ТЕМА: ВХОДНЫЕ И ВЫХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
Цель лабораторной работы: Экспериментальное исследование характеристик транзистора включенных по схеме с общей базой.
Порядок выполнения работы:
1. Приступая к выполнению данной лабораторной работы необходимо запустить программу ELECTRONICS WORKBENCH. После запуска она будет выглядеть следующим образом:
2.Для работы необходимо загрузить схему исследования. При нажатии кнопки
открывается окно, в котором курсором необходимо пометить файл <ЛР№2 ОБ 1.ewb> и нажать кнопку «Открыть». Появится схема, имеющая следующий вид:
2.Чтобы схема начала функционировать, необходимо нажать кнопку в верхнем правом углу .
3.Изменяя переменным резистором (при нажатии клавиши <R> сопротивление уменьшается, при нажатии комбинаций клавиш <shift>-<R> сопротивление увеличивается) входное напряжение (Uэб) от 0 до 0,9 В, снимите входную характеристику транзистора Iэ=f(Uэб) при напряжении коллектора (Uкб) 0; 5; 10 В (Uкб=0, при отключённом тумблере (нажатие длинной белой клавиши в нижней части клавиатуры)).
4.Повторяя действия пункта 2, открываем следующую схему (открываем файл <ЛР№ 2 ОБ 2.ewb>). Она имеет следующий вид:
Изменяя резистором (клавиша <T>) напряжение Uкб от 0,8 до 0В, снимите отрицательную ветвь выходной характеристики транзистора Iк=f(Uкб) при установке эмиттерного тока 10, 20, 30 мА.
5.Повторяя действия пункта 2, открываем следующую схему (файл < ЛР№ 2 ОБ 3.ewb>). Она будет иметь следующий вид:
6.Изменяя напряжение коллектора (Uкб) от 0 до 10В, снимите положительную ветвь выходной характеристики транзистора Iк=f(Uкб) при установке эмиттерного тока (Iэ) 10, 20 и 30 мА.
7.По данным измерений постройте входные и выходные характеристики транзистора.
2.3 ТЕМА: ВХОДНЫЕ И ВЫХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛИЯ ТРАНЗИСТОРА.
Цель лабораторной работы: Экспериментальное исследование статических характеристик транзистора включенного по схеме с общим эмиттером.
Порядок выполнения работы:
1.Приступая к выполнению лабораторной работы необходимо запустить программу ELECTRONICS WORKBENCH. После запуска она будет выглядеть следующим образом
2.Для работы необходимо загрузить схему исследования. При нажатии кнопки открывается окно, в котором курсором необходимо пометить файл <ЛР№ №3 ОЭ 1.ewb> и нажать кнопку «Открыть». Появится схема, имеющая следующий вид:
3.Чтобы схема начала функционировать, необходимо нажать кнопку в верхнем правом углу . Изменяя переменным резистором (при нажатии клавиши <R> сопротивление уменьшается, при нажатии комбинаций клавиш <shift>-<R> сопротивление увеличивается) входное напряжение (Uбэ) от 0 до 0,9 В, снимите зависимость базового тока (Iб) от напряжения база-эмиттер (Uбэ) при установке коллекторного напряжения (Uкэ) 0; 5; 10 В (входная характеристика транзистора Iб=f (Uбэ), (Uкэ=0 обеспечивается при выключение тумблера (клавиша «Пробел»))
4.Изменяя переменным резистором (клавиша <T>, или <shift>-<T>) напряжение коллектора (Uкэ) от 0 до 8 В, снимите зависимость коллекторного тока (Iк) от напряжения коллектор-эмиттер (Uкэ) при установке тока базы (Iб) 0,1; 0,2 мА (выходная характеристика транзистора Iк=f(Uкэ).
5.По данным измерения построить входные и выходные характеристики транзистора.
6.Определить по характеристикам транзистора графоаналитическим методом параметры транзистора:
Входное сопротивление транзистора Rвх=∆Uбэ/∆Iб;
Выходное сопротивление транзистора Rвых=∆Uкэ/∆Iк;
Коэффициент усиления транзистора β=∆Iк/∆Iб
2.4. ТЕМА: ИССЛЕДОВАНИЕ ТИРИСТОРА.