свойства
транзистора.
27. Импульсные свойства транзистора. Транзистор в режиме ключа.
28. Транзистор как 4х -полюсник. Н – параметры.
29. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом. Вольтамперная
характеристика (ВАХ), параметры. Критерии работоспособности.
30. МДП - транзистор с индуцированным и встроенным каналом.
Вольтамперная характеристика (ВАХ), параметры.
31. Динистор. Вольтамперная характеристика (ВАХ), параметры.
32. Тринистор. Вольтамперная характеристика (ВАХ), параметры.
33. Полупроводниковые светоизлучающие диоды (СИД).
34. Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры.
Устройство, вольтамперная характеристика (ВАХ), параметры
35. Электровакуумный диод. Устройство, вольтамперная характеристика
(ВАХ), параметры.
36. Электровакуумный триод. Устройство, вольтамперная характеристика
(В АХ), параметры. Междуэлектродные емкости.
37. Тетрод. Устройство, вольтамперная характеристика (ВАХ), параметры.
38. Пентод. Устройство, разновидности, вольтамперная характеристика
(ВАХ), параметры.
Электронно-лучевые трубки (ЭЛТ) с электростатическим управлением
(осциллографические).
ЭЛТ с электромагнитным управлением.
39.ЭЛТ с комбинированным управлением (кинескопы).
40. Буквенно-цифровые индикаторы (газоразрядные, полупроводниковые,
вакуумно-люминесцентные, электролюминесцентные, жидкокристаллические).
41.Классификация интегральных микросхем (ИМС) по различным
признакам. Критерии работоспособности.
42.Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных и МДП-
структурах.
43. Гибридные ИМС. Функциональная электроника.
44. Основные логические операции (И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ).
Таблицы истинности.
45.Характеристики и параметры логических ИМС.
46.Инвертор на биполярном транзисторе.
47.Простейшие ИМС (НСТЛ, РТЛ, РЕТЛ). Базовый элемент, достоинства,
недостатки.
48. Диодно-транзисторная логика (ДТЛ). Базовый элемент, достоинства,
недостатки.
49.Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) с простым и сложным
инвертором. Базовый элемент, достоинства, недостатки.
50. Транзисторно-транзисторная логика на переходах Шоттки (ТТЛШ). Базовый элемент, достоинства, недостатки.
51.Транзисторная логика с эмиттерными связями (ЭСЛ). Базовый элемент,
достоинства, недостатки.
52.Логические ИМС на МДП-структурах. ИМС типа КМОП. Базовый элемент, достоинства, недостатки.
Типы задач
1 Определение параметров электронных приборов и типовых электронных схем.
2 Анализ электронных схем.
3 Определение работоспособности электронных схем.
Литература.
1 Основная
1.1 Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника. -Ростов на Дону, 2000
1.2 Бочаров Л.Н. Электронные приборы. -М: Энергия, 1979
1.3 Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. -М.: Высшая школа, 1979
2 Дополнительная
2.1 Овечкин Ю.А. Микроэлектроника. -М.: Радио и связь, 1988
2.2 Игумнов Д.В., Королев Г.В., Громов И.С. Основы микроэлектроники. -
М.: Высшая школа, 1991
2.3 Интернет-ресурсы:
-htpp:// moskatov.narod.ru Москатов Е.А. Электронная техника.- Таганрог, 2005.
-htpp:// moskatov.narod.ru Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам. - М.: 2005.
Преподаватель Т.И.Кочкаева