ОП.03
ЗАНЯТИЕ № 4
РАЗДЕЛ 1 ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
Тема 1.1 Физика полупроводников
Вопрос темы:Полупроводниковые приборы, их обозначение на электрических схемах
Типы условных буквенно-цифровых обозначений и правила их построения устанавливает ГОСТ2.710–81.
Буквенные коды некоторых полупроводниковых элементов приведены в табл. П.9.
Таблица П.9 - Буквенные коды полупроводниковых приборов
| Первая буква кода (обязательная) | Полупроводниковый прибор | Двухбуквенный код |
| B | Фотоэлемент | BL |
| D | Схема интегральная аналоговая Схема интегральная цифровая | DA DD |
| V | Диод, стабилитрон Транзистор Тиристор | VD VT VS |
Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов.
Система обозначений полупроводниковых приборов по ОСТ 11.336.919–81 «Приборы полупроводниковые.
Таблица П.1
| Исходный материал | Условные обозначения |
| Германий | Г или 1 |
| Кремний | К или 2 |
| Соединения галлия (например арсенид галлия) | А или 3 |
| Соединения индия (например форсид индия) | И или 4 |
Таблица П.2
| Подкласс приборов | Условные обозначения |
| Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные | Д |
| Транзисторы биполярные | Т |
| Транзисторы полевые | П |
| Варикапы | В |
| Тиристоры диодные | Н |
| Тиристоры триодные | У |
| Туннельные диоды | И |
| Стабилитроны | С |
| Сверхвысокочастотные диоды | А |
| Излучающие оптоэлектронные приборы | Л |
| Оптопары | О |
Таблица П.3
| Назначение прибора | Условные обозначения |
| Диоды выпрямительные, с прямым током, А: | |
| менее 0,3 | 1 |
| 0,3…10 | 2 |
| Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды и др.) | 3 |
| Диоды импульсные, с временем восстановления, нс: | |
| более 500 | 4 |
| 150…500 | 5 |
| 30…150 | 6 |
| 5…30 | 7 |
| 1…5 | 8 |
| с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс | 9 |
| Триодные тиристоры с максимально допустимым средним током в открытом состоянии (или импусным), А | |
| незапираемые: | |
| менее 0,3 (менее 15) | 1 |
| 0,3…10 (15…100) | 2 |
| более 10 (более 100) | 7 |
| запираемые: | |
| менее 0,3 (менее 15) | |
| 0,3…10 (15…100) | |
| более 10 (более 100) | |
| Назначение прибора | Условные обозначения |
| симметричные: | |
| менее 0,3 (менее 15) | 5 |
| 0,3…10 (15…100) | 6 |
| более 10 (более 100) | 9 |
| Диоды туннельные и обращенные: | |
| усилительные | 1 |
| генераторные | 2 |
| переключательные | 3 |
| обращенные | 4 |
| Варикапы: | |
| подстрочные | 1 |
| умножительные (варакторы) | 2 |
| Стабилитроны, стабисторы и ограничители,с напряжением стабилизации, В: | |
| мощностью менее 0,3 Вт: | |
| менее 10 | 1 |
| 10…100 | 2 |
| более 100 | 3 |
| мощностью менее 0,3…5 Вт: | |
| менее 10 | 4 |
| 10…100 | 5 |
| более 100 | 6 |
| мощностью менее 5…10 Вт: | |
| менее 10 | 7 |
| 10…100 | 8 |
| более 100 | 9 |
| Транзисторы биполярные: | |
| маломощные с рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт: | |
низкой частоты (граничная частота МГц)
| 1 |
средней частоты (граничная частота МГц)
| 2 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)
| 3 |
| средней мощности (0,3…1,5) Вт: |
| Назначение прибора | Условные обозначения |
низкой частоты (граничная частота МГц)
| 4 |
средней частоты (граничная частота МГц)
| 5 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)
| 6 |
большой мощности (более 1,5 Вт):
| |
низкой частоты (граничная частота МГц)
| 7 |
средней частоты (граничная частота МГц)
| 8 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)
| 9 |
| Транзисторы полевые: | |
| малой мощности не более 0,3 Вт: | |
низкой частоты (граничная частота МГц)
| 1 |
средней частоты (граничная частота МГц)
| 2 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)
| 3 |
| средней мощности (0,3…1,5) Вт: | |
низкой частоты (граничная частота МГц)
| 4 |
средней частоты (граничная частота МГц)
| 5 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)
| 6 |
большой мощности (более 1,5 Вт):
| |
низкой частоты (граничная частота МГц)
| 7 |
средней частоты (граничная частота МГц)
| 8 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)
| 9 |
| Источники инфракрасного излучения: | |
| излучающие диоды | 1 |
| излучающие модули | 2 |
| Приборы визуального представления информации: | |
| светоизлучающие диоды | 3 |
| знаковые индикаторы | 4 |
| знаковое табло | 5 |
| шкалы | 6 |
| экраны | 7 |
| Оптопары: | |
| резисторные | Р |
| Назначение прибора | Условные обозначения |
| диодные | Д |
| тиристорные | У |
| транзисторные | Т |
табл. 2.2.
Таблица П.4-Цветовая маркировка по системе JEDEC
| Цвет | Цифра | Буква | |
| Черный |
| 0 | - |
| Коричневый |
| 1 | A |
| Красный |
| 2 | B |
| Оранжевый |
| 3 | C |
| Желтый |
| 4 | D |
| Зеленый |
| 5 | E |
| Синий (голубой) |
| 6 | F |
| Фиолетовый |
| 7 | G |
| Серый |
| 8 | H |
| Белый |
| 9 | J |
Н
а рис. П.1 приведен пример цветовой маркировки диода по системе JEDEC.
Система Pro Electron распространена в Европе и поддерживается европейской ассоциацией производителей электронных компонентов (European Electronic Component Manufactures Association).
Полупроводниковые приборы в системе Pro Electron обозначаются маркировкой, состоящей из четырех элементов.
Первый элемент – буква, соответствующая типу полупроводникового материала, из которого он изготовлен:
А – германий;
В – кремний;
С – арсенид галлия;
R – другие полупроводниковые материалы.
Второй элемент – буква, соответствующая типу полупроводникового прибора:
А – маломощные импульсные и универсальные диоды;
В – варикапы;
C – маломощные низкочастотные транзисторы;
D – мощные низкочастотные транзисторы;
E – туннельные диоды;
F – маломощные высокочастотные транзисторы;
G – приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;
H – магниточувствительные диоды;
K – приборы на основе эффекта Холла;
L – мощные высокочастотные транзисторы;
M – модуляторы и умножители на основе эффекта Холла;
N – оптроны;
P – светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);
Q – светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);
R – маломощные переключательные приборы (тиристоры и т.п.);
S – маломощные переключательные транзисторы;
T – мощные переключательные приборы;
U – мощные переключательные транзисторы;
X – умножительные диоды (варакторы и т.п.);
Y – выпрямительные диоды, бустеры;
Z – стабилитроны, стабисторы, ограничители.
Третий элемент – буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (профессиональной, военной и т.п.). Это обычно буквы: Z, Y, X иW.
Четвертый элемент – двух-, трех- или четырехзначный серийный номер полупроводникового прибора.
В системе Pro Electron также могут присутствовать дополнительные элементы. Например, как и в системе JEDEC, суффикс, отражающий разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.
Таблица П.5 -Цветная маркировка букв по системе Pro Electron
| Цвет | ||
| Первая широкая полоса | ||
| Черный |
| AA |
| Красный |
| BA |
| Вторая широкая полоса | ||
| Белый |
| Z |
| Серый |
| Y |
| Черный |
| X |
| Синий |
| W |
| Зеленый |
| V |
| Желтый |
| T |
| Оранжевый |
| S |
Затем идут тонкие полосы, кодирующие серийный номер прибора, при этом цветовое кодирование цифрового кода такое же, как и в системе JEDEC (см. табл. П.4).
П
ример цветовой маркировки Pro Electron приведен на рис. П.2.
Таблица П.6 -Первый элемент в системе JIS-C -7012
| Класс приборов | Условные обозначения |
| Фотодиоды, фототранзисторы | |
| Диоды | |
| Транзисторы | |
| Четырехслойные приборы |
Таблица П.7 -Третий элемент в системе JIS-C -7012
| Подкласс приборов | Условные обозначения |
| Транзисторы p-n-p высокочастотные | A |
| Транзисторы p-n-p низкочастотные | B |
| Транзисторы n-p-n высокочастотные | C |
| Транзисторы n-p-n низкочастотные | D |
| Диоды | E |
| Тиристоры | F |
| Диоды Ганна | G |
| Однопереходные транзисторы | H |
| Полевые транзисторы с p-каналом | I |
| Полевые транзисторы с n-каналом | K |
| Симметричные тиристоры | M |
| Светоизлучающие диоды | Q |
| Выпрямительные диоды | R |
| Малосигнальные диоды | S |
| Лавинные диоды | T |
| Диоды с переменной ёмкостью, p-i-n-диоды | V |
| Стабилитроны | Z |
МГц)
МГц)
МГц)
1,5 Вт):