Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

Лабораторная работа №3

Исследование биполярного транзистора

Выполнил

Проверил

Сумы 2017

Цель: Исследовать зависимость тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер; работу в режиме отсечки, получить входные и выходные ВАХ, проанализировать зависимость коеффициента усиления по постоянному току от тока коллектора, определить коеффициент передачи по переменному току.

Ход работы

Эксперимент 1. Определение статиче­ского коэффициента передачи тока транзистора.

а). Открыть файл с10_001 со схемой, изо­браженной на рис.

Рис. 10.1

Включить схему, заранее выбрав транзистор. Записать результаты измерения тока кол­лектора, тока базы и напряжения коллек­тор-эмиттер в раздел "Результаты экспе­риментов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент пе­редачи транзистора β_DC. Результат запи­сать в раздел "Результаты эксперимен­тов".

б). Изменить номинал источника ЭДС Е_Б до 2.68 В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и на­пряжения коллектор-эмиттер в раздел "Результаты экспериментов". По полученным результа­там подсчитать коэффициент β_DC- Ответ записать в раздел "Результаты экспериментов".

в). Изменить номинал источника ЭДС Е_к до 5 В. Запустить схему. Записать результаты измере­ния тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер в раздел "Результаты экспе­риментов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи тран­зистора β_DC. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов". Затем установить номинал Е_к равным 10 В.

Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.

На схеме рис. 10.1 изменить номинал источника ЭДС Е_в до 0 В. Включить схему. Записать ре­зультаты измерения тока коллектора для дан­ных значений тока базы и напряжения кол­лектор-эмиттер в раздел "Результаты экспе­риментов".

Эксперимент 3.. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ. а). В схеме (рис. 10.1) провести измерения то­ка коллектора I_К для каждого значения Е_к и Е_Б и заполнить таблицу 10.1 в разделе "Ре­зультаты экспериментов". По данным табли­цы построить график зависимости I_К от Е_к. б). Открыть файл с10_002 со схемой, изобра­женной на рис. 10.2. (выбрать транзистор согласно варианту)Включить схему. Зарисо­вать осциллограмму выходной характеристи­ки, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов". Повторить измерения для каждого значения Е_Б из таблицы 10.1. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовать в разделе "Результаты экспериментов" на одном графике.

в). По выходной характеристике найти коэффициент передачи тока β_АС при изменении базово­го тока с 10 μА до 30 μА, Е_к = 10 В. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".

Рис. 10.2

Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а). Открыть файл с10_001, выбрать транзистор в соответствии с вариантом (рис. 10.1). Установить значение напряжения ис­точника Ек равным 10 В и провести из­мерения тока базы IБ, напряжения ба­за-эмиттер UБЭ, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения ис­точника ЕБ в соответствии с таблицей 10.2 в разделе "Результаты экспери­ментов". Обратить внимание, что кол­лекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

Рис. 10.3

б). В разделе "Результаты эксперимен­тов" по данным таблицы 10.2 построить график зависимости тока базы от на­пряжения база-эмиттер.

в). Открыть файл с10_001 со схемой, изображенной на рис. 10.3. Включить схему. Зарисовать вход­ную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов".

г). По входной характеристике найти сопротивление rвх при изменении базового тока с 10 μA до 30 μА. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".