1. Площади эмиттерного (Sэп) и коллекторного (Sкп) переходов в биполярном транзисторе связаны соотношением:
1. Sэп = Sкп. 2. Sэп.>Sкп. 3. Sэп < Sкп.
2. В транзисторе ток эмиттера Iэ=10мА, Iб=100мкА. Найти Iк, α, β:
1. Iк=9,9мА, α=0,99, β=99. 2.Iк=9,9мА, α=0,9, β=100.
3. Iк=110мкА, α=0,999, β=999. 4. Iк=10,1мА, α=0,99, β=99. 5.Iк=90мА, α=0,9, β=9.
3. В транзисторе ток коллектора Iк=9.9mА, Iб=100мкА. Найти Iэ, α, β:
1. Iэ=10мА, α=0,99, β=99. 2.Iэ=9,8мА, α=0,9, β=100. 3. Iэ=110мкА, α=0,999, β=999. 4. Iэ=90мкА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.
4. В транзисторе ток эмиттера Iэ=10мА, α=0.99,. Найти Iк, Iб, β:
1. Iк=10,1мА, Iб =1мА, β=99. 2. Iк=9,9мА, Iб=100мкА, β=99.
3. Iк=110мкА, Iб =100мкА, β=999. 4. Iк=90мкА, Iб=, β=0,1 5. Iк=90мА, α=0,9, β=9.
5. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, Iб=1мА. Найти Iк, α, β:
1. Iк=99мА, α=0,99, β=99.
2. Iк=99мА, α=0,9, β=100. 3. Iк=110мА, α=0,999, β=999.
4. Iк=101мА, α=0,99, β=99 5.Iк=90мА, α=0,9, β=9.
6. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, Iб=1мА. Найти Iэ, α, β:
1. Iэ=100мА, α=0,99, β=99.
2. Iэ=98мА, α=0,9, β=100. 3. Iэ=110мА, α=0,999, β=999.
4. Iэ=90мА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.
7. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, α=0.99,. Найти Iк, Iб, β:
1. Iк=101мА, Iб =1мА, β=99. 2. Iк=99мА, Iб=1мА, β=99.
3. Iк=110мА, Iб =1мА, β=999. 4. Iк=90мА, Iб=, β=0,1 5. Iк=90мА, α=0,9, β=9.
8. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, α =0.99. Найти Iэ, Iб, β:
1. Iэ=100мА, β=99., Iб =1мА.
2.Iэ=98мА, β=100., Iб =1мА. 3.Iэ=110мА, Iб =1мА β=999.
4.Iэ=90мА,, Iб =1,11мА, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.
9. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, β=99. Найти Iэ, α,. Iб:
1. Iэ=100мА, α=0,99, Iб =1мА. 2.Iэ=98мА, α=0,9, Iб =1мА 3.Iэ=110мА, Iб =1мА α=0,999, 4.Iэ=90мА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, Iб =1мА.
10. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, β=99,. Найти Iк, Iб, α:
1. Iк=100мА, Iб =1мА, α=0,99. 2. Iк=99мА, Iб=1мА, α=0,99.
3. Iк=110мА, Iб =1мА, α=0,999. 4. Iк=90мА, Iб =1мА, α=0,1 5. Iк=90мА, Iб =1.1мА, α=0,9.
11. При работе транзистора в активном режиме р-n переходы смещены так:
1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.
3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении.
4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении
12. При работе транзистора в режиме отсечки р-n переходы смещены так:
1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.
3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении.
4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении.
13. При работе транзистора в режиме насыщения р-n переходы смещены так:
1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.
3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении. 4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении.
14. При работе транзистора в инверсном режиме р-n переходы смещены так:
1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.
3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении. 4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении.
15. Вид входной ВАХ биполярного транзистора связан с движением:
1. основных носителей заряда.
2.неосновных носителей заряда. 3.электронов. 4. дырок.
16. Вид входной ВАХ биполярного транзистора в основном связан со свойствами р-п-перехода:
1. ЭП.
2. КП. 3. ЭК.
17. Вид выходной ВАХ биполярного транзистора в основном связан со свойствами р-п-перехода:
1. ЭП. 2. КП.
3. ЭК.
18. Вид выходной ВАХ биполярного транзистора определяет движением:
1.основных носителей заряда. 2.неосновных носителей заряда. 3.электронов. 4. дырок.
19. Биполярный транзистор- это прибор управляемый:
1.током.
2.напряжением. 3. электрически полем. 4.сопротивлением.
20. Наибольшим коэффициентом усиления по току обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:
1. с ОБ, 2.с ОЭ, 3.с ОК.
4.с ОЭ и ОК одинаково
21. Наибольшим коэффициентом усиления по мощности обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:
1. с ОБ, 2.с ОЭ,
3.с ОК 4.с ОЭ и ОК одинаково
22. Наименьшим коэффициентом усиления по току обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:
1. с ОБ,
2.с ОЭ, 3.с ОК 4.с ОЭ и ОК одинаково.
 |
23. Показать условное обозначение n – р - n транзистора (рис. 3.1):.
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
24. Показать условное обозначение р - n - р транзистора (рис. 3.1):.
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
|
25. Показать (рис. 3.1).условное обозначение статически индукционного транзистора (СИТ):
|
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
26.
|
Показать (рис. 3.1).условное обозначение биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
27. Основная причина зависимости параметров биполярного транзистора от температуры связана с:
1.Изменением собственной концентрации носителей заряда полупроводника.
2.Изменением концентрации носителей зарядов, обусловленных введением примесей.
3. Изменением коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
4. Изменением напряжения питания биполярного транзистора.
5. 1 и 3.
28. Показать (рис.3.2) графики входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ:
1. 2. 3. 4.
29. Показать (рис.3.2.) графики выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ:
 |
1. 2. 3. 4.
 |
30. Показать (рис.3.2.) графики входных входные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОБ:
1. 2. 3. 4.
31. Показать (рис.3.2.) графики выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОБ:
1. 2. 3. 4.
32. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р-п-р-типа в активном режиме по схеме ОЭ и показать направления токов:
1. 2. 3. 4.
33.. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа в активном режиме по схеме ОЭ и показать направления токов:
1. 2. 3. 4.
34.. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р-n-р-типа по схеме ОБ в активном режиме и показать направления токов:
1. 2. 3. 4.
35. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа по схеме ОБ в активном режиме и показать направления токов:
1. 2. 3. 4.
36. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа по схеме ОК в активном режиме и показать направления токов:
1. 2. 3. 4.
37. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р n-р-типа по схеме ОК в активном режиме и показать направления токов:
1. 2. 3. 4.
38. Входные сопротивления биполярного и полевого транзисторов находятся в соотношении:
1. RВХ.БТ =RВХ.ПТ. 2.. RВХ.БТ >RВХ.ПТ. 3.. RВХ.БТ <<RВХ.ПТ.
4.. RВХ.БТ >>RВХ.ПТ.. RВХ.БТ =RВХ.ПТ.
39. Выводы биполярного транзистора называют:
1. коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер.
4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.
40. Входная ВАХ биполярного транзистора с ОБ при обратном смещении КП смещается влево, вследствие:
1. сужения базы. 2. Расширения базы.
3. Учета падения напряжения на переходе БЭ от тока коллектора.
41. Входная ВАХ биполярного транзистора с ОЭ при обратном смещении КП смещается вправо, вследствие:
1. сужения базы. 2. Расширения базы.
3. Учета падения напряжения на переходе БЭ от тока коллектора.
42. Пробоем транзистора называют:
1. резкое возрастание коллекторного тока.
2. Сужение базы. 3. Расширение коллекторного перехода.
43. Усилительные параметры α и β при увеличении напряжения на коллекторном переходе:
1. возрастают. 2. Убывают. 3. Имеют максимум при определенном значении напряжения.
44. Усилительные параметры α и β при увеличении величины коллекторного тока:
1. возрастают. 2. Убывают. 3. Имеют максимум при определенном значении тока.
45. Инерционные свойства биполярного транзистора связаны с:
1. Перезарядом емкости ЭП и КП. 2. Конечным временем пролета области базы.
3. 1 и 2.
4. Конечным временем пролета коллекторного перехода.
46. Выходной ток при работе биполярного транзистора в активном режиме равен:
1. Iк=КIвх +Iко.
2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.. 4. Iэ=КIвх +Iко.
47. Выходной ток при работе биполярного транзистора в режиме отсечки равен:
1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко.
3. Iк=Iнас. 4. Iэ=КIвх +Iко.
48. Выходной ток при работе биполярного транзистора в режиме насыщения равен:
1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.
4. Iэ=КIвх +Iко.
49. Выходной ток при работе биполярного транзистора в инверсном режиме равен:
1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.. 4. Iэ=КIвх +Iко.
50. Эффект связанный с модуляцией ширины базы называют:
1. эффект Эрли.
2. Инжекция. 3. Экстракция. 4. Рекомбинация.
50. Эффект в результате которого, основные носители проходя через р-n-переход становятся неосновными называется:
1.Эрли. 2. Инжекция.
3. Экстракция. 4. Рекомбинация.
51. Эффект в результате которого, неосновные носители проходя через р-n- переход становятся основными называется:
1. Эрли. 2. Инжекция. 3. Экстракция.
4. Рекомбинация.
52. Носители заряда, определяющие тепловой ток коллекторного перехода возникают за счет:
1. эффекта Эрли. 2. Инжекции. 3. Экстракции. 4. Рекомбинации. 5. Термогенерации.
53. Инжекция связана с движением носителей заряда:
1. основных. 2. Неосновных. 3. Электронов. 4. дырок.
54. Экстракция связана с движением носителей заряда:
1. основных. 2. Неосновных. 3. Электронов. 4. дырок.
55. Формальную схему замещения транзистора составляют:
1. по физической модели транзистора. 2. По основным уравнениям четырехполюсника.
3. По математической модели транзистора.
56. Физическую схему замещения транзистора составляют:
1. по физической модели транзистора.
2. По основным уравнениям четырехполюсника. 3. По математической модели.
57. 
Показать на выходных биполярного транзистора ВАХ (рис.3.10) область насыщения.
1. 2. 3.
58. Показать на выходных ВАХ биполярного транзистора (рис.3.10) активную (линейную) область.
1. 2. 3.
59. Показать на выходных биполярного транзистора ВАХ (рис.3.10) область пробоя.
1. 2. 3.
60. Показать малосигнальную физическую схему замещения биполярного транзистора с ОБ:
1. 2. 3. 4.
61. Показать малосигнальную физическую схему замещения биполярного транзистора с ОЭ:
1. 2. 3. 4..
62. Показать малосигнальную формальную схему замещения биполярного транзистора с ОБ:
1. 2.. 3.. 4..
63. Показать малосигнальную формальную схему замещения биполярного транзистора с ОЭ:
1. 2.. 3.. 4.
64. Показать схему замещения биполярного транзистора Эберса-Молла:
1. 2. 3. 4.
Раздел 4. Полевые транзисторы
1. Полевой транзистор это прибор управляемый:
1. током. 2. Напряжением. 3. сопротивлением
2. Выводы полевого транзистора называют:
1. коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.
3. Выходной ток и управляющий сигнал в полевом транзисторе связаны соотношением:
1. Iвых=αIвх. 2. Iвых=βIвх. 3. Iвых=Ѕ Uвх. 4. Uвых=КUвх
4. В полевом транзисторе с р-n переходом затвор отделен от канала:
1. р - n переходом.
2. Металлом. 3. Диэлектриком. 4. Полупроводником.
5. В МДП полевом транзисторе с индуцированным каналом затвор отделен от канала:
1. р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком.
4. Полупроводником.
6. В МДП полевом транзисторе с встроенным каналом затвор отделен от канала:
1. р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком.
4. Полупроводником.
7. В полевых транзисторах с изолированным затвором канал отделен от затвора:
1. р - n переходом. 2. Металлом. 3. Диэлектриком. 4. Полупроводником.
8. Затвор в полевом транзисторе с р - n переходом выполнен из:
1.. Металла. 3. Диэлектрика. 4. Полупроводника.
9. Затвор в полевом транзисторе с индуцированным каналом выполнен из:
1.. Металла. 3. Диэлектрика. 4. Полупроводника.
10. Показать условное обозначение полевого транзистора с управляющим р - n переходом и n –каналом (рис. 3.1):
 |
1. 2. 3. 4.
5. 6. 7. 8.
11. Показать условное обозначение полевого транзистора с управляющим р - n переходом и р –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
12. Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с встроенным р –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.
8.
13. Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с встроенным n –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3.
4. 5. 6. 7. 8.
14. Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с индуцированным р –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3. 4. 5.
6. 7. 8.
|
15. Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с индуцированным n –каналом (рис. 3.1):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
16. Принцип работы полевого транзистора с р- n переходом состоит в:
1. зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
2. зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
3. зависимости длины канала от управляющего напряжения.
17. Принцип работы полевого МДП транзистора с встроенным каналом состоит в:
1. зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
2. зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
3. зависимости длины канала от управляющего напряжения.
18. Принцип работы полевого МДП транзистора с индуцированным каналом состоит в:
1. зависимости площади поперечного сечения канала от управляющего напряжения.
2. зависимости удельной проводимости канала от управляющего напряжения.
3. зависимости длины канала от управляющего напряжения.
19. Рабочим режимом работы полевого транзистора с р- n переходом является режим когда:
1. р- n переход смещен в прямом направлении. 2. р- n переход смещен в обратном направлении.
3. Напряжение на нем равно нулю.
20. Полевой МДП транзистора с встроенным каналом может работать в режиме:
1. обогащения. 2. Обеднения. 3. 1 и 2.
4. Когда р- n переход смещен в прямом направлении.
21. Полевой МДП транзистора с индуцированным каналом может работать в режиме:
1. обогащения.
2. Обеднения. 3. 1 и 2. 4. Когда р- n переход смещен в прямом направлении
22. Выходной ток полевого транзистора создают:
1. Только электроны. 2. Только дырки. 3. 1 или 2. 4. Основные носители заряда канала.
5. Неосновные носители заряда канала. 6. Основные носители заряда затвора. 7. Основные носители заряда затвора.
23.
 |  | ||
На выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область насыщения:
1. 2. 3.
24. На выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область пробоя:
1. 2. 3.
25. На выходных ВАХ (рис. 4.2.) показать область, где полевой транзистор работает как, переменное сопротивление (крутая область):
1. 2. 3.
26. Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) n-канального полевого транзистора с р- n переходом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
27. Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) полевого р-канального транзистора с р- n переходом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
28. Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с встроенным р –каналом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
29. Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с встроенным n –каналом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
30. Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с индуцированным р –каналом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
31. Показать передаточную ВАХ (рис. 4.3.) МДП полевого транзистора с индуцированным n –каналом:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
32. Ток стока, при напряжении отсечки, равен:
1. Iс=0. 2. Iс =Iс нас. 3. Iс= Iс.нас/2.
33. Ток стока, при напряжении насыщения, равен:
1. Iс=0. 2. Iс =Iс нас. 3. Iс= Iс нас/2.
34. В полевом транзисторе, при напряжении отсечки, смыкание канала происходит:
1. У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора.
35. В полевом транзисторе, при напряжении насыщении, смыкание канала происходит:
1. У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора
36. В полевом транзисторе, при напряжении сток-исток Uси (Uси нас < Uси <Uси мах), смыкание канала происходит:
1. У стока. 2. У истока. 3. В обьеме канала. 4. У затвора.
37. Ширина проводящей части канала полевого транзистора по его длине, когда Uси= 0:
1. одинакова.
2. Он сужен к истоку. 3. Он сужен к стоку.
4. Он сужен к затвору.
38. Ширина проводящей части канала полевого транзистора по его длине, когда Uси > 0:
1. одинакова. 2. Он сужен к истоку. 3. Он сужен в стоку.
4. Он сужен к затвору.
39. Полевой транзистор, работая на начальном (крутом) участке выходной ВАХ, можно использовать:
1. для усиления. 2. для выпрямления. 3. для частотной избирательности. 4. как переменный резистор.
40. Механизм движения зарядов в полевом МДП транзисторе с встроенным каналом:
1. дрейф.
2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.
41. Механизм движения зарядов в полевом транзисторе с р-n переходом:
1. дрейф. 2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.
40. Механизм движения зарядов в полевом МДП транзисторе с индуцированным каналом:
1. дрейф. 2 диффузия. 3. Дрейф и диффузия.
Раздел 5. Тиристоры
1. Тиристор предназначен для:
1. Усиления напряжения. 2. Переключения тока. 3. Элемента памяти. 4.Выпрямления.
2. Динистор имеет структуру:
1. p-n-p. 2. N-p-n. 3. P-n-p-n.
4. N-p-n-p-n.
3. Тиристор имеет структуру:
1. p-n-p. 2. N-p-n. 3. P-n-p-n. 4. N-p-n-p-n.
4. Симистор имеет структуру
1. p-n-p. 2. N-p-n. 3. P-n-p-n. 4. N-p-n-p-n.
5. Внутренние области тиристора называют:
1. анод. 2. Катод. 3. База. 4. Эмиттер. 5. Коллектор.
6. Выводы триодного тиристора называют:
1. коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Анод, катод, управляющий электрод.
7. Выводы диодного тиристора называют:
1. коллектор, база. 2. Анод, катод. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2.
5. Сток, исток, затвор.
8. Выводы диодного симистора называют:
1. коллектор, база. 2. Анод, катод. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2.
5. Сток, исток, затвор.
.
9. Выводы триодного симистора называют:
1. коллектор, база. 2. Анод, катод. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор. 6. Анод 1, анод 2, управляющий электрод.
10. Записать условие включения диодного тиристора:
1. Uак >Uак вкл.
2. Iуэ > Iуэ вкл. 3. Uак < Uак вкл 4. Iуэ < Iуэ вкл.
11. Записать условие выключения диодного тиристора:
1. Uак >Uак вкл 2. Iуэ > Iуэ вкл. 3. Uак < Uак вкл 4. Iуэ < Iуэ вкл. 5. Iа < Iудержания.
12. Записать условие включения триодного тиристора:
1. Uак >Uак вкл 2. Iуэ > Iуэ вкл. 3. Uак < Uак вкл 4. 1 или 2. 5. Iа < Iудержания.
13. Записать условие выключения триодного тиристора:
1. Uак >Uак вкл 2. Iуэ > Iуэ вкл. 3. Uак < Uак вкл 4. 1 и 2. 5. Iа < Iудержания.
14. Показать условно-графическое обозначение имеет динистор (рис.3.1.).
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.
15. Показать условно-графическое обозначение имеет тиристор (рис.3.1.).
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
9. 10.
16.
 |
Показать условно-графическое обозначение имеет диодный симистор (рис.3.1.):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
10.
17. Показать условно-графическое обозначение имеет триодный симистор (рис.3.1.):
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.
18. Показать ВАХ (рис. 5.3.) диодного тиристора:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
 |
19. Показать ВАХ (рис. 5.3.) триодного тиристора:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
20. Показать ВАХ (рис. 5.3.) диодного симистора:
1. 2. 3. 4. 5. 6.
21. Показать ВАХ (рис. 5.3.) триодного симистора:
1. 2. 3. 4. 5. 6.:
22.
Раздел 6. Оптоэлектронные приборы
1. Диапазон длин волн называют видимым когда:
1. λ>0,7мкм. 2.(0,3<λ<0,7)мкм. 3. 0,3<λмкм
2. Диапазон длин волн называют ультрафиолетовым когда:
1. λ>0,7мкм. 2.(0,3<λ<0,7)мкм. 3. 0,3<λмкм
3. Диапазон длин волн называют инфракрасным если:
1. λ>0,7мкм. 2.(0,3<λ<0,7)мкм. 3. 0,3<λмкм
4. Частицы – носители заряда в оптической цепи называют:
1. электроны. 2. Дырки. 3. фотоны.
5. Фотоны имеют электрический заряд:
1. положительный. 2. отрицательный. 3. Они электрически нейтральны.
6. Приборы, излучающие свет называют:
1.Светоизлучающие. 2. Фотоприемники. 3. Оптроны.
7. Приборы, преобразующие свет в электрический сигнал называют:
1.Светоизлучающие. 2. Фотоприемники. 3. Оптроны.
8. Приборы, преобразующие электрический сигнал в световой, а затем свет в электрический сигнал называют:
1. Светоизлучающие. 2. Фотоприемники. 3. Оптроны.
9. Принцип работы светоизлучающего диода:
1. внутренний фотоэффект. 2. внешний фотоэффект. 3. инжекционная люминесценция.
4. фотогальванический эффект.
10. Принцип работы фотодиода в фотодиодном режиме:
1. внутренний фотоэффект. 2. внешний фотоэффект. 3. инжекционная люминесценция. 4. фотогальванический эффект.
11. Принцип работы фотодиода в режиме фотоэлемента:
1. внутренний фотоэффект. 2. внешний фотоэффект. 3. инжекционная люминесценция. 4. фотогальванический эффект.
12. Принцип работы фотосопротивления:
1. внутренний фотоэффект. 2. внешний фотоэффект. 3. инжекционная люминесценция. 4. фотогальванический эффект.
13. Диапазон длин волн наиболее эффективно излучаемый ОЭП связан:
1. с шириной запрещенной зоны. 2. с концентрацией введенной примеси.
3. с величиной прямого или обратного тока. 4. со свойствами оптической системы фокусировки.
14. Цвет излучаемый ОЭП связан:
1. с шириной запрещенной зоны. 2. с концентрацией введенной примеси. 3. с величиной прямого или обратного тока. 4. со свойствами оптической системы фокусировки.
15. Диапазон длин волн наиболее эффективно поглащаемый ОЭП связан с:
1. с шириной запрещенной зоны. 2. с концентрацией введенной примеси. 3. с величиной прямого или обратного тока. 4. со свойствами оптической системы фокусировки.
16. Показать схему включения СИД:
1. 2. 3. 4.
17. Показать схему включения фотодиода в фотодиодном режиме и направление фототока:
1. 2. 3. 4. 5.
18. Показать схему включения фотодиода в фотогальваническом режиме и направление фототока:
1. 2. 3. 4. 5.
19. Показать условное обозначение СИД:
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
20. Показать условное обозначение фотодиода:
21. Показать условное обозначение фоторезистора:
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
23. Показать условное обозначение фототранзистора:
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
24. Показать условное обозначение фототиристора:
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
25. Показать условное обозначение диод-диодного оптрона:
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
26. Показать условное обозначение диод-транзисторного оптрона:
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
27. Показать условное обозначение диод-тиристорного оптрона:
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
28. Главное достоинство фототранзистора:
1. высокая фоточувствительность. 2. высокая граничная частота. 3.
29. Темновой ток в ОЭП связан с движением носителей заряда:
1. основныхми. 2. неосновных. 3. с 1 и 2.
30. Достоинством излучения лазерного диода является:
1. высокая частота. 2. высокая мощность. 3. малая мощность
31. Основное назначение оптрона:
1. Гальваническая развязка.
2. Усиление. 3. Детектирование. 4. Выпрямление.
Раздел 7. Усилители электрических сигналов
1. 
Записать выражение для коэффициента усиления усилителя по напряжению:
1.Кu=U2m/U1m.
1..Кu= U1m / U2 m.
2. 3..Кu=U2m/I1m.
3. 4..Кu=I2m/U1m
2. Искажения сигналов в усилителях состоят:
- В изменении формы сигнала в процессе усиления.
- В увеличении амплитуды сигнала в процессе усиления.
- В уменьшении амплитуды сигнала в процессе усиления.
3. Причина частотных искажений в усилителях:
1. Неравномерность АЧХ коэффициента усиления.
2. Нелинейность амплитудной характеристики.
3. Неравномерность ФЧХ коэффициента усиления.
4. Высокое значение к.п.д.
4. Причина фазовых искажений в усилителях:
1. Неравномерность АЧХ коэффициента усиления.
2. Нелинейность амплитудной характеристики.
3. Неравномерность ФЧХ коэффициента усиления.
4. Высокое значение к.п.д
5. Причина нелинейных искажений в усилителях:
1. Неравномерность АЧХ коэффициента усиления.
2. Нелинейность амплитудной характеристики.
3. Неравномерность ФЧХ коэффициента усиления.
5. Высокое значение к.п.д.
6. Гальваническую развязку между каскадами обеспечивает межкаскадная связь:
А) непосредственная; Б) RC-связь; В) трансформаторная; Г) оптронная.
1. А. 2. Б 3. В. 4. Г 5. В и Г.
7. В УПТ между каскадами применяется связь:
А) непосредственная; Б) RC-связь; В) трансформаторная; Г) оптронная.
1. А. 2. Б 3. В. 4. Г 5. В и Г. 6. А и Г.
8. В УПТ для гальванической развязке между каскадами применяется применяется связь: 1. непосредственная; 2. RC-связь; 3. трансформаторная; 4. оптронная.
1. 2. 3. 4. 5. 3 и 4.
9. В усилителях разделительные конденсаторы предназначены для:
- разделения каскадов по постоянной составляющей и связи каскадов по переменному току.
- разделения каскадов по переменному току и связи каскадов по постоянной составляющей.
- согласования каскадов по мощности.
- согласования с нагрузкой.
10. В усилительном каскаде коллекторное сопротивление предназначено для:
1. преобразования усиленного тока в усиленное напряжение.
2. согласования каскадов по мощности. 3. разделения каскадов по постоянной составляющей и связи каскадов по переменному току. 4. стабилизации рабочей точки по постоянной составляющей.
11. В усилительном каскаде эмиттерное сопротивление предназначено для:
1. преобразования усиленного тока в усиленное напряжение.
2. согласования каскадов по мощности. 3. разделения каскадов по постоянной составляющей и связи каскадов по переменному току. 4. стабилизации рабочей точки по постоянной составляющей.
12. В усилительном каскаде емкость в эмиттерной цепи предназначена для:
1. преобразования усиленного тока в усиленное напряжение.
2. согласования каскадов по мощности. 3. разделения каскадов по постоянной составляющей и связи каскадов по переменному току. 4. стабилизации рабочей точки по постоянной составляющей. 5. устранения отрицательной обратной связи в рабочем диапазоне частот
13. В усилительном каскаде разделительные конденсаторы влияние на АЧХ Кu оказывают в диапазоне:
- низких частот. 2. высоких частот. 3. средних частот. 4. низких и высоких частот.
14. В усилительном каскаде паразитная емкость влияние на АЧХ Кu оказывают в диапазоне:
1. низких частот. 2. высоких частот. 3. средних частот. 4. низких и высоких частот.
15. В усилительном каскаде рабочим считают диапазон частот:
1. низких. 2. высоких. 3. средних. 4. низких и высоких. 5. Тот, где Кu≥ Кumax/(21/2).
16. Особенность импульсных (широкополосных) усилителей:
1. узкий диапазон усиливаемых частот.
2. широкий диапазон усиливаемых частот.
3. большая выходная мощность.
17. Искажения создаваемые импульсным усилителем оценивают:
1. по АЧХ Кu.
2. по переходной характеристике.
18. Искажения усилительного каскада в области малых времен состоят:
1. в появлении фронта импульса;
2. В спаде плоской вершины; 3. В появлении выброса импульса; 4. В появлении задержки переднего фронта; 5. 1 и 4.
19. Искажения усилительного каскада в области малых времен создают:
1.инерционность транзистора;
2. Паразитная емкость;
3. Разделительные конденсаторы;
4. 1 и 2.
5. 2 и 3.
20. Искажения усилительного каскада в области больших времен состоят:
1. в появлении фронта импульса;
2. В спаде плоской вершины;
3. В появлении выброса импульса;
4. В появлении задержки переднего фронта;
5. 1 и 5.
21. Искажения усилительного каскада в области больших времен создают:
1.инерционность транзистора; 2. Паразитная емкость; 3. Разделительные конденсаторы;
4. 1 и 2. 5. 2 и 3.
22. Особенность избирательных усилителей:
1. узкий диапазон усиливаемых частот.
2. широкий диапазон усиливаемых частот.
3. большая выходная мощность.
23. Принципы построения схем избирательных усилителей:
1. с частотно зависимой нагрузкой.
2. с частотно зависимой обратной связью.
3. 1 и 2.
4. согласование по мощности с нагрузкой.
24. Частотная избирательность усилителей характеризуется:
1. крутизной АЧХ
2. максимальным значением частоты
3. минимальным значением частоты
г) крутизной ФЧХ
25. Преимущества двухтактной схемы усилителя по сравнению с однотактной:
- высокий К.П.Д. и малые нелинейные искажения.
- высокие нелинейные искажения и малый К.П.Д.
- высокий К.П.Д. и высокие нелинейные искажения.
- малый К.П.Д. и малые нелинейные искажения.
26. Причины дрейфа нуля в усилителях постоянного тока:
- зависимость параметров элементов от дестабилизирующих факторов.
- влияние входного сигнала.
- влияние обратной связи.
- влияние элементов связи между каскадами.
27. Перечислить основные параметры для усилителей мощности:
1. КПД, Рвых, КНИ.
2. Rвх, Рвых, Rвых. 3. КПД, Кu, fв.гр. 4. fв.гр., Рвых, Rвых.
28. Основные недостатки усилителя мощности класса А:
1. высокий КНИ
2. низкий КПД
3. высокий коэффициент частотных искажений
29. Усилители постоянного тока предназначены:
1. только для усиления постоянных сигналов
2. только для усиления переменных сигналов
3. для усиления как постоянных, так и переменных сигналов
30) «Дрейф нуля» это:
1. изменение входного напряжения при постоянстве его на выходе
2. изменение выходного напряжения при постоянстве его на входе
3. изменение входного тока при постоянстве его на выходе
4. изменение выходного тока при постоянстве его на входе
31. LC-усилители работают в диапазоне:
1. низкочастотном
2. СВЧ
3. радиочастотном 4. 2 и 3
32. Режим работы усилителя, при котором без искажения усиливаются обе полуволны входного сигнала:
1. класса А. 2. класса В 3. класса С. 4. класса АВ
33. Режим работы усилителя, при котором каждый из полупериодов входного сигнала усиливается отдельным активным элементом, а выходной сигнал получают их суммированием, называется режимом:
1. класса А. 2. класса В 3. класса С. 4. класса АВ
34. Отрицательная обратная связь в усилителях:
1. увеличивает коэффициент нелинейных искажений
2. увеличить коэффициент усиления усилителя.
3. уменьшить полосу пропускания усилителя
4. уменьшает коэффициент усиления усилителя.
35. Показать график АЧХ коэффициента усиления усилителя постоянного тока.
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
36. Показать график АЧХ коэффициента усиления усилителя низких частот
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
37 Показать график АЧХ коэффициента усиления широкополосного усилителя
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
38. Показать график АЧХ коэффициента усиления избирательного усилителя
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
39 Показать график переходной характеристики усилителя постоянного тока.
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
40. Показать график переходной характеристики усилителя низких частот.
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
41. Показать график переходной характеристики широкополосного усилителя.
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
42. Показать график переходной характеристики избирательного усилителя.
.
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8
43. С увеличением числа однотипных усилительных каскадов коэффициент усиления многокаскадного усилителя:
1. увеличивается;
2. уменьшается
3. остается неизменным.
44. С увеличением числа однотипных усилительных каскадов диапазон рабочих частот многокаскадного усилителя:
1. увеличивается;
2. уменьшается;
3. остается неизменным.
Раздел 8. ОУ и устройства на его основе
1..Перечислить свойства, которыми обладает идеальный операционный усилитель:
1. Коу=∞, Iвх.оу=0, Rвых=0, fгр=∞.
2. Коу=∞, Iвх.оу=0, Rвых=∞, fгр=0.
3. Коу=0, Iвх.оу=∞, Rвых=0, fгр=∞.
4. Коу=∞, Iвх.оу=0, Rвых=∞, fгр=∞.
1. Входы ОУ "виртуально замкнуты", т.е.:
1. Rвх=0, U+вх = U-вх 2. Rвх=∞, U+вх = U-вх
3. Rвх=∞, U+вх > U-вх 4. Rвх=0, U+вх < U-вх.
2. Коэффициент усиления ОУ (Коу) ≥ 1 в интервале частот:
1. 0 - fгр
2. 0 - f1
3.