Таблица 4
| № раз-дела | № заня-тия | Тема занятия | Кол-во часов | Литература | |
| ауд. | дом. | ||||
| Описание движения микрочастиц в квантовой механике. Строение атомов. | 27: стр.418-449. | ||||
| Строение твердых тел. Структура кристаллов. | 5: стр.65-66; 15: стр.66-68; 27: стр.456-464. | ||||
| Зонная теория твердых тел. Статистика носителей заряда в полупроводниках и металлах. | 3: стр.5-21; 5: стр. 129-130; 27: стр.476-484. | ||||
| Контрольная работа. | – | ||||
| Теплоемкость и теплопроводность твердых тел. | 5: стр. 84; 15: стр.68-71; 27: стр.464-474. | ||||
| Свойства диэлектриков. | 27: стр.221-234. | ||||
| Магнитные свойства твердых тел. | 27: стр.322-328. | ||||
| Контрольная работа. | – | ||||
| Электропроводность твердых тел. | 5: стр. 181-182; 15: стр.71-76. | ||||
| Фотоэлектрические явления в полупроводниках | 3: стр.51-53. | ||||
| Термоэлектрические и гальваномагнитные явления. | 3; 15; 27: стр.484. | ||||
| Контактные явления. | 3; 15. | ||||
| Контрольная работа. | – |
КУРСОВАЯ РАБОТА
1. Тема работы: «Расчет параметров ступенчатого p-n-перехода».
2. Цель работы:
- обобщение и закрепление знаний, полученных при изучении курса "Физические основы микроэлектроники";
- приобретение опыта самостоятельного решения задач;
- освоение методов расчета с использованием ЭВМ;
- развитие навыков грамотного технического и литературного изложения материала.
3. Структура курсового проекта.
Курсовой проект состоит из теоретической части, расчетной части и реферата.
3.1. Теоретическая часть.
В теоретическую часть необходимо включить следующие разделы:
1) Понятие о p-n-переходе.
2) Структура p-n-перехода.
3) Методы создания p-n-переходов.
4) Равновесное состояние p-n-перехода.
5) Токи через p-n-переход в равновесном состоянии.
3.2. Расчетная часть.
Основными параметрами p-n -перехода являются контактная разность потенциалов, ширина перехода и максимальная напряженность электрического поля. Необходимо также знать протяженность перехода в n- и p- области по отдельности и распределения напряженности электрического поля в переходе.
Для расчета указанных параметров студент получает в письменном виде у преподавателя, ведущего предмет, следующие данные:
- абсолютную величину результирующей примеси в эмиттере, базе;
- собственную концентрацию носителей заряда;
- равновесную концентрацию электронов в n-, р- области;
- равновесную концентрацию дырок в n-, р- области;
- абсолютную температуру.
3.3. Примерная тематика рефератов:
1) Изготовление биполярного транзистора p-n-p -типа диффузионным методом.
2) Изготовление биполярного транзистора n-p-n-типа диффузионным методом.
3) Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора со встроенным каналом p -типа.
4) Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора с индуцированным каналом n -типа.
5) Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора со встроенным каналом n -типа.
6) Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора с индуцированным каналом p -типа.
7) Поверхностные акустические волны и их использование в линиях задержки.
8) Эффект Ганна и его использование в диодах, работающих в генераторном режиме.
9) Туннельный эффект и его использование в диодах, работающих в режиме усиления.
10) Рекомбинация носителей заряда и ее использование в светодиодах.
11) Внутренний фотоэффект и его использование в фотодиодах.
12) Внутренний и внешний фотоэффекты и их использование в оптронах.
13) Барьерная емкость в p-n -переходах и ее использование в варикапах.
14) Лавинный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах.
15) Туннельный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах.
16) Эффект Шоттки и его использование в полевых транзисторах.
17) Ионное легирование в микроэлектронике.
18) Диэлектрические пленки в технологии интегральных микросхем.
19) Эффект Шоттки и его использование в диодах.
20) Физико-химические основы ионно-плазменных процессов получения пленок.
21) Физические явления в тонких пленках.
22) Фотоэлектрические явления в полупроводниках.
23) Физические процессы в диэлектриках.
24) Физические процессы в магнитных материалах.
25) Термические свойства диэлектриков.
26) Диэлектрические потери в диэлектриках.
27) Пробой диэлектриков.
28) Химические процессы осаждения пленок.
29) Электрохимические процессы осаждения пленок.
30) Физико-химические явления в диффузионных процессах.
31) Физико-химические основы ионной имплантации.
32) Физико-химические основы ионно-плазменного травления.
33) Физико-химические основы плазменно-химического травления.
34) Физико-химические процессы ионно-плазменного получения пленок.
35) Физико-химические основы получения пленок методом термовакуумного испарения.
36) Физико-химические основы технологии печатных плат.
37) Использование диффузии для введения примесей в полупроводник (диффузия из ограниченного и неограниченного источника).
38) Физико-химические основы зарождения и роста новой фазы.
39) Физико-химические основы поверхностных процессов.
40) Химическая металлизация в радиоприборостроении.
41) Электрохимическая металлизация в радиоприборостроении.
42) Химическое и электрохимическое травление металлов.
43) Технология полупроводниковых интегральных микросхем.
44) Термическая диффузия примесей.
45) Легирование методом ионного внедрения.
46) Явление эпитаксии и его использование в микроэлектронике.
47) Формирование диэлектрических потерь.
48) Металлизация поверхностей кремниевых структур.
49) Фотолитография.
50) Технологические особенности производства больших интегральных микросхем.
51) Явление сверхпроводимости. Сверхпроводники 1-го и 2-го рода.
52) Явление сверхпроводимости и его использование в современной микроэлектронике.
53) Когерентное излучение. Квантовые усилители.
54) Когерентное излучение. Квантовые генераторы.
55) Эффект Джозефсона и его применение в СВЧ-генераторах.
56) Эффект Мейснера и его применение в современной микроэлектронике.
57) Эффект Ааронова-Бома и его применение в современной микроэлектронике.
58) Жидкие кристаллы и их применение в микроэлектронике.
Рекомендуемая литература: 1, 8-14, 17, 24-26, 28, 30, 31.
8 РАСПРЕДЕЛЕНИЕ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫСТУДЕНТОВ
ПО ФОРМАМ РАБОТЫ
Таблица 6
| № п/п | Вид самостоятельной работы | семестр | неде-ля | Кол-во часов в нед. | Рекоменд. лит-ра |
| Изучение теоретического материала | 2.1 | 1-31 | |||
| Подготовка к ПЗ | 1.9 | 3, 5, 15, 27 | |||
| Подготовка КР | 2.1 | 1, 8-14, 17, 24-26, 28, 30, 31 |