1. Укажите, какой формулой описывается коэффициент передачи по току h 21 Э биполярного транзистора?
| 1. | 2. | 3. | 4. |
| 
| 
| 
|
2. Укажите, какой из транзисторов n-типа
| 1. | 2. | 3. | 4. |
| 
| 
| 
|
3. Укажите, в какой схеме включения биполярного транзистора:
а) максимальное входное сопротивление:
| 1. | 2. | 3. |
| в схеме с ОЭ | в схеме с ОБ | в схеме с ОК |
б) максимальный коэффициент усиления по мощности:
| 1. | 2. | 3. |
| в схеме с ОЭ | в схеме с ОБ | в схеме с ОК |
4. Укажите порядок входного сопротивления полевых транзисторов, включенных по схеме с ОИ:
| 1. | 2. | 3. | 4. |
| Десятки-сотни ом | Десятки-сотни кил ом | Десятки-сотни мега ом | Десятки-сотни гига ом |
5. Укажите возможную максимальную частоту преобразования сигналов в устройствах на базе полевого транзистора:
с управляющим р-п - переходом:
| 1. | 2. | 3. | 4. |
| 500 МГц | 1…2 ГГц | 8…10 ГГц | 12…18 ГГц |
с изолированным затвором:
| 1. | 2. | 3. | 4. |
| 500 МГц | 1…2 ГГц | 8…10 ГГц | 12…18 ГГц |
6. Укажите номер стоко-затворной характеристики п -канального полевого транзистора:
p -канального полевого транзистора:
с управляющим р-n -переходом:
со встроенным каналом:
8.. Укажите, какая схема включения биполярного транзистора наиболее распространена?
| 1. | 2. | 3. | 4. |
| Схема с ОЭ | Схема с ОК | Схема с ОБ | Предпочтений нет |
9.. Укажите, какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными?
Малой инерционностью, обусловленной только процессами перезарядки его входной и выходной ёмкостей. В полевых транзисторах отсутствуют процессы накапливания и рассасывания объёмного заряда неосновных носителей, оказывающих заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов.
Пониженным выходным сопротивлением.
Высоким входным сопротивлением по постоянному току и высокой технологичностью.
Большим падением напряжения UСИ при коммутациях малых сигналов.
Большей температурной стабильностью его характеристик.
Пренебрежительно малым входным током, независящим от напряжения между затвором и истоком.
10. Укажите, в чём различие между транзисторами с управляющим р-п -переходом и МДП-транзисторами?
Характером изменения сечения проводящего канала: в транзисторе с р-п -переходом площадь поперечного сечения канала меняется за счёт изменения площади обеднённого слоя обратно включенного р-п -перехода, а в МДП-транзисторе сечение проводящего канала меняется за счёт изменения приповерхностного обогащённого носителями зарядов слоя или созданием и расширением возникающего инверсионного слоя в полупроводнике.
Полевые транзисторы с р-п -переходом работают только на обеднение канала носителями зарядов, а МДП-транзисторы работают всегда только на обогащение проводящего канала.
Максимальной границей частоты fm преобразования сигналов: для устройств на транзисторах с р-п -переходом частота fm = 12…18 ГГц, а для устройств на МДП-транзисторах fm = 1…2 ГГц.
Видом стоко-затворных характеристик: при нулевом напряжении на затворе у транзисторов с р-п -переходом ток стока максимальный, а у МДП-транзисторов – ток стока ничтожно малый.
11. Укажите, чем отличаются МДП- МОП-?
Материалом изоляции (диэлектрик или диоксид кремния) между затвором и каналом.
Материалом подложки (диэлектрик или двуокись кремния).
Конструкцией канала: в МДП-транзисторе встроенный канал, а в МОП-транзисторе - изолированный.
Степенью обогащения канала: в МДП-транзисторе канал обеднен носителями заряда, а в МОП-транзисторе обогащён ими.