3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
X.
1. Как проводится расчет предполагаемого концентрационного профиля. Составьте два ряда характеризующих глубину легирования: 1) всеми легирующими примесями пятой группы,
2) всеми легирующими примесями третьей группы(подгруппы B).
2. Описать диффузию из ограниченного источника:
а) построить профили при изменении времени диффузии,
б) расчетная формула для построения профиля,
в) сравнить с профилем из постоянного источника, а именно с глубиной легирования и концентрацией примеси.
Когда более вероятно образование кластеров и преципитатов при легировании из ограниченного или постоянного источника и почему?
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
ВОПРОСЫК ЗАЧЕТУ (Л.Р. 4, 7, 8)
1. Процесс ионного легирования. Принципиальные узлы установки по ионной имплантации. Какое устройство позволяет точно определять уровень легирования?
2. Нарисовать профиль легирования при ионной имплантации, определить принципиальную глубину легирования в микронах, глубину легирования и концентрацию вводимой примеси при изменении энергии пучка Е и дозы Ф.
3. При создании интегральной схемы пластина проходит последовательно ряд высокотемпературных обработок. Что будет происходить с ионнолегированным слоем, если после ионной имплантации структура несколько раз нагревается до температуры T>900°C? Изменится ли глубина ионнолегированного слоя?
4. Описать схему дефектообразования в кремнии при ионной имплантации. Определить концентрацию дефектов при аморфизации.
5. Описать пример использования ионной имплантации в технологии получения интегральной схемы.
6. Достигается ли получение желаемого типа проводимости (при легировании донорами или акцепторами) сразу после ионной имплантации. Если нет, то описать почему?
7. Влияние отжига на ионнолегированные слои. Температура отжига дефектов в кремнии.
8. Как проводится расчет предполагаемого концентрационного профиля? Составьте два ряда, характеризующих глубину легирования:
1) всеми легирующими примесями пятой группы,
2) всеми легирующими примесями третьей группы (подгруппы B).
9. Сравнить концентрационный профиль и профиль, характеризующий распределение дефектов по глубине подложки. Одинаковы ли они для тяжелых и легких ионов?
10. Охарактеризовать особенности легирования:
а) ионной имплантацией,
б) диффузией.
11. Описать диффузию из постоянного источника:
а) нарисовать профили при разном времени диффузии,
б) дать формулу для расчета профиля.
в) какая величина определяет постоянную концентрацию примеси на поверхности?
12. Описать диффузию из ограниченного источника:
а) построить профили при изменении времени диффузии,
б) расчетная формула для построения профиля,
в) сравнить с профилем из постоянного источника, а именно с глубиной легирования и концентрацией примеси.
13. Какие причины влияют на отклонение реального профиля от расчетного?
14. Чем отличается концентрационный профиль диффузии из ограниченного источника от постоянного?
15. Расшифровать марки Si КЭФ - 20, КДБ - 0,05. Какая концентрация (и тип) носителей соответствует Si этих марок?
16. Технология задания постоянного источника (концентрация примеси во внешней среде и ее соотношение с CS; возможный источник легирующей примеси).
17. Оценить CS при диффузии примеси: P, As, Sb в Si при температуре 1200°С. Какая предельная концентрация этих примесей и при каких температурах может быть введена в Si?
18. Сравнить коэффициенты диффузии B, P, As и Sb при 1200°С, предельные их концентрации, которые могут быть введены при этой температуре.
19. Использование процесса диффузии из постоянного источника для “загонки” примеси, т.е. создания “ограниченного источника” (время диффузии, температура и их влияние на концентрационный профиль).
20. Как задается ограниченный источник при проведении процесса диффузии?
21. Когда более вероятно образование кластеров и преципитатов при легировании из ограниченного или постоянного источника и почему?
22. Опишите методику измерения глубины p-n перехода методом сферического шлифа.
23. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.