МОП-транзистор со встроенным каналом.
Основой прибора служит подложка из слаболигирующего кремния с р- проводимостью, сток и исток обладают повышенной проводимостью n. Между стоком и истоком узкая слаболигирующая полоска кремния с n- проводимостью (канал).
Если приложить к затвору отрицательное напряжение, то некоторая часть электронов уйдет из канала в подложку. При этом ток сток-исток уменьшится.
Если приложить к затвору положительное напряжение, то некоторая часть электронов перейдет из подложки в канал. При этом ток сток-исток увеличится.
Дифференциаторы и усилители переменного тока на ОУ
Дифференциатор
частотный коэффициент передачи дифференциатора с ОУ равен 
Для улучшения фазовой характеристики можно ввести сопротивление перед конденсатором.
Дифференционный усилитель
Схема дифференциального усилителя на базе одного ОУ
Дифференциа́льныйусили́тель(ДУ) — электронный усилитель с двумя входами, выходной сигнал - разности входных напряжений, умноженная на константу. Применяется в случаях, когда необходимо выделить небольшую разность напряжений на фоне значительной синфазной составляющей.
ДУ усиливает разность 2х сигналов. Стабилизация коэффициента усиления осуществляется обратной связью.
U2- неинвертирующий
U1- инвертирующий
При 
ДУ используется в датчиках с подвешенным выходом (то что нельзя заземлить (акселерометр компенсационного типа))
Генераторные схемы на ОУ
RC генератор.
Когда 
, возникает автоколебания.
Чаще всего R1=R2=R, C1=C2=C.
Автоколебания возникают при коэффициенте усиления (КУ) больше 3, однако генерация установившихся автоколебаний в замкнутой цепи возможно только при коэфф. усил. =1 и частоте 
(это частота автоколебаний). То есть важно, чтобы 
. В общем. Если коэффициент петлевого усиления (то бишь вон обратной связи) не равен 1, то выходной сигнал не будет синусом. Именно для этого там конденсаторы, они позволяют его сделать единичным.Если КУ не равен 1, то схема будет генерировать трапеции\
Для регулировки амплитуды меняется R3 и R4 (для повышения амплитуды R3 уменьшается, R4 увеличивается). Поэтому часто вместе R3 ставят полупроводниковые терморезисторы, а вместо R4 металлические терморезисторы.
В технике используют следующую схему. Т 
4.ГЛ 1 он же КМ 11. 
< - усилитель
ВП – виброподвес
СРП – схема регулировки периметра
ФП - фотоприемник
ССМ – схема стабилизации мощности
Моноблок ситаловый, коэф-ц расширения ситала 10-7-10-8 1/°с
Клг=4S/Lʎ - масштабный множитель лазерного гироскопа S - площадь резонатора.
КМ11 – 11 см сторона квадрата моноблока.
Внутри резонатора стоят 4 призмы полного внутреннего отражения. Моноблок прикреплен к основанию 4-мя винтами, выполняющие роль торсионов для виброподвеса. Механический резонанс виброподвеса находится вблизи 154 Гц. Приводы виброподвеса представляют собой электромагнит, состоящий из шарообразного сердечника с катушкой, прикрепленной к основанию из ярма, прикрепленного к резонатору, питание катушки 77 Гц. Сила притяжения ~I2, дважды притягивает, поэтому 154 Гц. Резонатор экранируется пермалоевым экраном (мелкий магнит). Схема сложения выполнена на призме. Структура ГЛ 1
Схема накачки (схема Дарлингтона)
Часть резонатора герметична и содержит гелий-неоновую смесь, в которую вставлены электроды. Емкости этих электродов существенно влияют на режим генерации. Схема представляет собой емкостную трехточку, VT1=2Т904А. R1 и R2 – базовый делитель, задает режим транзистора на постоянном токе (транзистор ГВЧ). R3 и R4 – эмиттерные сопротивления, тип транзистора – эмиттерный повторитель. С2 – построечная емкость, совмсетно с 3-ми дросселями создают условие для ПОС (дроссель – устройство, через которое проходит только постоянный ток, у нас предназначен для того чтобы высокая частота не переходила на сторону питания). С1- сглаживание питания.
Схема поджига
-автотрансформатор Тесла.
Первичная обмотка содержит 20 витков, вторичная – 700-1000. Когда включена схема Дарлингтона, с вероятностью 50%, что плазма возбудится и 50% что не возбудится, тогда туда подают импульс с поджогом и тогда можно будет наблюдать плазму, т.к. появится пробой.
Схема фотоприемников
ФП- представляет собой микросхему, выполненную в цилиндрическом корпусе. Резистивный делитель обеспечивает режим работы транзистора на постоянном токе. Первый – транзистор с фотобазой, эмиттерные повторители на составном транзисторе. Кристаллы фототранзисторов сдвинуты по продольной координате, относительно друг друга на ʎ/4, обеспечивающих сдвиг по фазе между сигналами на выходе ФП на ¶/2, такие сигналы во всех лазерных гираскопах с переменной подставкой условно называются синус и косинус.
Схема стабилизации мощности накачки
ГВЧ генератор высоких частот, накачка. Через 2 проходные емкости на вход поступают синус и косинус, диоды образуют двухполупериодный выпрямитель (сумма синуса и косинуса). Внизу положительные полуволны заряжают емкость до амплитуды, потом на сумматор.
VD5-VD6 – для разрыва ОС, когда на выходе малые сигналы.
Второй каскад – сумматор-интегратор. Выход предыдущего каскада подается на + вход, на – входе напряжение стабилизируется VD7. Интегрируется разность 2-х этих напряжений и следует на транзистор.
Схема регулировки периметра
В резонаторе, вне активной зоны есть замкнутое пространство, в котором находится воздух, в котором включен нагреватель и на границе раздела сред есть пьезокерамика – питается прямым инверсным сигналом с Г 100 Гц.
ADSP-2100
Семейство ADSP-2100 это ряд программируемых микропроцессоров(МП) и микрокомпьютеров, выполнен на одном кристалле, который объединяет общая базовая архитектура оптимизированная для цифровой обработки сигналов и высокоскоростной обработки цифровых данных
Отличие МП друг от друга заключается в числе и виде дополнений к базовой архитектуре, а именно: внутренней плате, таймере, последовательном и параллельном порта интерфейса главной машины, а иногда и наличие интерфейса для аналоговой и цифровой обработке сигналов.
Базовая архитектура:
ГАД – генератор адреса данных
Каждый процессор содержит 3 независимых вычислительных устройства с полным набором функциональных возможностей: вычислительные рамы (АПП), шиной адреса памяти данных (АПД), которые используются для памяти программы и данных; шиной данных памяти программы (ДПП) и шиной данных памяти данных(ДПД) используются для передачи данных кода канала из памяти данных и памяти программ. R-шина (шина результатов) выводит коды результатов и передает на другие устройства.
Шина АПП обеспечивает управление 16000 слов.(16к)
Шина ДПП может передавать как трехбайтовые команды и хранить, так и двухбайтовые данные.
АДП управляет 16к слов данных
АД памяти программы может иметь два источника абсолютных значений заданных в коде команды (прямая) и значения на выходе ГАД (косвенная адресация).
Для выборки данных из памяти программы используется косвенная адресация.
Шина ДПП может использоваться для передачи данных В и ИЗ вычислительных устройств напрямую или через устройства обмена данными между шинами ДПП и ДПД. Это устройство позволяет согласовать прохождение данных из первой шины в другую и содержит аппаратные средства для преодоления разности 8бит.
14- шина АПП
14-шина АПД
24- шина ДПП
16- шина ДПД
16- R-шина
Каждый процессор содержит 3 независимых вычислительных устройства с полным набором операций: АЛУ, умножитель-накопитель, устройство сдвига.
Могут поддерживать вычисление с повышенной точностью (32 разряда).
2 ГАД и программный автомат генерируют адреса для доступа к внешней памяти или памяти на кристалле. Программируемый автомат поддерживает и организовывает выполнение циклов программы с нулевыми затратими ресурса.
2 ГАД позволяют одновременно генерировать адреса для выбора двух операндов.
Используется модифицированная архитектура, при которой данные хранятся в памяти данных, а память программы содержит как программы так и данные. Многие МП содержат АЗУ или ПЗУ. Поэтому часть памяти программы или данных может храниться на кристалле.
Быстродействие памяти на кристалле позволяет выбирать два операнда и команду за один цикл. В тех МП у которых нет памяти на кристалле имеется кэш-память объемом 16 слов.
ГАД1может генерировать только адреса для памяти данных
ГАД2 либо памяти данных либо памяти программы.