Пример 1
| В Комиссию конкурса РАН на соискание медалей с премиями для студентов вузов в 2017 году |
______________ № ______________
В настоящее время Бакланов Александр является студентом первого курса магистратуры кафедры «Экспериментальная физика» Института физики, нанотехнологий и телекоммуникаций Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого, имеет отличную успеваемость и высокий академический потенциал. В 2014 году получил диплом бакалавра с отличием по направлению «Физика» в СПбПУ.
С второго курса Бакланов А.В. активно начал вести научно-исследовательскую деятельность в области экспериментальной физики в ФТИ им. А.Ф. Иоффе и СПБПУ. В ходе работы освоил сложное измерительное и диагностическое оборудование, различные установки по росту и исследованию полупроводниковых эпитаксиальных структур. Способен самостоятельно ставить исследовательскую задачу и анализировать полученные результаты. Владеет навыками моделирования физических процессов в различных прикладных вычислительных программных пакетах. Основным направление исследований Бакланова А.В. стало изучение трибологических процессов и явлений, возникающих при механическом взаимодействии зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью полупроводников (n-GaAs, n-GaN, Si и др.).
В работе рассматриваются трибологические эффекты, возникающие на поверхности полупроводниковых материалов, такие как трибоэлектризация, трибо-нанолитография, а также способы применения полученных результатов – упорядочение наноразмерных объектов (квантовые точки, детонационные наноалмазы и др.) на модифицированной поверхности. Баклановым А.В. разработана модель, описывающая процессы, происходящие в тонком приповерхностном слое образцов, основанные на образовании точечных дефектов с глубокими уровнями, на которых локализуются носителя заряда. Эти результаты опубликованы в журнале «Физика и техника полупроводников» («Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью n-GaAs на эффект трибоэлектризации»). Также в ходе работы были получены оригинальные результаты по профилированию поверхности, когда происходит контролируемое удаление материала в заданной области поверхности в субнанометровом диапазоне с сохранением кристаллической структуры в модифицированной зондом области, что не достижимо традиционными методами профилирования поверхности. Полученные результаты были представлены на различных конференциях, в том числе Wear of materials (Торонто, Канада в 2015 году) и NANO (Москва, 2014 год). Интересные оргинальные результаты получены при рассмотрении электрохимических реакций, индуцированных нанотрибоэлектрозацией поверхности. Исследованы зависимости всех протекающих условий от параметров модификации зондом и условий окружающей среды при модификации. Важна часть работы посвящена изучению формирования упорядоченных массивов наноразмерных объектов на модифицированной поверхности, и предложены области применения полученных результатов. В статье «Analysis of thermal emission processes of electrons from arrays of InAs quantum dots in the space charge region of GaAs matrix» (Semiconductors) изучены процессе эмиссии, важные для усовершенствования структур с квантовыми точками, характеристики которых могут быть усовершенствованы при их упорядочении.
Результаты по данной работы бели представлены более чем на 10 Всероссийских и международных конференциях. О практической значимости исследований свидетельствуют награды на конкурсах: «УМНИК» (2014 г.); Конкурс грантов для студентов вузов, расположенных на территории Санкт-Петербурга, аспирантов вузов, отраслевых и академических институтов, на получение премии Правительства Санкт-Петербурга (2014 г.); Конкурс лучших инновационных проектов в сфере науки и высшего профессионального образования Санкт-Петербурга в 2014 году; XVII Конкурс бизнес-идей, научно-технических разработок и научно-исследовательских проектов «Молодые, дерзкие, перспективные» (2014 г.), в которых Бакланов А.В. выступал в качестве руководителя проектов. Также исследования трибологических процессов осуществляются при поддержке гранта РФФИ (№ 15-01-05903 А). Также Бакланов А.В. получил поддержку на обучение и проведение дополнительных исследований в Техническом университете Мюнхена в виде Стипендии Президента РФ для обучения за рубежом в 2015/16 году.
Помимо основной работы Бакланов А.В. участвует в исследованиях с другими научными группами и имеет в этом направлении статьи в журналах (Nanoscale Research Letters, J. Appl. Phys., JP:CS), участвовал в качестве соавтора в крупных конференциях и участвует в проекте, поддержанном грантом РФФИ (№ 15-02-05153 А).
Бакланов А.В. был многократно отмечен различными стипендиями за достижения в учёбе и научной деятельности: Стипендия Фонда поддержки образования и науки (Алфёровский фонд, 2013-2014 г.); Стипендии «За достижения в научно-исследовательской деятельности» (СПБГПУ, 2013-2015 г.).
Вклад Бакланова А.В. в представленную работу значителен. Считаем целесообразным выдвинуть работу А.В. Бакланова на конкурс РАН 2016 года на соискание медали с премией для студентов высших учебных заведений России.
Проректор по научной работе В.В. Сергеев
Заведующий кафедрой
«Экспериментальная физика» В.К. Иванов
Пример 2
| В Комиссию конкурса РАН на соискание медалей с премиями для студентов вузов в 2017 году |
______________ № ______________
Задача научно - исследовательской работы Карсеева А.Ю. заключалась в исследование особенностей регистрации сигналов ядерного магнитного резонанса (ЯМР) в слабых магнитных полях (менее 100 мТ) и создание с учетом этих особенностей малогабаритного ядерно – магнитного спектрометра для экспресс – контроля состояния жидких и вязких сред. Проведенные исследования принципиально отличаются от выполненных ранее другими учеными (регистрация сигнала ЯМР в земном поле) тем, что для исследований в данном случае используется малый объем среды не более 1 мл, используя от которого зарегистрированный сигнал ЯМР, необходимо измерить время продольной Т1 и поперечной Т2 релаксации (константы релаксации) жидкой среды с погрешностью не выше 1 %. Только в этом случае будет исключена ошибка в определении состояния исследуемой среды на месте взятия пробы. В слабых магнитных полях измерение двух констант релаксации одним измерительным устройством до этого никто не делал.
Проведенные исследования показали, что достоинством использования метода ЯМР для определения состояния жидкой среды, является то, что выполненные ЯМР исследования не изменяют химический состав и физическую структуру пробы исследуемой среды. Поэтому данную пробу можно использовать, в случае выявления в ней отклонения от стандартного состояния, для исследования на спектрометрах высокого разрешения в стационарных лабораториях, которые позволяют установить химический состав и структуру исследуемой жидкости. Другие методы экспресс – контроля (химический и т.д.) вносят изменения в исследуемую среду и для подтверждения выявленного отклонения в середе необходимо использовать уже другую пробу. Это увеличивает вероятность ошибки и т.д.
Очень сложной проблемой оказалась регистрация сигнала ЯМР в слабых магнитных полях. Эту задачу удалось решить Антону Карсееву, разработав новую схему генератора слабых колебаний для регистрации сигнала ЯМР и схему обработки и управления на основе микроконтроллера. Это позволило проводить настройку ЯМР спектрометра и измерения в автоматическом режиме.
Но наиболее сложной задачей оказалась реализации метода определения состояния жидкой среды по константам релаксации. Если для измерения времени поперечной релаксации Т2 удалось выбрать методику её измерения (по спаду огибающей формы линии регистрируемого сигнала ЯМР), используя аналог измерения Т2 по спаду свободной индукции, который применяется в спектрометрах высокого разрешения, то с определением Т1 возникли проблемы. Методы определения Т1, используемые в ЯМР спектрометрах высокого разрешения в слабых магнитных полях оказались не применимы. Потребовалось проведение фундаментальных исследований влияния изменения параметров слабого магнитного поля в условиях модуляции на релаксационный механизм, который отвечает за процесс намагничивания жидкости. До этого подобные исследования никто не проводил. На основании полученных экспериментальных результатов был разработан новый метод измерения Т1, который впервые позволил измерить данную константу релаксации в слабом магнитном поле. Стоит также отметить, что предложенный метод измерения Т1 можно также применять в ЯМР спектрометрах на текущей жидкости для определения состояния текущего потока и его параметров, так как он обладает более высокой точностью, по сравнению с ранее используемыми.
Разработка данного метода измерения Т1 позволила реализовать в малогабаритном ЯМР спектрометре методику определения состояния жидкой среды, которая исключает ошибку. Это делает разработанный Карсеевым А.Ю. прибор намного привлекательнее при проведении экспресс - контроля, чем другие методы. Прибор позволяет исследовать почти все существующие жидкие среды и их смеси. Кроме того, разрабатываемая Карсеевым А.Ю. новая методика обработки регистрируемого сигнала с использованием вейвлет – преобразования позволит определять при смешивании близких по химическому составу и физической структуре жидких сред (например, бензины или бензин и керосин) их концентрации, а также состав самой смеси. Что делает прибор очень востребованным при экспресс - контроле бензинов, спиртов, технических масел и т.д. Причем исследуемая проба жидкости не изменяет своей структуры и её можно исследовать для получения подтверждения не один раз или направить на исследование на спектрометр высокого разрешения.
Многочисленные публикации в журналах (более 20), а также выступления на конференциях (более 50 докладов) показали состоятельность научной работы Карсеева А.Ю. Кроме того, Антон три года подряд (2012 – 2014) становился лауреатом конкурса грантов Правительства Санкт – Петербурга для студентов и аспирантов и два года подряд (2013 – 2014) становился лучшим студентом нашего университета по достижениям в НИР, его научная работа отмечена многочисленными дипломами и медалями на выставках.
Творческий вклад в представленную работу со стороны А.Ю. Карсеева значителен. Считаем целесообразным выдвинуть работу А.Ю. Карсеева на конкурс РАН 2016 года на соискание медали с премией для студентов высших учебных заведений России.
Проректор по научной работе В.В. Сергеев
Заведующий кафедрой
«Квантовая электроника» В.М. Петров
Приложение 3
Форма файла TITUL.DOC
Для студентов:
1. полное название работы;
2. направление конкурса, по которому работа выдвигается;
3. краткая аннотация работы (не более 1 страницы текста);
4. наименование учреждения, где выполнена работа;
5. сведения об авторах работы – студентах, выдвигаемых на соискание медали РАН с премиями для студентов:
5.1. фамилия, имя, отчество автора 1 (т.е. первого соавтора работы);
5.1.1. год, месяц и день его рождения;
5.1.2. полное наименование высшего учебного заведения с указанием его ведомственной принадлежности, курс, институт;
5.1.3. число опубликованных с участием автора научных работ, выступлений на конференциях;
5.1.4. число и название полученных с участием автора грантов, премий, научных стажировок;
5.1.5. домашний адрес;
5.1.6. учебный или служебный адрес;
5.1.7. домашний телефон;
5.1.8. учебный или служебный телефон;
5.1.9. факс;
5.1.10. e-mail;
5.1.11. адрес в Интернете;
5.2. фамилия, имя, отчество автора 2 (второго соавтора) и т.д.
Для молодых ученых
1. полное название работы;
2. направление конкурса, по которому работа выдвигается;
3. краткая аннотация работы (не более 1 страницы текста);
4. наименование учреждения, где выполнена работа;
5. сведения об авторах работы – молодых ученых, выдвигаемых на соискание медали РАН с премиями для молодых ученых:
5.1. фамилия, имя, отчество автора 1 (т.е. первого соавтора работы);
5.1.1. год, месяц и день его рождения;
5.1.2. место работы (полное наименование) с указанием ведомственной принадлежности;
5.1.3. занимаемая должность;
5.1.4. ученая степень;
5.1.5. число опубликованных с участием автора научных работ, монографий, выступлений на крупных научных конференциях;
5.1.6. число и название полученных с участием автора грантов, премий, научных стажировок и т.п.;
5.1.7. домашний адрес;
5.1.8. служебный адрес;
5.1.9. домашний телефон;
5.1.10. служебный телефон;
5.1.11. факс;
5.1.12. e-mail;
5.1.13. адрес в Интернете;
5.2. фамилия, имя, отчество автора 2 (второго соавтора) и т.д.
Номера пунктов в файле TITUL.DOC обязательны. Каждый из них заканчивается точкой, после которой через пробел следует содержание соответствующего пункта. Если сведения по одному из пунктов отсутствуют, то после его номера следует пустое поле.
Приложение 4