Порядок выполнения работы следующий.
1. Ознакомиться с расположением органов управления стендом и поставить потенциометры, регулирующие уровни напряжений смещения, коллекторного питания, модулирующего сигнала и возбуждения в крайнее левое положение. Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф. На экране ЖКД в правой верхней части лицевой панели должна появиться надпись, подтверждающая работоспособность встроенного мультиметра, а на светодиодном индикаторе установки частоты генератора модулирующего сигнала высветится текущее значение частоты. Перед началом работы, нажимая кнопки клавиатуры мультиметра, следует изучить последовательность вывода информации на экран ЖКД.
2. "Собрать" схему осуществления коллекторной модуляции, поставив переключатели S1 и S2 в положение 2. Снять статическую модуляционную характеристику, т. е. зависимость действующего значения тока контура 
в функции от напряжения источника коллекторного питания 
: 
= = f (), а также зависимости от постоянной составляющей тока коллектора транзистора 
и амплитудного значения напряжения на коллекторе транзистора 
. Эксперимент проводится при постоянных значениях напряжения смещения на базе транзистора 
= 0,65 В, напряжения модуляции 
= 0. Установить = 2 В и определить максимально возможную амплитуду напряжения возбуждения 
. В дальнейших экспериментах поддерживать ее равной полученному значению. Напряжение изменять в пределах от 2 до 10 В. Построить график СМХ, и из построенной зависимости = = f () определить напряжение источника коллекторного питания 
в режиме несущей частоты, равное напряжению коллекторного питания , соответствующему середине линейного участка СМХ. Определить также максимальное значение модулирующего напряжения 
, при котором коэффициент модуляции m = 1. Обратить внимание на изменение формы импульса эмиттерного тока транзистора и зарисовать ее для случаев = 
и = + 
. Наблюдать на экране осциллографа СМХ, для чего на вход вертикального усилителя Y подать сигнал, пропорциональный току контура, а на вход горизонтального усилителя X – сигнал, пропорциональный модулирующему напряжению . Обратить внимание на отличия в статических модуляционных характеристиках, наблюдаемых при < , = и > . Во всех случаях установить = 
.
3. Снять амплитудную динамическую модуляционную характеристику, т. е. зависимость коэффициента модуляции m от уровня модулирующего напряжения . Эксперимент проводится при частоте модулирующего сигнала F = 1 кГц, = , = 0,65 В и , найденном ранее в п. 2. Измеряются два значения m: 
и 
, соответствующие нижней и верхней полуволнам огибающей. По полученным зависимостям построить графики , = f ().
4. Снять частотную ДМХ, т. е. зависимость коэффициента модуляции m от частоты модулирующего напряжения F. Эксперимент проводится при постоянной амплитуде модулирующего сигнала, обеспечивающей значение m = 0,5 на частоте F = 1 кГц, = , = 0,65 В и , определенном в п. 2. По полученным зависимостям построить графики m = f (F).
5. Снять статическую модуляционную характеристику, т. е. зависимость значения тока контура в функции от напряжения источника коллекторного питания , для случая комбинированной коллекторной. Для этого, поставив переключатель S2 в положение 4, установить = 10 В, = = 0,65 В и – из п. 2. Далее, не изменяя положение потенциометра 
, снять зависимости = f (). Результаты эксперимента сравнить с данными, полученными в п. 2.
6. Снять амплитудную динамическую модуляционную характеристику, т. е. зависимость коэффициента модуляции m от уровня модулирующего напряжения . Эксперимент проводится при частоте модулирующего сигнала F = 1 кГц, = и – из п. 2. Переключатель S2 должен находиться в положении 4. Напряжение смещения на базе = 0,65 В устанавливается при = 10 В, = 0 и в дальнейшем не корректируется. определяется СМХ, снятой в п. 5. Измеряются два значения m: и , соответствующие нижней и верхней полуволнам огибающей. По полученным зависимостям построить графики , = f () и сравнить их с соответствующими зависимостями, полученными в п. 3.