Занятие 5
ТР2-1 Расчёт ШПУ с частотно-корректирующей входной цепью отражающего типа
Рис.1. Схема ШПУ класса А с полосой до октавы
Схема рис.1 – простейший ШПУ класса А (т.е. без отсечки коллекторного тока) с частотно-корректирующей цепью отражающего типа. Элементы , C совместно c входным импедансом транзистора , и сопротивлением возбудителя Ri образуют параллельный контур. Вход транзистора включён в индуктивную ветвь контура последовательно с . Контур резонирует на верхней частоте рабочей полосы. Его добротность с учётом транзистора и шунтирующего действия Ri подбирается равной приблизительно Q = 2.25 для октавной полосы. (Добротность контура без учёта Ri приблизительно равна 4.5.) В полосе рабочих частот от до амплитуда тока базы нарастает почти линейно. Этим компенсируется спад коэффициента передачи тока транзистора от базы к коллектору по гиперболическому закону.
На верхней частоте рабочей полосы входной контур трансформирует относительно низкое входное сопротивление транзистора (его вещественную часть ) в значительно большее активное входное сопротивление усилителя . Например, порядка единиц Ом трансформируется в десятки Ом. При = Ri (режим согласования) генератор Ег отдаёт на вход усилителя (и транзистора) максимальную мощность.
Снижение частоты в рабочей полосе от до сопровождается нарастающей расстройкой входного контура, рассогласованием входа усилителя с возбудителем и таким снижением входной мощности усилителя (и транзистора), которое компенсируется нарастанием усиления транзистора. В результате поддерживается приблизительно постоянная в полосе выходная мощность усилителя.
В схеме рис.1 на выходе отсутствует трансформация сопротивлений, т.е. коллекторной нагрузкой транзистора Rк является нагрузка усилителя Rн. Схема рекомендуется для усилителей УКВ с выходной мощностью до сотен мВт.
Исходные данные для расчёта усилителя:
1) тип транзистора; параметры его эквивалентной схемы
2) сопротивление нагрузки усилителя Rн; в этой схеме ;
3) полоса рабочих частот fн, fв;
4) мощность в нагрузке Рвых.
Расчёт ШПУ ведётся в следующем порядке.
- 2 -
Расчёт режима транзистора
1. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока
и амплитуда напряжения на коллекторе = ;
2. Задаётся постоянная составляющая коллекторного тока > во избежание отсечки
коллекторного тока и определяется максимум коллекторного тока = .
3. Рассчитывается входной импеданс транзистора
, () = ;
4. Рассчитывается модуль коэффициента передачи тока на верхней частоте рабочей полосы
;
5. Рассчитывается коэффициент усиления по мощности на fв
= ;
6. Задаётся остаточное напряжение на коллекторе с учётом зависимостей граничной частоты от тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер и находится постоянное напряжение коллектор-эмиттер . Питающее напряжение Еп будет превышать Екэ на величину падения напряжения на сопротивлении эмиттерного автосмещения.
7. Мощность, потребляемая транзистором от источника питания, и мощность рассеяния на транзисторе
, .
Расчёт цепей связи
Рис.2
- 3 -
8. Отношение нижней и верхней частот рабочей полосы обозначим . По графикам на рис. 2 находим оптимальное (по наименьшей неравномерности в рабочей полосе) значение = и отсюда полную индуктивность контура ;.
9. Индуктивность катушки ;
10. Контурная ёмкость ;
11. Входное сопротивление усилителя на верхней частоте рабочей полосы и равное ему сопротивление генератора возбуждения
;.
12. Средняя частота рабочей полосы частот и индуктивность
, ;
13. Разделительная ёмкость Ср2 выбирается из условия << .
--------------