1. Собрать и включить схему, представленную на рисунке 10.
В этой схеме значения тока базы задаются изменением напряжения источника Е Бв цепи базы.
Рисунок 10 – Схема для получения входной характеристики транзистора
1. Изменяя ЭДС источника базы Е Б в соответствии с таблицей 2, снять показания приборов и заполнить таблицу.
Таблица 2
| Е Б, B | I Б, мкА | U БЭ, мВ | I К, мА | U КЭ, В |
2. По данным таблицы 2 построить входную характеристику 
при U КЭ = const.
3. По входной характеристике определить дифференциальное входное сопротивление транзистора R ВХ, проведя на графике необходимые построения.
4. Представить письменные пояснения.
Снятие выходных характеристик транзистора
1. Для схемы, представленной на рисунке 10, провести измерения тока коллектора I К для каждого значения Е Би U КЭ и заполнить таблицу 3.
Таблица 3
| Е Б, B | I Б, мкА | U КЭ, B | |||||||||
| 0,1 | 0,5 | ||||||||||
| I К, мА | |||||||||||
2. По данным таблицы 3 построить на листе миллиметровой бумаги формата А4 семейство выходных характеристик 
при I Б = const.
3. Письменно объяснить поведение выходных характеристик, обозначить на графике области, соответствующие разным режимам работы транзистора.
4. По выходным характеристикам определить дифференциальный коэффициент передачи тока базы β для U КЭ= 30 В. Представить на графике построения, привести в отчете необходимые расчеты и пояснения.
5. По выходной характеристике определить дифференциальное выходное сопротивление транзистора R ВЫХ, проведя на графике необходимые построения. Дать письменные пояснения.
Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы
С помощью одного резистора
1. Собрать схему, представленную на рисунке 11.
Рисунок 11 – Схема для исследования параметров рабочей точки
2. Включить схему, записать показания приборов.
3. Рассчитать ток базы I Б, ток коллектора I К, напряжение коллектор-эмиттер U КЭ.
4. Представить письменные пояснения, сравнить расчетные данные с экспериментальными.
5. На графике семейства выходных характеристик транзистора, полученных в пункте 3.4, построить нагрузочную прямую по постоянному току. Привести в отчете письменные пояснения с расчетами.
6. Используя записанные показания приборов, определить рабочую точку на нагрузочной линии и отметить ее положение на графике. Дать письменные пояснения.
7. Рассчитать величину сопротивления R БН, при котором транзистор перейдет в режим насыщения.
8. Установить в схеме R Б = R БН, включить схему и записать показания приборов. Определить, находится ли транзистор в режиме насыщения. Если режим насыщения достигнут, записать показания приборов и дать письменные пояснения. Если режим насыщения не наблюдается, изменением номинала резистора R Б добиться перевода транзистора в режим насыщения, записать показания приборов и представить письменные пояснения.
9. Изменением номинала резистора R Б добиться перевода транзистора в режим отсечки, записать показания приборов и представить письменные пояснения.