Описание лабораторной установки




 

Лабораторная работа выполняется на ЭВМ с установленным программным продуктом схемотехнического моделирования Electronics Workbench Multisim версии 10.1 или выше. Модель лабораторного стенда для исследования полупроводникового диода представлена в виде схемы замещения.

Лабораторная установка состоит из источника питания, потенциометра R1, ключа K, сопротивления нагрузки Rн, диода VD, вольтметра и амперметра.

 

Рис. 6. Схема стенда для снятия ВАХ диода

 

План выполнения РАБОТЫ

 

1. Ознакомиться с теоретическим сведениями.

2. Собрать схему (рис. 6).

3. Снять и построить вольт-амперную характеристику диода .

 

Таблица 1

Опытные данные ВАХ диода

 

  Положение потенциометра R1, %
                   
                   
                   
                     
                   
                   

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

 

1. Название работы, ее цель.

2. Схема стенда.

3. Таблица опытных данных и график вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.

 

ВОПРОСЫДЛЯ КОНТРОЛЯ

 

1. Что называют полупроводниковым диодом?

2. Какую область полупроводникового диода называют базой?

3. Почему при определении плоскостных и точечных диодов в качестве характеристической длины иногда принимают диффузионную длину неосновных носителей заряда в базе диода, а иногда толщину базы?

4. Почему о плотности тока через диод можно судить по распределению неосновных носителей заряда в его базе?

5. Чем отличаются ВАХ диодов с толстой и тонкой базами?

6. Как и по каким причинам изменяется прямая ветвь ВАХ диода с увеличением его температуры?

7. Что такое диффузионная емкость диода?

8. Как связано время пролета неосновных носителей заряда через базу диода с толщиной базы и коэффициентом диффузии неосновных носителей?

9. В каких случаях процесс генерации носителей в p-n-переходе влияет на ВАХ диода?

10. Как влияет процесс рекомбинации носителей заряда в p-n-переходе диода на его ВАХ?

11. Как связан коэффициент лавинного размножения с коэффициентом ударной ионизации?

12. Как зависит пробивное напряжение диодов при лавинном пробое от концентрации примесей в базе и от ее удельного сопротивления?

13. Как изменится пробивное напряжение диода при лавинном и при туннельном пробое с увеличением температуры?

14. Каковы особенности теплового пробоя в реальных диодах?

15. Как могут влиять поверхностные состояния на ВАХ диода?

16. Какие явления надо учитывать при работе диода на высоком уровне инжекции?

17. По каким причинам в базе диода возникает электрическое поле при высоком уровне инжекции?

18. Как процессы накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода, а также барьерная емкость влияют на работу диода при быстром изменении напряжения или тока?

19. Перечислите и объясните отличия в свойствах и параметрах кремниевых и германиевых выпрямительных диодов.

20. Что такое сопротивление растекания и как его можно рассчитать?

21. Какие физические явления и свойства выпрямляющих электрических переходов используются в различных полупроводниковых диодах: выпрямительных, смесительных, умножительных, модуляторных диодах и стабилитронах, полупроводниковых стабилитронах и лавинно-пролетных диодах, туннельных и обращенных диодах, варикапах?

22. Почему лавинно-пролетные диоды обладают отрицательным дифференциальным сопротивлением только на определенных частотах СВЧ-диапазона?

23. Почему варикапы должны работать только при приложении к ним обратного постоянного напряжения смещения?

24. Почему в варикапах используется только барьерная емкость и не используется диффузионная емкость?

 



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2017-04-03 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: