При прохождении через какое-либо вещество ионизирующее излучение (α, р, у и рентгеновское) взаимодействует с атомами вещества, вследствие чего, частично или полностью, теряют свою энергию. Характер взаимодействия излучения с веществом зависит от вида излучения, его энергии и атомного номера облучаемого вещества.
Ослабление происходит под действием трех основных процессов:
- фотоэлектрического поглощения (фотоэффекта);
- комптоновского рассеяния;
- образования пар электрон-позитрон.
Фотоэффект – это процесс взаимодействия кванта с электроном атома (обычно с электроном с одной из ближайших к ядру оболочек), в результате которого квант полностью передает свою энергию электрону. При этом, если электрон атома вещества получает большую энергию, чем энергия связи его в атоме, то он вылетает из него. Вылетевший электрон называют фотоэлектроном.
Его энергия (Ее) будет равна энергии взаимодействующего с ним излучения , уменьшенной на энергию связи электрона в атоме, т.е. . При потере атомами фотоэлектронов освободившиеся места в электронных оболочках в дальнейшем заполняются электронами с внешних оболочек. Переход электрона на более близкую к ядру оболочку сопровождается испусканием кванта характеристического излучения. Следует отметить, что не все фотоны потока рентгеновского или λ-излучения поглощаются веществом. Некоторая часть их не взаимодействует с атомами вещества. Фотоэлектрическое поглощение уменьшается с повышением энергии излучения и резко возрастает с увеличением атомного (порядкового) номера вещества. Фотоэффект характеризуют линейным коэффициентом поглощения , показывающим долю квантов данной энергии, претерпевших взаимодействие с веществом на единице пути. Поскольку линейный коэффициент поглощения прямо пропорционален плотности вещества ρ, в расчетах часто применяют массовый коэффициент поглощения .
|
При взаимодействии рентгеновских и γ-фотонов с веществом наряду с фотоэлектрическим поглощением происходит их рассеяние, названное комптоновским.
Комптон-эффект можно рассматривать как упругое соударение первичного фотона со свободным электроном, при котором, в отличие от фотоэффекта, фотон передает электрону не всю энергию, а только ее часть.
Комптоновский электрон, получив некоторое количество энергии, начинает двигаться под углом к направлению движения рентгеновского или γ-фотона. В результате эффекта Комптона появляется рассеянный фотон с большей длиной волны и меньшей энергией, который продолжает двигаться, отклоняясь от своего первоначального направления на угол φ. Энергия излучения (Е) после рассеяния под углом φ будет равна
(2.2)
где - энергия падающего фотона.
С повышением энергии излучения коэффициент комптоновского рассеяния уменьшается гораздо в меньшей степени, чем коэффициент фотоэлектрического поглощения.
Вероятность рассеяния в сравнении с фотоэффектом возрастает с увеличением энергии излучения и с уменьшением атомного номера вещества.
Комптоновское рассеяние является основным видом взаимодействия излучения с веществом в широком интервале энергии квантов. Оно характеризуется линейным и массовым /ρ коэффициентом рассеяния.
При взаимодействии с веществом фотонов рентгеновского или γ- излучения достаточно высокой энергии происходит процесс образования пар, т.е. фотоны поглощаются ядерным полем атомов вещества, образуя пару частиц - позитрон (е+) и электрон (), для ее образования требуется энергия кванта не менее 1,022 МэВ. В дальнейшем электрон пары тормозится в веществе, испуская квант тормозного рентгеновского излучения, а позитрон взаимодействует с одним из электронов вещества, при этом обе частицы аннигилируют с образованием двух квантов с энергией по 0,511 МэВ, т.е. происходит процесс, обратный процессу образования пар.
|
Процесс образования пар характеризуют линейным коэффициентом ослабления . Вероятность процесса образования пар повышается с ростом энергии излучения и атомного номера вещества.
Энергия рентгеновского излучения от большинства аппаратов, применяемых для промышленной дефектоскопии, за исключением бетатронов, микротронов и ускорителей, лежит ниже энергии излучения, необходимой для образования пар, поэтому этот вид поглощения при просвечивании рентгеновским излучением не имеет места.
Гамма-излучение от большинства радиоактивных источников, используемых для просвечивания, не превосходит 2-2,5МэВ, и поэтому поглощение гамма-излучения за счет образования пар электрон-позитрон несущественно. Только для Со этот эффект проявляется некоторым (малозаметным) образом.
2.4. Законы ослабления рентгеновского и γ - излучений.
Интенсивность первичного моноэнергетического потока рентгеновского и у-излучений при прохождении через вещество уменьшается по экспоненциальному закону:
|
(2.3)
где - интенсивность потока излучения в данной точке пространства, прошедшего слой поглотителя толщиной х; Вт/м2, МэВ/(см2 с);
- интенсивность потока излучения в той же точке при отсутствии поглотителя Но - линейный коэффициент ослабления, характеризующий ослабление излучения на единице длины пути в данном веществе.
Линейный коэффициент ослабления р0 представляет собой сумму трех коэффициентов:
(2.4)
где , , – коэффициенты линейного ослабления излучения соответственно при фотоэлектрическом поглощении, комптоновском рассеянии и эффекте образования пар, .
В области энергий излучения, где основными процессами взаимодействия являются фотоэффект и комптоновское рассеяние, с увеличением энергии излучения коэффициент уменьшается, что и определяет возрастание проникающей способности.
В области больших энергий излучения, где превалирует процесс образования пар, коэффициент c увеличением энергии растет. Для каждого элемента существует определенное значение энергии излучения Emin, при котором значение минимально.
Кроме линейного коэффициента ослабления р0 в расчетах используют также массовый коэффициент ослабления , м2/кг:
(2.5)
Способность вещества поглощать рентгеновское и γ-излучения часто оценивают слоем половинного ослабления ∆1/2, под которым понимают толщину слоя данного вещества, ослабляющую интенсивность излучения в два раза, т.е. когда
, (2.6)
При более широких пучках, с которыми обычно имеют дело на практике, излучение ослабляется меньше, так как к прошедшему через поглотитель первичному излучению добавляется та часть вторичного (рассеянного) излучения, которая по направлению совпадает с первичным потоком. При этом доля вторичного излучения увеличивается с увеличением толщины поглотителя и поля облучения, т.е. угла расхождения пучка.
Закон ослабления широкого пучка излучения может быть представлен в следующем виде:
(2.7)
где - интенсивность широкого пучка излучения, прошедшего слой поглотителя;
- интенсивность рассеянного излучения в той же точке;
- фактор накопления;
- линейный коэффициент ослабления широкого пучка излучения. Фактором накопления называют отношение суммы интенсивности нерассеянного и рассеянного излучений к интенсивности нерасеянного излучения:
(2.8)