Для своей работы требуют внешней подсветки индикаторы
- полупроводниковые
- газоразрядные
+ жидкокристаллические
- накальные
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
В приборах, изображенных на рисунке, количество электрических переходов (p-n-переходов) 
- два
- три
+ один
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Прибор, условное обозначение которого изображено на рисунке, относится к разряду 
- фотоприемников
+ индикаторов
- оптронов
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Одна из вольт-амперных характеристик, изображенных на рисунке принадлежит инфракрасному диоду. Укажите номер характеристики, соответствующей этому излучателю. 
+ ВАХ №1
- ВАХ №2
- ВАХ №3
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Конструкция индикатора, позволяющая воспроизводить все буквы алфавита, называется
- сегментной
- многоразрядной сегментной
- знаковой
+ матричной
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Внутри индикатора, изображенного на рисунке, 
- лампы накаливания
+ светодиоды
- фотодиоды
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На индикаторе, представленном на рисунке, высветилась буква. P-N-переходы засветившихся диодов были
+ включены в прямом направлении
- включены в обратном направлении
- выключены
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
В инжекционном светодиоде происходят следующие преобразования энергии:
+электрическая - в энергию некогерентного светового излучения
-световая в электрическую
-электрическая в световую - световая в электрическую
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображены вольт-амперные характеристики светодиодов, выполненных из: SiC, GаAs, GaP. Укажите № кривой, соответствующей светодиоду из SiC. (∆W GaAs =1.43 эВ, ∆W GaР =2.26 эВ, ∆W SiC =2.39 эВ) 
|
|
- кривая 1
- кривая 2
+ кривая 3
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите номер рисунка, на котором изображена вольт-амперная характеристика светодиода. 
+ рисунок №1
- рисунок №2
- рисунок №3
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Природа светового излучения
+двойственная: квантово-волновая
-квантовая
-волновая
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите номер рисунка, на котором изображено условное обозначение светодиода 
- №1
- №2
- №3
+ №4
- №5
- №6
- №9
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображены вольт-амперные характеристики светодиодов, выполненных из: SiC, GаAs, GaP. Укажите № кривой, соответствующей излучающему диоду из GaAs. (∆W GaAs =1.43 эВ, ∆W GaР =2.26 эВ, ∆W SiC =2.39эВ) 
+ кривая №1
- кривая №2
- кривая №3
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображены вольт-амперные характеристики светодиодов, выполненных из: SiC, GаAs, GaP. Укажите № кривой, соответствующей излучающему диоду из GaР. (∆W GaAs =1.43 эВ, ∆W GaР =2.26 эВ, ∆W SiC =2.39эВ)
- кривая №1
+ кривая №2
- кривая №3
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Ширина запрещенной зоны полупроводника, из которого можно сделать светодиод, должна быть
-больше 3 эВ
+больше 1,7 эВ
-больше 1,2 эВ
-больше 0,7 эВ
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Для того, чтобы светодиод засветился, его включают в электрическую цепь
+ в прямом направлении
- в обратном направлении
- в любом направлении
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Полупроводниковый прибор, в котором при прохождении электрического тока генерируется оптическое излучение называется
|
|
- оптрон
- фототранзистор
- фотодиод
+ излучающий диод
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Энергия кванта излучения (фотона) зависит
-от интенсивности светового потока
+от частоты излучения
-от количества квантов, излученных в единицу времени
##theme 3
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Излучение в лазерах
+когерентное
-квази-когерентное
-некогерентное
##theme 3
##score 1
##type 1
##time 0:00:00