ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 1.
1. Микроэлектроника. Основные цели и базовые научные направления.
2. Принцип действия динистора. ВАХ динистора, условие включения и выключения. Основные требования к структуре.
Утверждено на заседании
кафедры ___ Радиоэлектроники и телекоммуникаций _______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А. ______
(подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _ бакалавр _______________________________
Направление подготовки ___ 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника _________________
Специальность_____________________________________Семестр__ 6 ___________________
(название)
Учебная дисциплина __ Актуальные проблемы твердотельной электроники _________________
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 2.
1. Принцип действия биполярного транзистора. Входная и выходная характеристики в схеме ОЭ.
2. Время включения биполярного транзистора.
Утверждено на заседании
кафедры ___ Радиоэлектроники и телекоммуникаций _______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А. ______
(подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _ бакалавр _______________________________
Направление подготовки ___ 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника _________________
Специальность_____________________________________Семестр__ 6 ___________________
(название)
Учебная дисциплина __ Актуальные проблемы твердотельной электроники _________________
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 3.
1. Принцип действия БТ. Выходные характеристики в схеме ОБ и ОЭ.
2. Симисторы или триаки. ВАХ с различными токами управления.
Утверждено на заседании
кафедры ___ Радиоэлектроники и телекоммуникаций _______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А. ______
(подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _ бакалавр _______________________________
Направление подготовки ___ 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника _________________
Специальность_____________________________________Семестр__ 6 ___________________
(название)
Учебная дисциплина __ Актуальные проблемы твердотельной электроники _________________
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 4.
1. Крутизна переходной характеристики МДП-транзистора. Зависимость от напряжения затвора и тока стока.
2. Усиление по току и мощности БТ в схеме ОЭ. Входные и выходные характеристики в схеме ОЭ.
Утверждено на заседании
кафедры ___ Радиоэлектроники и телекоммуникаций _______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А. ______
(подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _ бакалавр _______________________________
Направление подготовки ___ 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника _________________
Специальность_____________________________________Семестр__ 6 ___________________
(название)
Учебная дисциплина __ Актуальные проблемы твердотельной электроники _________________
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 5.
1. Дрейфовый транзистор. Ускорение поля в базе БТ.
2. Частотные свойства биполярного транзистора. Граничные приборные частоты. fa, fb, fт, fmax.
Утверждено на заседании
кафедры ___ Радиоэлектроники и телекоммуникаций _______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А. ______
(подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _ бакалавр _______________________________
Направление подготовки ___ 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника _________________
Специальность_____________________________________Семестр__ 6 ___________________
(название)
Учебная дисциплина __ Актуальные проблемы твердотельной электроники _________________
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 6.
1. IGBT. Принцип действия, передаточная ВАХ, выходные ВАХ.
2. Составной транзистор p-n-p по схеме Шиклаи для интегральных схем.
Утверждено на заседании
кафедры ___ Радиоэлектроники и телекоммуникаций _______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А. ______
(подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _ бакалавр _______________________________
Направление подготовки ___ 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника _________________
Специальность_____________________________________Семестр__ 6 ___________________
(название)
Учебная дисциплина __ Актуальные проблемы твердотельной электроники _________________
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 7.
1. Физические компоненты коэффициента передачи тока эмиттера a.
Связь a и В.
2. Время выключения импульсного транзистора. Пути снижения времени рассасывания.
Утверждено на заседании
кафедры ___ Радиоэлектроники и телекоммуникаций _______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А. ______
(подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _ бакалавр _______________________________
Направление подготовки ___ 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника _________________
Специальность_____________________________________Семестр__ 6 ___________________
(название)
Учебная дисциплина __ Актуальные проблемы твердотельной электроники _________________