Вопрос 5: Критический режим каскада на транзисторе.
Критический режим обеспечивается, если на семействе выходных характеристик используемого транзистора точка пересечения линии критического режима и линии, соответствующей сопротивлению коллекторной нагрузки, соответствуют амплитуде выходного напряжения и импульса тока на коллекторе. Кроме того, при выбранных значениях амплитуд должна обеспечиваться и требуемая выходная мощность.
В схеме обеспечивается критический режим работы. При изменении Ек система будет переходить в недонапряжённый и перенапряжённый режимы. Зависимость Iко (Ек) будет изменяться так, как показано на рисунке (3.х3). График Iко имеет такой же наклон, как и наклон статической характеристики (см. рис. 3.х3).
Это говорит о том, что с помощью изменения коллекторного питания нельзя значительно изменить постоянную составляющую коллекторного тока, если мы находимся в недонапряжённом режиме. Чем меньше Iк, тем сильнее мы заходим в недонапряжённый режим, тем сильнее идёт уменьшение импульса коллекторного тока. В недонапряжённом режиме модуляция невозможна. В перенапряжённом – возможна, но модуляция будет не линейна.
Для того, чтобы сделать модуляцию линейной, нужно сделать её комбинированной. Такая модуляция осуществляется в ламповых каскадах за счёт установления автоматического режима. Чем сильнее мы будем заходить в перенапряжённый режим, тем больше будет сеточный ток, тем больше будет смещение. В результате режим стабилизируется в районе критического режима. Для транзисторных каскадов эффективность этого метода крайне мала.
Iко – величина, характеризующая подводимую мощность. Излучаемая мощность связана с током первой гармоники Iк1. У нас имеется косинусоидальный импульс. Тогда:
|
Iк1 = a1(q) Iкm Þ Iк1 = a1(q) Þ Iк1 = Iк0 (a1 (q) / a0 (q)).
Iк0 = a0(q) Iкm Iк0 a0(q)
Обычно, Iк1 > Iк0 и график выглядит так, как показано на рисунке (3.х4). Модуляция осуществляется в перенапряженном (вблизи критического) или в критическом режиме. Выберем рабочую точку в середине линейного участка статической модуляционной характеристики. Iк1н – первая гармоника в режиме несущей. Iк0н – постоянная составляющая в режиме несущей. UW=m Екн - амплитуда модулирующего сигнала. m – индекс модуляции. Запишем основные соотношения:
Мгновенное значение Ек в режиме модуляции - Ек=Екн(1+m cos W t).
Текущее значение Iк0 в режиме модуляции - Iк = Iк0 (1+m cos W t).
Первая гармоника коллекторного тока - Iк 1= Iк1Н (1+m cos W t).
Вопрос 6: Недонапряжённый режим выходного каскада радиопередатчика.
При изменении Ек система будет переходить в недонапряжённый и перенапряжённый режимы. Зависимость Iко (Ек) будет изменяться так, как показано на рисунке (3.х3). График Iко имеет такой же наклон, как и наклон статической характеристики (см. рис. 3.х3).
Это говорит о том, что с помощью изменения коллекторного питания нельзя значительно изменить постоянную составляющую коллекторного тока, если мы находимся в недонапряжённом режиме. Чем меньше Iк, тем сильнее мы заходим в недонапряжённый режим, тем сильнее идёт уменьшение импульса коллекторного тока. В недонапряжённом режиме модуляция невозможна.
До момента времени t = t1 транзистор находится в недонапряженном режиме. Формирование импульса тока коллектора iК происходит под действием напряжения на коллекторном переходе (который ещё остаётся закрытым) причём .