Преподаватель: Кузьменко Т.И.
Задание: Выполненное задание и ответы на контрольные вопросы лекции прислать по адресу: https://vk.com/id597471949 (Дисциплина, Тема лекции группа, фамилия, имя студента.
Сроки выполнения: до 21.02.2022г
Задания для дистанционного обучения будут выдаваться в день проведения занятия, согласно расписания и подмен по адресу:https://vk.com/id597471949.
Лекция
Тема: Полупроводниковые диоды
Цель: Изучить полупроводниковые диоды: виды и их характеристики
Мотивация: Для контроля направления электрического тока необходимо применять разные радио и электро-детали. В частности, современная электроника использует с такой целью полупроводниковый диод, его применение обеспечивает ровный ток.
План
1. Классификация и условные графические обозначения диодов.
2. Разновидности полупроводниковых диодов.
2.1 Выпрямительные диоды
2.2 Стабилитроны
2.3 Туннельные и обращенные диоды
2.4 Варикапы
Полупроводниковый диод – это электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами, в котором используются свойства р-n- перехода.
1. Классификация и условные графические обозначения диодов.
Полупроводниковые диоды классифицируются:
1) по назначению: выпрямительные, высокочастотные и сверхвысокочастотные (ВЧ- и СВЧ- диоды), импульсные, полупроводниковые стабилитроны (опорные диоды), туннельные, обращенные, варикапы и др.;
2) по конструктивно – технологическим особенностям: плоскостные и точечные;
3) по типу исходного материала: германиевые, кремниевые, арсенидо - галлиевые и др.
Классификация и условные графические обозначения диодов представлены на рис. 1:
Рис. 1. Классификация и условные графические обозначения диодов.
|
|
В точечном диоде используется пластинка германия или кремния с электропроводностью n- типа (рис. 2), толщиной 0,1…0,6мм и площадью 0,5…1,5 мм2; с пластинкой соприкасается заостренная проволочка (игла) с нанесенной на нее примесью. При этом из иглы в основной полупроводник диффундируют примеси, которые создают область с другим типом электропроводности. Таким образом, около иглы образуется миниатюрный р-n- переход полусферической формы.
Рис. 2. Устройство точечных диодов
Для изготовления германиевых точечных диодов к пластинке германия приваривают проволочку из вольфрама, покрытого индием. Индий является для германия акцептором. Полученная область германия р- типа является эмиттерной.
Для изготовления кремниевых точечных диодов используется кремний n- типа и проволочка, покрытая алюминием, который служит акцептором для кремния.
В плоскостных диодах р-n- переход образуется двумя полупроводниками с различными типами электропроводности, причем площадь перехода у различных типов диодов лежит в пределах от сотых долей квадратного миллиметра до нескольких десятков квадратных сантиметров (силовые диоды).
Плоскостные диоды изготовляются методами сплавления (вплавления) или диффузии (рис. 3).
Рис. 3. Устройство плоскостных диодов, изготовленных сплавным (а) и диффузионным методом (б)
В пластинку германия n- типа вплавляют при температуре около 500°С каплю индия (рис. 3, а) которая, сплавляясь с германием, образует слой германия р- типа. Область с электропроводностью р- типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели основная пластинка, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке германия и к индию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят германий р- типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмиттерная область n- типа.
|
|
Диффузионный метод изготовления р-n- перехода основан на том, что атомы примеси диффундируют в основной полупроводник (рис. 3, б). Для создания р- слоя используют диффузию акцепторного элемента (бора или алюминия для кремния, индия для германия) через поверхность исходного материала.
Как в точечном, так и в плоскостном диоде германий 5 припоем 4 укреплен на кристаллодержателе 6, к которому приварен вывод катода (нижний) 7.
| Конструкция германиевого диода: а - точечного, б - плоскостного; 1 - изолятор, 2 - корпус, 3 - вывод анода, 4 - припой, 5 - кристалл, 6 - кристаллодержатель, 7 - внешние выводы. |
Разновидности полупроводниковых диодов.
Выпрямительные диоды
Выпрямительный полупроводниковый диод – это полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.
Выпрямительные диоды выполняются на основе р-n- перехода и имеют две области, одна из них является более низкоомной (содержит большую концентрацию примеси), и называется эмиттером. Другая область, база – более высокоомная (содержит меньшую концентрация примеси).
В основе работы выпрямительных диодов лежит свойство односторонней проводимости р-n- перехода, которое заключается в том, что последний хорошо проводит ток (имеет малое сопротивление) при прямом включении и практически не проводит ток (имеет очень высокое сопротивление) при обратном включении.
|
|
Как известно, прямой ток диода создается основными, а обратный – не основными носителями заряда. Концентрация основных носителей заряда на несколько порядков превышает концентрацию не основных носителей, чем и обусловливаются вентильные свойства диода.
Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются:
· прямой ток диода Iпр, который нормируется при определенном прямом напряжении (обычно Uпр = 1…2В);
· максимально допустимый прямой ток Iпр мах диода;
· максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр мах, при котором диод еще может нормально работать длительное время;
· постоянный обратной ток Iобр, протекающий через диод при обратном напряжении, равном Uобр мах;
· средний выпрямленный ток Iвп.ср, который может длительно проходить через диод при допустимой температуре его нагрева;
· максимально допустимая мощность Pмах, рассеиваемая диодом, при которой обеспечивается заданная надежность диода.
По максимально допустимому значению среднего выпрямленного тока диоды делятся на маломощные (Iвп.ср < 0,3А), средней мощности (0,3А < Iвп.ср < 10А) и большой мощности (Iвп.ср > 10А).
Для сохранения работоспособности германиевого диода его температура не должна превышать +85°С (рис. 4, а). Кремниевые диоды могут работать при температуре до +150°С (рис.4, б).
Рис. 4. Изменение вольт - амперной характеристики полупроводникового диода от температуры: а − для германиевого диода; б − для кремниевого диода
Падение напряжения при пропускании прямого тока у германиевых диодов составляет 
Uпр = 0,3…0,6В, у кремниевых диодов − Uпр = 0,8…1,2В. Большие падения напряжения при прохождении прямого тока через кремниевые диоды по сравнению с прямым падение напряжения на германиевых диодах связаны с большей высотой потенциального барьера р-n- переходов, сформированных в кремнии.
С увеличением температуры прямое падение напряжения уменьшается, что связано с уменьшением высоты потенциального барьера.
При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения в нем возникает незначительный обратный ток, обусловленный движением не основных носителей заряда через р-n- переход.
При повышении температуры р-n- перехода число не основных носителей заряда увеличивается за счет перехода части электронов из валентной зоны в зону проводимости и образования пар носителей заряда электрон-дырка. Поэтому обратный ток диода возрастает.
В случае приложения к диоду обратного напряжения в несколько сотен вольт внешнее электрическое поле в запирающем слое становится настолько сильным, что способно вырвать электроны из валентной зоны в зону проводимости (эффект Зенера). Обратный ток при этом резко увеличивается, что вызывает нагрев диода, дальнейшей рост тока и, наконец, тепловой пробой (разрушение) р-n- перехода. Большинство диодов может надежно работать при обратных напряжениях, не превышающих (0,7…0,8)Uпроб.
Допустимое обратное напряжение германиевых диодов достигает − 100…400В, а кремниевых диодов − 1000…1500В.
Выпрямительные диоды применяются для выпрямления переменного тока (преобразования переменного тока в постоянный); используются в схемах управления и коммутации для ограничения паразитных выбросов напряжений, в качестве элементов электрической развязки цепей и т.д.
В ряде мощных преобразовательных установок требования к среднему значению прямого тока, обратного напряжения превышают номинальное значение параметров существующих диодов. В этих случаях задача решается параллельным или последовательным соединением диодов.
Параллельное соединение диодов (рис. 5, б)применяют в том случае, когда нужно получить прямой ток, больший предельного тока одного диода. Но если диоды одного типа просто соединить параллельно, то вследствие несовпадения прямых ветвей ВАХ они окажутся различно нагруженными и, в некоторых прямой ток будет больше предельного.
Рис. 5. Параллельное соединение выпрямительных диодов
Для выравнивания токов используют диоды с малым различием прямых ветвей ВАХ (производят их подбор) или последовательно с диодами включают уравнительные резисторы с сопротивлением в единицы Ом. Иногда включают дополнительные резисторы (рис. 5, в) с сопротивлением, в несколько раз большим, чем прямое сопротивление диодов, для того чтобы ток в каждом диоде определялся главным образом сопротивлением Rд, т.е. Rд >> rпр вд. Величина Rд составляет сотни Ом.
Последовательное соединение диодов применяют для увеличения суммарного допустимого обратного напряжения. При воздействии обратного напряжения через диоды, включенные последовательно, протекает одинаковый обратный ток Iобр. однако ввиду различия обратных ветвей ВАХ общее напряжение будет распределяться по диодам неравномерно. К диоду, у которого обратная ветвь ВАХ идет выше, будет приложено большее напряжение. Оно может оказаться выше предельного, что повлечет пробой диодов.
Рис. 6. Последовательное соединение выпрямительных диодов
Для того, чтобы обратное напряжение распределялось равномерно между диодами независимо от их обратных сопротивлений, применяют шунтирование диодов резисторами (рис. 6). Сопротивления Rш резисторов должны быть одинаковы и значительно меньше наименьшего из обратных сопротивлений диодов Rш << rобр вд, чтобы ток, протекающий через резистор Rш, был на порядок больше обратного тока диодов.
Стабилитроны
Полупроводниковый стабилитрон – это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который используется для стабилизации напряжения.
В полупроводниковых стабилитронах используется свойство незначительного изменения обратного напряжения на р-n- переходе при электрическом (лавинном или туннельном) пробое. Это связано с тем, что небольшое увеличение напряжения на р-n- переходе в режиме электрического пробоя вызывает более интенсивную генерацию носителей заряда и значительное увеличение обратного тока.
Низковольтные стабилитроны изготовляют на основе сильнолегированного (низкоомного) материала. В этом случае образуется узкий плоскостный переход, в котором при сравнительно низких обратных напряжениях (менее 6В) возникает туннельный электрический пробой. Высоковольтные стабилитроны изготавливают на основе слаболегированного (высокоомного) материала. Поэтому их принцип действия связан с лавинным электрическим пробоем.
Основные параметры стабилитронов:
· напряжение стабилизации Uст (Uст = 1…1000В);
· минимальный Iст міn и максимальный Iст мах токи стабилизации (Iст міn » 1,0…10мА, Iст мах » 0,05…2,0А);
· максимально допустимая рассеиваемая мощность Рмах;
· дифференциальное сопротивление на участке стабилизации Rд = Uст/ Iст, (rд » 0,5…200Ом);
· температурный коэффициент напряжения на участке стабилизации:
TKU = Uст/( T*Ucт)*100%
TKU стабилитрона показывает на сколько процентов изменится стабилизирующее напряжение при изменении температуры полупроводника на 1°С
(TKU = −0,5…+0,2 %/°С).
Рис. 7. Вольт-амперная характеристика стабилитрона и его условное графическое обозначение
Стабилитроны используют для стабилизации напряжений источников питания, а также для фиксации уровней напряжений в различных схемах.
Стабилизацию низковольтного напряжения в пределах 0,3…1В можно получить при использовании обратной ветви ВАХ (рис. 7) кремниевых диодов. Диод, в котором для стабилизации напряжения используется обратная ветвь ВАХ, называют стабистором. Существуют также двухсторонние (симметричные) стабилитроны, имеющие симметричную ВАХ относительно начала координат.
Стабилитроны допускают последовательное включение, при этом результирующее стабилизирующее напряжение равно сумме напряжений стабилитронов:
Uст = Uст1 + Uст2 +…
Параллельное соединение стабилитронов недопустимо, т.к. из-за разброса характеристик и параметров из всех параллельно соединенных стабилитронов ток будет возникать только в одном, имеющем наименьшее стабилизирующее напряжение Uст, что вызовет перегрев стабилитрона.