ОП.03
ЗАНЯТИЕ № 4
РАЗДЕЛ 1 ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
Тема 1.1 Физика полупроводников
Вопрос темы:Полупроводниковые приборы, их обозначение на электрических схемах
Типы условных буквенно-цифровых обозначений и правила их построения устанавливает ГОСТ2.710–81.
Буквенные коды некоторых полупроводниковых элементов приведены в табл. П.9.
Таблица П.9 - Буквенные коды полупроводниковых приборов
Первая буква кода (обязательная) | Полупроводниковый прибор | Двухбуквенный код |
B | Фотоэлемент | BL |
D | Схема интегральная аналоговая Схема интегральная цифровая | DA DD |
V | Диод, стабилитрон Транзистор Тиристор | VD VT VS |
Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов.
Система обозначений полупроводниковых приборов по ОСТ 11.336.919–81 «Приборы полупроводниковые.
Таблица П.1
Исходный материал | Условные обозначения |
Германий | Г или 1 |
Кремний | К или 2 |
Соединения галлия (например арсенид галлия) | А или 3 |
Соединения индия (например форсид индия) | И или 4 |
Таблица П.2
Подкласс приборов | Условные обозначения |
Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные | Д |
Транзисторы биполярные | Т |
Транзисторы полевые | П |
Варикапы | В |
Тиристоры диодные | Н |
Тиристоры триодные | У |
Туннельные диоды | И |
Стабилитроны | С |
Сверхвысокочастотные диоды | А |
Излучающие оптоэлектронные приборы | Л |
Оптопары | О |
Таблица П.3
Назначение прибора | Условные обозначения |
Диоды выпрямительные, с прямым током, А: | |
менее 0,3 | 1 |
0,3…10 | 2 |
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды и др.) | 3 |
Диоды импульсные, с временем восстановления, нс: | |
более 500 | 4 |
150…500 | 5 |
30…150 | 6 |
5…30 | 7 |
1…5 | 8 |
с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс | 9 |
Триодные тиристоры с максимально допустимым средним током в открытом состоянии (или импусным), А | |
незапираемые: | |
менее 0,3 (менее 15) | 1 |
0,3…10 (15…100) | 2 |
более 10 (более 100) | 7 |
запираемые: | |
менее 0,3 (менее 15) | |
0,3…10 (15…100) | |
более 10 (более 100) | |
Назначение прибора | Условные обозначения |
симметричные: | |
менее 0,3 (менее 15) | 5 |
0,3…10 (15…100) | 6 |
более 10 (более 100) | 9 |
Диоды туннельные и обращенные: | |
усилительные | 1 |
генераторные | 2 |
переключательные | 3 |
обращенные | 4 |
Варикапы: | |
подстрочные | 1 |
умножительные (варакторы) | 2 |
Стабилитроны, стабисторы и ограничители,с напряжением стабилизации, В: | |
мощностью менее 0,3 Вт: | |
менее 10 | 1 |
10…100 | 2 |
более 100 | 3 |
мощностью менее 0,3…5 Вт: | |
менее 10 | 4 |
10…100 | 5 |
более 100 | 6 |
мощностью менее 5…10 Вт: | |
менее 10 | 7 |
10…100 | 8 |
более 100 | 9 |
Транзисторы биполярные: | |
маломощные с рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт: | |
низкой частоты (граничная частота ![]() | 1 |
средней частоты (граничная частота ![]() | 2 |
высокой и сверхвысокой частот (более ![]() | 3 |
средней мощности (0,3…1,5) Вт: |
Назначение прибора | Условные обозначения |
низкой частоты (граничная частота ![]() | 4 |
средней частоты (граничная частота ![]() | 5 |
высокой и сверхвысокой частот (более ![]() | 6 |
большой мощности (более ![]() | |
низкой частоты (граничная частота ![]() | 7 |
средней частоты (граничная частота ![]() | 8 |
высокой и сверхвысокой частот (более ![]() | 9 |
Транзисторы полевые: | |
малой мощности не более 0,3 Вт: | |
низкой частоты (граничная частота ![]() | 1 |
средней частоты (граничная частота ![]() | 2 |
высокой и сверхвысокой частот (более ![]() | 3 |
средней мощности (0,3…1,5) Вт: | |
низкой частоты (граничная частота ![]() | 4 |
средней частоты (граничная частота ![]() | 5 |
высокой и сверхвысокой частот (более ![]() | 6 |
большой мощности (более ![]() | |
низкой частоты (граничная частота ![]() | 7 |
средней частоты (граничная частота ![]() | 8 |
высокой и сверхвысокой частот (более ![]() | 9 |
Источники инфракрасного излучения: | |
излучающие диоды | 1 |
излучающие модули | 2 |
Приборы визуального представления информации: | |
светоизлучающие диоды | 3 |
знаковые индикаторы | 4 |
знаковое табло | 5 |
шкалы | 6 |
экраны | 7 |
Оптопары: | |
резисторные | Р |
Назначение прибора | Условные обозначения |
диодные | Д |
тиристорные | У |
транзисторные | Т |
табл. 2.2.
Таблица П.4-Цветовая маркировка по системе JEDEC
Цвет | Цифра | Буква | |
Черный | ![]() | 0 | - |
Коричневый | ![]() | 1 | A |
Красный | ![]() | 2 | B |
Оранжевый | ![]() | 3 | C |
Желтый | ![]() | 4 | D |
Зеленый | ![]() | 5 | E |
Синий (голубой) | ![]() | 6 | F |
Фиолетовый | ![]() | 7 | G |
Серый | ![]() | 8 | H |
Белый | ![]() | 9 | J |
Н а рис. П.1 приведен пример цветовой маркировки диода по системе JEDEC.
Система Pro Electron распространена в Европе и поддерживается европейской ассоциацией производителей электронных компонентов (European Electronic Component Manufactures Association).
Полупроводниковые приборы в системе Pro Electron обозначаются маркировкой, состоящей из четырех элементов.
Первый элемент – буква, соответствующая типу полупроводникового материала, из которого он изготовлен:
А – германий;
В – кремний;
С – арсенид галлия;
R – другие полупроводниковые материалы.
Второй элемент – буква, соответствующая типу полупроводникового прибора:
А – маломощные импульсные и универсальные диоды;
В – варикапы;
C – маломощные низкочастотные транзисторы;
D – мощные низкочастотные транзисторы;
E – туннельные диоды;
F – маломощные высокочастотные транзисторы;
G – приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;
H – магниточувствительные диоды;
K – приборы на основе эффекта Холла;
L – мощные высокочастотные транзисторы;
M – модуляторы и умножители на основе эффекта Холла;
N – оптроны;
P – светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);
Q – светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);
R – маломощные переключательные приборы (тиристоры и т.п.);
S – маломощные переключательные транзисторы;
T – мощные переключательные приборы;
U – мощные переключательные транзисторы;
X – умножительные диоды (варакторы и т.п.);
Y – выпрямительные диоды, бустеры;
Z – стабилитроны, стабисторы, ограничители.
Третий элемент – буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (профессиональной, военной и т.п.). Это обычно буквы: Z, Y, X иW.
Четвертый элемент – двух-, трех- или четырехзначный серийный номер полупроводникового прибора.
В системе Pro Electron также могут присутствовать дополнительные элементы. Например, как и в системе JEDEC, суффикс, отражающий разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.
Таблица П.5 -Цветная маркировка букв по системе Pro Electron
Цвет | ||
Первая широкая полоса | ||
Черный | ![]() | AA |
Красный | ![]() | BA |
Вторая широкая полоса | ||
Белый | ![]() | Z |
Серый | ![]() | Y |
Черный | ![]() | X |
Синий | ![]() | W |
Зеленый | ![]() | V |
Желтый | ![]() | T |
Оранжевый | ![]() | S |
Затем идут тонкие полосы, кодирующие серийный номер прибора, при этом цветовое кодирование цифрового кода такое же, как и в системе JEDEC (см. табл. П.4).
П ример цветовой маркировки Pro Electron приведен на рис. П.2.
Таблица П.6 -Первый элемент в системе JIS-C -7012
Класс приборов | Условные обозначения |
Фотодиоды, фототранзисторы | |
Диоды | |
Транзисторы | |
Четырехслойные приборы |
Таблица П.7 -Третий элемент в системе JIS-C -7012
Подкласс приборов | Условные обозначения |
Транзисторы p-n-p высокочастотные | A |
Транзисторы p-n-p низкочастотные | B |
Транзисторы n-p-n высокочастотные | C |
Транзисторы n-p-n низкочастотные | D |
Диоды | E |
Тиристоры | F |
Диоды Ганна | G |
Однопереходные транзисторы | H |
Полевые транзисторы с p-каналом | I |
Полевые транзисторы с n-каналом | K |
Симметричные тиристоры | M |
Светоизлучающие диоды | Q |
Выпрямительные диоды | R |
Малосигнальные диоды | S |
Лавинные диоды | T |
Диоды с переменной ёмкостью, p-i-n-диоды | V |
Стабилитроны | Z |