Чем отличается концентрационный профиль диффузии из ограниченного источника от постоянного?
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
1V.
1. Сравнить концентрационный профиль и профиль характеризующий распределение дефектов по глубине подложки. Одинаковы ли они для тяжелых и легких ионов?
2. Описать диффузию из ограниченного источника:
а) построить профили при изменении времени диффузии,
б) расчетная формула для построения профиля,
в) сравнить с профилем из постоянного источника, а именно с глубиной легирования и концентрацией примеси.
Использование процесса диффузии из постоянного источника для “загонки” примеси, т.е. создания “ограниченного источника” (время диффузии, температура и их влияние на концентрационный профиль).
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
IX.
1. При создании интегральной схемы пластина проходит последовательно ряд высокотемпературных обработок. Что будет происходить с ионнолегированным слоем, если после ионной имплантации структура несколько раз нагревается до температуры T>900°C. Изменится ли глубина ионнолегированного слоя.
2. Описать диффузию из постоянного источника:
а) нарисовать профили при разном времени диффузии,
б) дать формулу для расчета профиля,
Какие причины влияют на отклонение реального профиля от расчетного?
в) какая величина определяет постоянную концентрацию примеси на поверхности.
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
VI.
1. Охарактеризовать особенности легирования:
а) ионной имплантацией,
б) диффузией.
2. Описать диффузию из ограниченного источника:
а) построить профили при изменении времени диффузии,
б) расчетная формула для построения профиля,
в) сравнить с профилем из постоянного источника, а именно с глубиной легирования и концентрацией примеси. Расшифровать марки Si КЭФ - 20, КДБ - 0,05. Какая концентрация (и тип) носителей соответствует Si этих марок?
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
I.
1. Описать схему дефектообразования в кремнии при ионной имплантации. Определить концентрацию дефектов при аморфизации.
2. Описать диффузию из постоянного источника:
а) нарисовать профили при разном времени диффузии,
б) дать формулу для расчета профиля,
в) какая величина определяет постоянную концентрацию примеси на поверхности.
Технология задания постоянного источника (концентрация примеси во внешней среде и ее соотношение с Cs; возможный источник легирующей примеси).
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
II.
1. Принципиальные узлы установки по ионной имплантации. Какое устройство позволяет точно определять уровень легирования.
2. Описать диффузию из ограниченного источника:
а) построить профили при изменении времени диффузии,
б) расчетная формула для построения профиля,
в) сравнить с профилем из постоянного источника, а именно с глубиной легирования и концентрацией примеси.
Как задается ограниченный источник при проведении процесса диффузии.
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
V.
1. Описать пример использования ионной имплантации в технологии получения интегральной схемы.
2. Описать диффузию из постоянного источника:
а) нарисовать профили при разном времени диффузии,
б) дать формулу для расчета профиля,
в) какая величина определяет постоянную концентрацию примеси на поверхности.
Оценить Cs при диффузии примеси: P, As, Sb в Si при температуре 1200°С. Какая предельная концентрация этих примесей и при каких температурах может быть введена в Si?
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
VII.
1. Достигается ли получение желаемого типа проводимости (при легировании донорами или акцепторами) сразу после ионной имплантации. Если нет описать почему?
2. Описать диффузию из постоянного источника:
а) нарисовать профили при разном времени диффузии,
б) дать формулу для расчета профиля,
в) какая величина определяет постоянную концентрацию примеси на поверхности.
Сравнить коэффициенты диффузии B, P, As и Sb при 1200°С, предельные их концентрации, которые могут быть введены при этой температуре.
3. Модель окисления: зона окислителя - слой адсорбции - слой насыщения - слой SiO2 - зона образования окисла - кремний. Физическое и математическое описание процесса.
VIII.
1. Влияние отжига на ионнолегированные слои. Температура отжига дефектов в кремнии.
2. Описать диффузию из ограниченного источника:
а) построить профили при изменении времени диффузии,
б) расчетная формула для построения профиля,
в) сравнить с профилем из постоянного источника, а именно с глубиной легирования и концентрацией примеси.