МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное бюджетное
образовательное учреждение высшего образования
«ТЮМЕНСКИЙ ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Филиал ТИУ в г. Ноябрьске
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫЭЛЕКТРОНИКИ
Методические указания по выполнению курсовой работы
по теме: «Изучение физических основ работы полупроводниковых приборов»
по дисциплине «Физические основы электроники»
для обучающихся заочной формы по направлению подготовки
13.03.02 «Электроэнергетика и электротехника»
Составитель: Т.Е. Шевнина
Ноябрьск, 2018
Изучение физических основ работы полупроводниковых приборов: методические указания по выполнению курсовой работы по дисциплине «Физические основы электроники» для обучающихся заочной формы по направлению подготовки 13.03.02 «Электроэнергетика и электротехника»/ сост. Т.Е. Шевнина; Филиал ТИУ в г. Ноябрьске, 2018.– 28 с.
Методические указания рассмотрены на заседании кафедры ТТНК 31 августа 2018 года, протокол №1
Аннотация
Методические указания по выполнению курсовой работы по дисциплине «Физические основы электроники» предназначены для обучающихся по направлению подготовки 13.03.02 «Электроэнергетика и электротехника».
Представлены задание, методические указания, значения параметров схем, варианты схем, пример выполнения расчета, содержание курсовой работы и общие требования к ней, критерии оценок
| © Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Тюменский индустриальный университет», 2018г. |
СТРУКТУРА
| Стр | |
| ВВЕДЕНИЕ | |
| ЗАДАНИЕ 1 | |
| ЗАДАНИЕ 2 | |
| ЗАДАНИЕ 3 | |
| Содержание курсовой работы и общие требования к ней | |
| Критерии оценок | |
| пРИЛОЖЕНИЕ 1 | |
| пРИЛОЖЕНИЕ 2 | |
| ПРИЛОЖЕНИЕ 3 | |
| пРИЛОЖЕНИЕ 4 | |
| пРИЛОЖЕНИЕ 5 | |
| БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК |
ВВЕДЕНИЕ
Курсовая работа по дисциплине «Физические основы электроники» заключается изучении физических основ работы полупроводниковых приборов и состоит из трёх заданий:
1. Изучение свойств p-n перехода.
2. Изучение свойств диодов.
3. Изучение свойств биполярного транзистора, а именно проведение расчёта каскада усилителя напряжения низкой частоты с реостатно-ёмкостной связью
Целью курсовой работы является:
· закрепление теоретических знаний, полученных при изучении дисциплины;
· формирование углубленного понимания физических процессов в усилительных устройствах;
· изучение методов расчета усилительных устройств и их основных параметров;
· усвоение правил составления и оформления технической документации.
Выполнение данной курсовой работы призвано активизировать самостоятельную работу студентов и является важным этапом в формировании профессиональных компетенций.
ЗАДАНИЕ 1
Начертите схему включения p-n перехода, соответствующую заданному состоянию; покажите токи, протекающие через p-n переход, их направление и соотношение; укажите порядок величины результирующего тока.
Таблица 1
| Номер варианта | Состояние p-n- перехода |
| 1. | Прямое включение |
| 2. | Равновесное состояние |
| 3. | Обратное включение |
| 4. | Прямое включение |
| 5. | Равновесное состояние |
| 6. | Обратное включение |
| 7. | Прямое включение |
| 8. | Равновесное состояние |
| 9. | Обратное включение |
| 10. | Прямое включение |
| 11. | Равновесное состояние |
| 12. | Обратное включение |
| 13. | Прямое включение |
| 14. | Равновесное состояние |
| 15. | Обратное включение |
| 16. | Прямое включение |
| 17. | Равновесное состояние |
| 18. | Обратное включение |
| 19. | Прямое включение |
| 20. | Равновесное состояние |
| 21. | Обратное включение |
| 22. | Прямое включение |
| 23. | Равновесное состояние |
| 24. | Обратное включение |
| 25. | Прямое включение |
Методические рекомендации по выполнению задания 1
1. Приведите условие задачи и таблицу с вашим вариантом задания.
2. Начертите заданную схему включения p-n -перехода с указанием на ней запирающего слоя, направления движения основных и неосновных носителей заряда.
3. Укажите приблизительную величину результирующего тока, протекающего через p-n -переход в заданном состоянии.
ЗАДАНИЕ 2
По заданной маркировке диода определите его тип, дайте ему полную техническую характеристику, укажите физический смысл и рассчитайте заданный параметр.
Ответ должен содержать:
1) таблицу с выписанным заданием своего варианта;
2) расшифровку маркировки заданного типа диода;
3) запись определения данного типа диода;
4) краткий ответ, какое свойство p-n -перехода используется в этом типе диода;
5) типовую характеристику;
6) схему включения;
7) область применения;
8) ответ о физическом смысле и расчёт заданного параметра.
Методические рекомендации по выполнению задания 2
1. Приведите задание и таблицу с Вашим вариантом задания.
2. Пользуясь справочником, разберитесь в системе принятых обозначений полупроводниковых диодов. Расшифруйте маркировку заданного диода.
3. Определив по маркировке тип заданного диода, приведите запись определения данного диода.
4. Разберитесь в принципе действия рассматриваемого диода. Приведите схему включения диода.
5. Приведите характеристику рассматриваемого диода. На ней выделите рабочий участок.
6. Укажите область применения заданного типа диода.
7. Объясните физический смысл заданного параметра и приведите формулу его расчёта.
Варианты задания 2:
Таблица 2
| Вариант | Марка диода | Параметр диода |
| 1. | ГИ 307А | g диф, если дано: Iп = 14 мА; Iвп = 2 мА; Uп = 0,22 В; Uвп = 0,62 В |
| 2. | 2С170А | Rдиф, если задано: Iст.min=3мА; Iст.max=20мА; ΔUст =1,16В |
| 3. | КС 620А | Rдиф, если задано: Iст.min=5мА; Iст.max=42мА; ΔUст =29В |
| 4. | КВ104Б | Кс, если задано: Сmin=106пФ; Сmax=144пФ |
| 5. | КС139А | Rдиф, если задано: Iст.min=3мА; Iст.max=70мА; ΔUст =0,78В |
| 6. | 2C 920А | Rдиф, если задано: Iст.min=5мА; Iст.max=42мА; ΔUст =24В |
| 7. | АИ 201К | gдиф, если дано: Iп = 15 мА; Iвп = 1,5 мА; Uп = 0,08 В Uвп = 0,63 В |
| 8. | КС 156А | Rдиф, если задано: Iст.min=3мА; Iст.max=55мА; ΔUст =1,12В |
| 9. | КВ 104Д | Кс, если задано: Сmin=128пФ; Сmax=192пФ |
| 10. | 2С950А | Rдиф, если задано: Iст.min=2,5мА; Iст.max=5мА; ΔUст =28В |
| 11. | 2С147А | Rдиф, если задано: Iст.min=3мА; Iст.max=58мА; ΔUст =0,94В |
| 12. | КС133А | Rдиф, если задано: Iст.min=3мА; Iст.max=81мА; ΔUст =0,66В |
| 13. | 2С 168А | Rдиф, если задано: Iст.min=3мА; Iст.max=45мА; ΔUст =1,1В |
| 14. | КВ 104С | Кс, если задано: Сmin=128пФ; Сmax=192пФ |
| 15. | 2Д 215А | R ст, если дано: Iпр = 1 А при Uпр = 0,12В |
| 16. | КС147А | Rдиф, если задано: Iст.min=3мА; Iст.max=58мА; ΔUст =0,94В |
| 17. | 2С980А | Rдиф, если задано: Iст.min=2,5мА; Iст.max=5мА; ΔUст =36В |
| 18. | КВ 135 | Кс, если задано: Сmin=480пФ; Сmax=590пФ |
| 19. | 2Д215В | R ст, если дано: Iпр = 1 А при Uпр = 0,11В |
| 20. | 2С133А | Rдиф, если задано: Iст.min=3мА; Iст.max=81мА; ΔUст =0,66В |
| 21. | 2Д204А | R ст, если дано: Iпр = 0,4А при Uпр = 0,93В |
| 22. | КВ 104А | Кс, если задано: Сmin=90пФ; Сmax=120пФ |
| 23. | 2Д204В | R ст, если дано: Iпр = 1А при Uпр = 2,33В |
| 24. | 2С 220Ж | Rдиф, если задано: Iст.min=0,5мА; Iст.max=7,5мА; ΔUст =2В |
| 25. | КД204В | R ст, если дано: Iпр = 0,6А при Uпр = 1,4В |