MIL–HDBK–217F
Декабря 1991
Взамен
MIL–HDBK–217E, Редакция 1
2 января 1990
Военный справочник
Прогнозирование надежности
электронного оборудования
Министерство обороны США
Введение
Прогнозирование на основе анализа нагрузки компонентов.
3.4.1. Применяемость – Этот метод применим, когда большая часть проекта завершена и перечень комплектующих изделий, включающий их нагрузки, определен. Он может быть так же использован на последующих стадиях проектирования, для нахождения компромиссов по надежности в зависимости от выбора компонентов и их нагрузок.
Разделы с 5 по 23 содержат модели интенсивностей отказов для обширного множества компонентов, используемых в электронном оборудовании. Компоненты сгруппированы по основным категориям, и где необходимо —по подкатегориям. Для механических и электромеханических компонентов, не вошедших в этот справочник, см. Библиография [20] и [36] (Приложение С).
Интенсивность отказов представлена применительно к оборудованию в нормальном рабочем состоянии, т.е. при включенном питании и при выполнении предназначенных функций, при предназначенных окружающих условиях.
Экстраполяции любых базовых моделей интенсивности отказов свыше указанных в таблице величин, таких как высокие и отрицательные температуры, электрические нагрузки свыше 1,0 или экстраполяции на другие связанные модификации моделей абсолютно недопустимы.
Базовые интенсивности отказов могут интерполироваться в диапазоне электрических нагрузок от 0 до 1, используя нижеприведенные соотношения.
Основная процедура определения уровня интенсивности отказов платы (или системы) заключается в суммировании индивидуальных интенсивностей отказов каждого компонента. Эта сумма затем дополняется интенсивностью отказов электрической платы (которая включает эффекты паяного соединения компонентов с платой), используя Раздел 16 «Межсоединения при сборке».
Для компонентов или проводов спаянных вместе (или для проволочных перемычек между двумя компонентами), должна использоваться модель соединения, приведенная в Разделе 17.
Окончательно, эффект соединения плат вместе рассчитывается путем добавления интенсивности отказов каждого соединенителя (разъема, клеммника и т.п., Раздел 15 «Соединители»).
Предполагается, что провода между соединителями имеют нулевую интенсивность отказов.
3.4.2. Качество компонентов – Качество компонентов имеет прямой эффект на интенсивность отказов и представлено в моделях компонентов как фактор pQ. Многие компоненты, включенные в спецификации, имеют несколько уровней качества, следовательно, компоненты, которые имеют величину pQ, определены по уровню качества. Такие компоненты с их кодами качества приведены в табл.3-1. Подробные требования к этим уровням ясно определены в спецификациях по применению, за исключением микросхем. Микросхемы имеют уровни качества, которые зависят от величины отбраковки по MIL-STD-883, которой они подвергаются.
Табл.3-1. Компоненты с многоуровневой спецификацией качества.
| Компонент | Код качества |
| Микросхемы | S, B, D-1 Другие: качество определяется уровнем отбраковки |
| Дискретные полупроводники | JANTXV, JANTX, JAN |
| Конденсаторы, установленная надежность(ER) | D, C, S, R, B, P, M, L |
| Резисторы, установленная надежность(ER) | S, R, P, M |
| Катушки, установленная надежность(ER) | S, R, P, M |
| Реле, установленная надежность(ER) | R, P, M, L |
Некоторые компоненты, описанные в старых спецификациях, обычно упоминаются как с «Неустановленной надежностью» (Noneestablished Reliability) (Non-ER), которые не имеют многоуровневых показателей качества. Модели этих компонентов имеют два кода уровней качества-«MIL-SPEC» и «Lower (Пониженный)». Если компонент используется в полном соответствии со спецификацией по применению, то должен использоваться pQ для MIL-SPEC. Если некоторые требования не выполняются, или если используются коммерческие компоненты, то должен использоваться pQ для «Lower».
3.4.3. Окружающая среда использования — Все надежностные модели компонентов учитывают эффект воздействия окружающей среды посредством фактора pE, за исключением эффектов от ионизирующей радиации. Описания этих окружающих сред приведены в табл.3-2. Фактор pE количественно определен для каждой модели интенсивности отказов. Эти окружающие среды использования охватывают основные области применения оборудования. Некоторое оборудование может подвергаться воздействию более чем одного вида окружающей среды в процессе нормальной эксплуатации, как, например, оборудование космических аппаратов. В этом случае анализ надежности следует сегментировать - для этапов выведения и спуска использовать условия Missile Launch (ML), и условия Space Flight (SF) – для орбитального полета.
Табл.3-2. Символы окружающей среды и описание.
| Окружающая среда | pЕ символ | Описание |
| Наземная, благоприятная | GB | Немобильное, температура и влажность регулируемые, оборудование легко доступное к обслуживанию; включает лабораторное измерительное и испытательное оборудование, медицинское электронное оборудование, деловые и научные компьютерные комплексы и пусковое и подготовительное оборудование в наземных бункерах |
| Наземная фиксированная (закрепленная) | GF | Умеренно регулируемые факторы окружающей среды, такие как в установках в постоянных стойках с соответствующим воздушным охлаждением и возможные установки в необогреваемых зданиях; включает постоянные установки радарных станций управления воздушным движением и предприятий связи. |
| Наземная, мобильная | GM | Оборудование, устанавливаемое на колесных или гусеничных тележках и оборудование ручной транспортировки; включает тактическое, пусковое и проверочное оборудование наземных комплексов, мобильное связное оборудование, тактические огневые установки и системы, носимое оборудование связи, лазерные прицелы и дальномеры. |
| Военно-морская, закрытая | NS | Включает закрытые или подпалубные условия на надводных судах и оборудование, установленное на подводных лодках. |
| Военно-морская, неукрытая | NU | Незащищенное палубное оборудование под воздействием погодных условий и оборудование, погруженное в соленую воду. Включает: гидрокатеры и оборудование установленное на подводных крыльях судов. |
| Летательные аппараты, обитаемые, грузовые | AIC | Типовые условия в грузовых отсеках, которые могут быть заняты экипажем. Воздействия давления, температуры, ударов и вибрации— минимальные. Например: самолеты дальнего действия, такие как С130, С5, В52 и С141. Эта категория также применяется для обитаемых отсеков небольших самолетов с более низкими характеристиками, таких как Т38. |
| Летательные аппараты, обитаемые, истребители | АIF | То же самые, что и AIC, но оборудование установленное на самолетах с высокими характеристиками, таких истребители и перехватчики. Например: самолеты F15; F16; F111; F/A18 и А10. |
| Летательные аппараты, необитаемые, грузовые | AUC | Отсеки с неконтролируемой внешней средой, которые недоступны для экипажа. Воздействия давления, температуры и ударов могут быть сильными. Например: необитаемые отсеки самолетов дальнего действия С130, С5, В52 и С141, а также необитаемые отсеки небольших самолетов типа Т38. |
| Летательные аппараты, необитаемые, истребители | AUF | То же, что и AUC, но оборудование установленное на истребителях и перехватчиках. Например, самолеты F15; F16; F111 и A10. |
| Летательные аппараты, винтокрылые | ARW | Оборудование, установленное на вертолетах. Применяется как для внутренне-, так и внешне-монтируемого оборудования, такого как лазерные прицелы и связное оборудование. |
| Космические аппараты, летающие | SF | Околоземные орбиты. Приближаются к благоприятным наземным условиям. Аппараты с неработающими двигателями и невходящие в плотные слои атмосферы; включающие спутники и шаттлы. |
| Снаряды (ракеты) летающие | MF | Условия, относящиеся к активному полету воздушно-реактивных снарядов, маршевых снарядов и снарядов в свободном полете. |
| Снаряды запускаемые (стреляемые) | ML | Суровые условия, относящиеся к запускаемым (стреляющим) снарядам (воздушным, наземным и морским), космическим орбитальным ракетоносителям и аппаратам, спускаемым и приземляющимся на парашюте. Также применяется к активному полету твердотопливных ракет, торпедам и снарядам, запускаемым с подводных лодок. |
| Пушки, стреляющие | CL | Чрезвычайно суровые условия, относящиеся к стрельбе из пушек 155 мм и 5 дюймовыми снарядами. Условия, воздействующие на снаряд от момента выстрела до попадания в цель. |
3.4.4. Модели интенсивности отказов компонентов— Модели интенсивности отказов для микроэлектронных компонентов значительно отличаются от моделей других компонентов и полно представлены в Разделе 5.0. Типовым примером для модели, используемой для большинства других видов компонентов, является следующая модель для дискретных полупроводников:
lP = lb·pT·pA·pR·pS·pC·pQ·pE
где:
lP – интенсивность отказов компонента;
lb – базовая интенсивность отказов, обычно выраженная моделью отношения к влиянию электрических и температурных нагрузок на компонент;
pE и другие p-факторы – базовые интенсивности отказов для категорий окружающей среды применения и других параметров, которые влияют на надежность компонентов.
Факторы pE и pQ используются для большинства моделей, а другие p - факторы — только для специальных моделей. Применимость p - факторов определена в каждом разделе.
3.4.5. Температурные аспекты – Использование этого метода прогнозирования требует определения температур, которым подвергаются компоненты. Поскольку надежность компонентов сильно зависти от температуры, то температурный анализ любого устройства должен достоверно точно дать окружающую температуру необходимую для использования в моделях компонентов.
5.1. Микросхемы, затворно-логические матрицы и микропроцессоры.
λp = (C1·pT + C2·pE)·pQ·pL Отказов/106 час
С1—комплексная интенсивность отказов для биполярных цифровых и линейных затворно-логических матричных кристаллов
| Цифровые | Линейные | PLA / PAL | |||
| Число затворов | С1 | Число транзисторов | С1 | Число затворов | С1 |
| 1—100 | 0,0025 | 1—100 | 0,010 | 1—200 | 0,010 |
| 101—1000 | 0,0050 | 101—300 | 0,020 | 201—1000 | 0,021 |
| 1001—3000 | 0,010 | 301—1000 | 0,040 | 1001—5000 | 0,042 |
| 3001—10000 | 0,020 | 1001—10000 | 0,060 | ||
| 10001—30000 | 0,040 | ||||
| 30001—60000 | 0,080 |
С1—комплексная интенсивность отказов для MOS-цифровых и линейных затворно-логических матричных кристаллов
| Цифровые | Линейные | PLA / PAL | |||
| Число затворов | С1 | Число транзисторов | С1 | Число затворов | С1 |
| 1—100 | 0,010 | 1—100 | 0,010 | 1—200 | 0,00085 |
| 101—1000 | 0,020 | 101—300 | 0,020 | 201—1000 | 0,0017 |
| 1001—3000 | 0,040 | 301—1000 | 0,040 | 1001—5000 | 0,0034 |
| 3001—10000 | 0,080 | 1001—10000 | 0,060 | 5001—20000 | 0,0068 |
| 10001—30000 | 0,16 | ||||
| 30001—60000 | 0,29 |
Микропроцессоры
С1—комплексная интенсивность отказов кристалла
| Число бит | Биполярные | MOS |
| С1 | С1 | |
| До 8 | 0,060 | 0,14 |
| До 16 | 0,12 | 0,28 |
| До 32 | 0,24 | 0,56 |
Все другие параметры модели
| Параметр | Ссылка |
| pT | Раздел 5.8 |
| C2 | Раздел 5.9 |
| pE,·pQ, pL | Раздел 5.10 |
5.8. Температурный фактор для всех микросхем—pT
| TTL, ASTTL, CML, HTTL, FTTL | Цифровые MOS, VHSIC CMOS | Линейные (биполярные и MOS) | |
| Ea (eV) | 0,4 | 0,35 | 0,65 |
| Tj (oC) | |||
| 0,10 | 0,10 | 0,10 | |
| 0,13 | 0,13 | 0,15 | |
| 0,17 | 0,16 | 0,23 | |
| 0,21 | 0,19 | 0,34 | |
| 0,27 | 0,24 | 0,49 | |
| 0,33 | 0,29 | 0,71 | |
| 0,42 | 0,35 | 1,0 | |
| 0,51 | 0,42 | 1,4 | |
| 0,63 | 0,50 | 2,0 | |
| 0,77 | 0,6 | 2,8 | |
| 0,94 | 0,71 | 3,8 | |
| 1,1 | 0,84 | 5,2 | |
| 1,4 | 0,98 | 7,0 | |
| 1,6 | 1,1 | 9,3 | |
| 1,9 | 1,3 | ||
| 2,3 | 1,5 | ||
| 2,7 | 1,8 | ||
| 3,2 | 2,1 | ||
| 3,7 | 2,4 | ||
| 4,3 | 2,7 | ||
| 3,1 | |||
| 5,8 | 3,5 | ||
| 6,7 | 3,9 | ||
| 7,7 | 4,4 | ||
| 8,8 | 5,0 | ||
| 5,6 | |||
| 6,3 | |||
| 7,0 | |||
| 7,8 | |||
| 8,7 | |||
| 9,6 |
Ea- эффективная энергия активации (eV) (см. выше);
Tj - наихудшее значение температуры перехода;
Tj = Tc + P·Θjc;
Tc—температура корпуса (оС);
Р—рассеиваемая мощность (Вт);
Θjc—тепловое сопротивление переход-корпус.
5.9. Микросхемы, С2 таблица для всех
C2—интенсивность отказов корпусов для всех микросхем
| Тип корпуса | |||||
| Количество функционал. (выводов), Np | Герметизация: DIP пайкой или сваркой SMT (выводные, безвыводные)(1) | DIP со стеклянной герметизацией(2) | Плоские с аксиальными выводами на 50 мм центрах (3) | Контейнеры (4) | Негерметичные DIP, PGA, SMT (выводные и безвыводные)(5) |
| 0,00092 | 0,00047 | 0,00022 | 0,00027 | 0,0012 | |
| 0,0013 | 0,00073 | 0,00037 | 0,00049 | 0,0016 | |
| 0,0019 | 0,0013 | 0,00078 | 0,0011 | 0,0025 | |
| 0,0026 | 0,0021 | 0,0013 | 0,0020 | 0,0034 | |
| 0,0034 | 0,0029 | 0,0020 | 0,0031 | 0,0043 | |
| 0,0041 | 0,0038 | 0,0028 | 0,0044 | 0,0053 | |
| 0,0048 | 0,0048 | 0,0037 | 0,0060 | 0,0062 | |
| 0,0056 | 0,0059 | 0,0047 | 0,0079 | 0,0072 | |
| 0,0064 | 0,0071 | 0,0058 | 0,0082 | ||
| 0,0079 | 0,0096 | 0,0083 | 0,010 | ||
| 0,0087 | 0,011 | 0,0098 | 0,011 |
(1) C2 = 2,8 ´ 10-4(NP)1,08 (2) C2 = 9,0 ´ 10-5(NP)1,51
(3) C2 = 3,0 ´ 10-5(NP)1,82 (4) C2 = 3,0 ´ 10-5(NP)2,01
(5) C2 = 3,6 ´x 10-4(NP)1,08
Примечания:
1. SMT - технология поверхностного монтажа.
2. DIP - корпус в двойную линию.
3. Если неизвестен тип герметизации DIP корпуса, то следует принимать герметизацию- стеклом
5.10. Микросхемы, табл. pЕ, pL и pQ для всех типов
Фактор окружающей среды - pЕ
| Окружающая среда | pЕ |
| GB | 0,50 |
| GF | 2,0 |
| GM | 4,0 |
| NS | 4,0 |
| NU | 6,0 |
| AIC | 4,0 |
| АIF | 5,0 |
| AUC | 5,0 |
| AUF | 8,0 |
| ARW | 8,0 |
| SF | 0,50 |
| MF | 5,0 |
| ML | |
| CL |
Обучающий фактор - pL
| Годы выпуска продукции | pL |
| £ 0,1 | 2,0 |
| 0,5 | 1,8 |
| 1,0 | 1,5 |
| 1,5 | 1,2 |
| ³2,0 | 1,0 |
pL = 0,01·еxp(5,35 – 0,35Y)
Y—количество лет выпуска изделий данного типа
Фактор качества - pQ
| Класс (описание см. табл. 3-1) | pQ |
| Класс S | 0,25 |
| Класс B | 1,0 |
| Класс B-1 | 2,0 |
| Другие коммерческие и с неизвестным уровнем выборки | 10,0 |
6.1. Диоды низкочастотные
Описание: Низкочастотные диоды: обычные аналоговые, импульсные, с быстрым восстановлением, силовые выпрямительные, ограничительные, регуляторы тока и напряжения, опорные.
lP = lb × pT × pS × pC × pQ × pE Отказов / 106 час
Базовая интенсивность отказов - lb
| Тип диода / Применение | lb |
| Обычные аналоговые | 0,0038 |
| Импульсные | 0,0010 |
| Силовые выпрямительные с быстрым восстановлением | 0,069 |
| Силовые выпрямительные, Шоттки мощные | 0,0030 |
| Силовые выпрямительные высоковольтные столбы | 0,0050/переход |
| Ограничители напряжения / варисторы | 0,0013 |
| Регуляторы тока | 0,0034 |
| Регуляторы напряжения, опорные (лавинные и зенеровские) | 0,0020 |
Температурный фактор - pT
(Обычные аналоговые, импульсные, с быстрым восстановлением, силовые выпрямительные, ограничители напряжения)
| TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT |
| 1.0 | 5.0 | ||||
| 1.2 | 5.7 | ||||
| 1.4 | 6.4 | ||||
| 1.6 | 7.2 | ||||
| 1.9 | 8.0 | ||||
| 2.2 | 9.0 | ||||
| 2.6 | |||||
| 3.0 | |||||
| 3.4 | |||||
| 3.9 | |||||
| 4.4 |
TJ— температура перехода
Температурный фактор — pT
(Регуляторы напряжения, опорные и регуляторы тока)
| TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT |
| 1.0 | 2.7 | 5.7 | |||
| 1.1 | 3.0 | 6.0 | |||
| 1.2 | 3.2 | 6.4 | |||
| 1.4 | 3.4 | 6.7 | |||
| 1.5 | 3.7 | 7.1 | |||
| 1.6 | 3.9 | 7.5 | |||
| 1.8 | 4.2 | 7.9 | |||
| 2.0 | 4.5 | 8.3 | |||
| 2.1 | 4.8 | 8.7 | |||
| 2.3 | 5.1 | ||||
| 2.5 | 5.4 |
Фактор электрической загрузки - pS
| Загрузка | pS |
| Ограничители напряжения, регуляторы напряжения, опорные, регуляторы тока | 1,0 |
| Все остальные: | |
| VS ≤ 0,30 | 0,054 |
| 0,3 < VS ≤ 0,40 | 0,11 |
| 0,4 < VS ≤ 0,50 | 0,19 |
| 0,5 < VS ≤ 0,60 | 0,29 |
| 0,6 < VS ≤ 0,70 | 0,42 |
| 0,7 < VS ≤ 0,80 | 0,58 |
| 0,8 < VS ≤ 0,90 | 0,77 |
| 0,9 < VS ≤ 1,00 | 1,0 |
Для всех остальных, исключая ограничители напряжения, регуляторы напряжения, опорные или регуляторы тока:
pS = 0,054 (VS £ 0,3)
pS = VS 2.43 (0,3 < VS £ 1)
VS = коэффициент загрузки = Рабочие напряжение/Установленная норма
Напряжение - это обратное напряжение на диоде
Фактор конструкции контактов - pC
| Конструкция контактов | pC |
| Металлически соединенные | 1,0 |
| Неметаллические соединенные и пружинные | 2,0 |
Фактор качества - pQ
| Качество | pQ |
| JANTXV | 0,7 |
| JANTX | 1,0 |
| JAN | 2,4 |
| Пониженное | 5,5 |
| Пластмасса | 8,0 |
Фактор окружающей среды - pЕ
| Окружающая среда | pЕ |
| GB | 1,0 |
| GF | 6,0 |
| GM | 9,0 |
| NS | 9,0 |
| NU | |
| AIC | |
| АIF | |
| AUC | |
| AUF | |
| ARW | |
| SF | 0,50 |
| MF | |
| ML | |
| CL |
6.3. Транзисторы, низкочастотные, биполярные
(NPN, PNP, f < 200МГц)
lP = lb × pТ × pА × pR × pS × pQ ×pE Отказов / 106 час
Базовая интенсивность отказов - lb
| Тип | lb |
| NPN и PNP | 0,00074 |
Температурный фактор — pT
| TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT |
| 1,0 | 3,0 | 6,8 | |||
| 1,1 | 3,3 | 7,2 | |||
| 1,3 | 3,6 | 7,7 | |||
| 1,4 | 3,9 | 8,1 | |||
| 1,6 | 4,2 | 8,6 | |||
| 1,7 | 4,5 | 9,1 | |||
| 1,9 | 4,8 | 9,7 | |||
| 2,1 | 5,2 | ||||
| 2,3 | 5,6 | ||||
| 2,5 | 5,9 | ||||
| 2,8 | 6,3 |
TJ— температура перехода (°С)
Фактор применения - pА
| Применение | pА |
| Линейный режим | 1,5 |
| Импульсный режим | 0,7 |
Фактор установленной мощности - pR
| Установленная мощность (Pr, Вт) | pR |
| Pr ≤ 0,1 | 0,43 |
| Pr = 0,5 | 0,77 |
| Pr = 1,0 | 1,0 |
| Pr = 5,0 | 1,8 |
| Pr = 10 | 2,3 |
| Pr = 50 | 4,3 |
| Pr = 100 | 5,5 |
| Pr = 500 |
pR = 0,43 при Pr £ 0,1; pR = Pr 0,37 при Pr ≥ 0,1
Фактор загрузки по напряжению - pS
| Прикладываемое VCE ∕ Номинальное VCEO | pS |
| 0 < VS ≤ 0,3 | 0,11 |
| 0,3 < VS ≤ 0,4 | 0,16 |
| 0,4 < VS ≤ 0,5 | 0,21 |
| 0,5 < VS ≤ 0,6 | 0,29 |
| 0,6 < VS ≤ 0,7 | 0,39 |
| 0,7 < VS ≤ 0,8 | 0,54 |
| 0,8 < VS ≤ 0,9 | 0,73 |
| 0,9 < VS ≤ 1,0 | 1,0 |
(0 <VS £ 1,0)
VS = Прикладываемое VCE / Номинальное VCEО
Фактор качества - pQ
| Качество | pQ |
| JANTXV | 0,7 |
| JANTX | 1,0 |
| JAN | 2,4 |
| Пониженное | 5,5 |
| Пластмасса | 8,0 |
Фактор окружающей среды - pЕ
| Окружающая среда | pЕ |
| GB | 1,0 |
| GF | 6,0 |
| GM | 9,0 |
| NS | 9,0 |
| NU | |
| AIC | |
| АIF | |
| AUC | |
| AUF | |
| ARW | |
| SF | 0,50 |
| MF | |
| ML | |
| CL |
6.4. Транзисторы, низкочастотные, полевые
N – канальные, P – канальные, Si FET (f ≤ 400 МГц)
lP = lb × pT × pA × pQ × pE Отказов / 106 час
Базовая интенсивность отказов - lb
| Тип транзистора | lb |
| MOSFET | 0,012 |
| JFET | 0,0045 |
Температурный фактор — pT
| TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT |
| 1.0 | 2.7 | 5.7 | |||
| 1.1 | 3.0 | 6.0 | |||
| 1.2 | 3.2 | 6.4 | |||
| 1.4 | 3.4 | 6.7 | |||
| 1.5 | 3.7 | 7.1 | |||
| 1.6 | 3.9 | 7.5 | |||
| 1.8 | 4.2 | 7.9 | |||
| 2.0 | 4.5 | 8.3 | |||
| 2.1 | 4.8 | 8.7 | |||
| 2.3 | 5.1 | ||||
| 2.5 | 5.4 |
TJ— температура перехода (°С)
Фактор качества - pQ
| Качество | pQ |
| JANTXV | 0,7 |
| JANTX | 1,0 |
| JAN | 2,4 |
| Пониженное | 5,5 |
| Пластмасса | 8,0 |
Фактор применения - pА
| Применение (Pr – установленная выходная мощность) | pА |
| Линейный режим (Pr< 2Вт) | 1,5 |
| Переключение малых сигналов | 0,7 |
| Мощные FET (нелинейный режим, Pr ≥ 2Вт) | |
| 2 ≤ Pr < 5 Вт | 2,0 |
| 5 ≤ Pr < 50 Вт | 4,0 |
| 50 ≤ Pr < 250 Вт | 8,0 |
| Pr ≥ 250 Вт |
Фактор окружающей среды - pЕ
| Окружающая среда | pЕ |
| GB | 1,0 |
| GF | 6,0 |
| GM | 9,0 |
| NS | 9,0 |
| NU | |
| AIC | |
| АIF | |
| AUC | |
| AUF | |
| ARW | |
| SF | 0,50 |
| MF | |
| ML | |
| CL |
6.10. Тиристоры и триаки.
lP = lb × pT × pR ×pS ×pQ × pE Отказов / 106 час
Базовая интенсивность отказов - lb
| Тип устройства | lb |
| Все типы | 0,0022 |
Температурный фактор — pT
| TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT |
| 1,0 | 5,0 | ||||
| 1,2 | 5,7 | ||||
| 1,4 | 6,4 | ||||
| 1,6 | 7,2 | ||||
| 1,9 | 8,0 | ||||
| 2,2 | 8,9 | ||||
| 2,6 | 9,9 | ||||
| 3,0 | |||||
| 3,4 | |||||
| 3,9 | |||||
| 4,4 |
TJ— температура перехода (°С)
Фактор допустимого тока - pR
| Допустимый прямой ток Ifrms, А | pR |
| 0,05 | 0,30 |
| 0,10 | 0,40 |
| 0,50 | 0,76 |
| 1,0 | 1,0 |
| 5,0 | 1,9 |
| 2,5 | |
| 3,3 | |
| 3,9 | |
| 4,4 | |
| 4,8 | |
| 5,1 | |
| 5,5 | |
| 5,8 | |
| 6,0 | |
| 6,3 | |
| 6,6 | |
| 6,8 | |
| 7,0 | |
| 7,2 | |
| 7,4 | |
| 7,6 | |
| 7,8 | |
| 7,9 |
Ifrms —действующее номинальное значение прямого тока
Фактор загрузки по напряжению - pS
| VS (прикладываемое напряжение ∕ номинальное напряжение) | pS |
| VS ≤ 0,3 | 0,10 |
| 0,3 < VS ≤0,4 | 0,18 |
| 0,4 < VS ≤0,5 | 0,27 |
| 0,5 < VS ≤0,6 | 0,38 |
| 0,6 < VS ≤ 0,7 | 0,51 |
| 0,7 < VS ≤0,8 | 0,65 |
| 0,8 < VS ≤ 0,9 | 0,82 |
| 0,9 < VS ≤ 1,0 | 1,0 |
pS = 0,10 для (VS £ 0,3); pS = (VS)1,9 для (VS > 0,3)
Фактор качества - pQ
| Качество | pQ |
| JANTXV | 0,7 |
| JANTX | 1,0 |
| JAN | 2,4 |
| Пониженное | 5,5 |
| Пластмасса | 8,0 |
Фактор окружающей среды - pЕ
| Окружающая среда | pЕ |
| GB | 1,0 |
| GF | 6,0 |
| GM | 9,0 |
| NS | 9,0 |
| NU | |
| AIC | |
| АIF | |
| AUC | |
| AUF | |
| ARW | |
| SF | 0,50 |
| MF | |
| ML | |
| CL |
6.11. Оптроны, детекторы, изоляторы, излучатели.
Фотодетекторы, опто-изоляторы, излучатели.
lP = lb × pT × pQ × pE Отказов / 106 час
Базовая интенсивность отказов - lb
| Тип оптрона | lb |
| Фотодетекторы: | |
| Фото-транзистор | 0,0055 |
| Фото-диод | 0,0040 |
| Опто-изоляторы: | |
| Фотодиодный выход | 0,0025 |
| Фототранзисторный выход | 0,013 |
| Фотодарлингтоновский выход | 0,013 |
| Светочувствительный резистор выход | 0,0064 |
| Фотодиодная пара, выход | 0,0033 |
| Фототранзисторная пара, выход | 0,017 |
| Фотодарлингтоновская пара, выход | 0,017 |
| Светочувствительный резистор, пара, выход | 0,0086 |
| Излучатели: | |
| Инфракрасный излучающий диод | 0,0013 |
| Светоизлучающий диод | 0,00023 |
Температурный фактор — pT
| TJ(°С) | pT | TJ(°С) | pT |
| 1,0 | 3,8 | ||
| 1,2 | 4,3 | ||
| 1,4 | 4,8 | ||
| 1,6 | 5,3 | ||
| 1,8 | 5,9 | ||
| 2,1 | 6,6 | ||
| 2,4 | 7,3 | ||
| 2,7 | 8,0 | ||
| 3,0 | 8,8 | ||
| 3,4 |
TJ— температура перехода (°С)
Фактор качества - pQ
| Качество | pQ |
| JANTXV | 0,7 |
| JANTX | 1,0 |
| JAN | 2,4 |
| Пониженное | 5,5 |
| Пластмасса | 8,0 |
Фактор окружающей среды - pЕ
| Окружающая среда | pЕ |
| GB | 1,0 |
| GF | 2,0 |
| GM | 8,0 |
| NS | 5,0 |
| NU | |
| AIC | 4,0 |
| АIF | 6,0 |
| AUC | 6,0 |
| AUF | 8,0 |
| ARW | |
| SF | 0,50 |
| MF | 9,0 |
| ML | |
| CL |
9.1 Резисторы, постоянные, композиционные
ТипОписание
RCR Резистор