Снятие входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ




 

1. Собрать и включить схему, представленную на рисунке 10.

В этой схеме значения тока базы задаются изменением напряжения источника Е Бв цепи базы.

Рисунок 10 – Схема для получения входной характеристики транзистора

 

 

1. Изменяя ЭДС источника базы Е Б в соответствии с таблицей 2, снять показания приборов и заполнить таблицу.

 

 

Таблица 2

Е Б, B I Б, мкА U БЭ, мВ I К, мА U КЭ, В
         
         
         
         
         
         
         
         
         

 

 

2. По данным таблицы 2 построить входную характеристику при U КЭ = const.

3. По входной характеристике определить дифференциальное входное сопротивление транзистора R ВХ, проведя на графике необходимые построения.

4. Представить письменные пояснения.

 

 

Снятие выходных характеристик транзистора

 

1. Для схемы, представленной на рисунке 10, провести измерения тока коллектора I К для каждого значения Е Би U КЭ и заполнить таблицу 3.

 

Таблица 3

Е Б, B I Б, мкА U КЭ, B
0,1 0,5                
I К, мА
                       
                       
                       
                       
                       
                       
                       
                       

 

 

2. По данным таблицы 3 построить на листе миллиметровой бумаги формата А4 семейство выходных характеристик при I Б = const.

3. Письменно объяснить поведение выходных характеристик, обозначить на графике области, соответствующие разным режимам работы транзистора.

4. По выходным характеристикам определить дифференциальный коэффициент передачи тока базы β для U КЭ= 30 В. Представить на графике построения, привести в отчете необходимые расчеты и пояснения.

5. По выходной характеристике определить дифференциальное выходное сопротивление транзистора R ВЫХ, проведя на графике необходимые построения. Дать письменные пояснения.

 

 

Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы

С помощью одного резистора

 

1. Собрать схему, представленную на рисунке 11.

Рисунок 11 – Схема для исследования параметров рабочей точки

 

2. Включить схему, записать показания приборов.

3. Рассчитать ток базы I Б, ток коллектора I К, напряжение коллектор-эмиттер U КЭ.

4. Представить письменные пояснения, сравнить расчетные данные с экспериментальными.

5. На графике семейства выходных характеристик транзистора, полученных в пункте 3.4, построить нагрузочную прямую по постоянному току. Привести в отчете письменные пояснения с расчетами.

6. Используя записанные показания приборов, определить рабочую точку на нагрузочной линии и отметить ее положение на графике. Дать письменные пояснения.

7. Рассчитать величину сопротивления R БН, при котором транзистор перейдет в режим насыщения.

8. Установить в схеме R Б = R БН, включить схему и записать показания приборов. Определить, находится ли транзистор в режиме насыщения. Если режим насыщения достигнут, записать показания приборов и дать письменные пояснения. Если режим насыщения не наблюдается, изменением номинала резистора R Б добиться перевода транзистора в режим насыщения, записать показания приборов и представить письменные пояснения.

9. Изменением номинала резистора R Б добиться перевода транзистора в режим отсечки, записать показания приборов и представить письменные пояснения.



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2017-04-20 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: