Общие сведения об электронных устройствах

Общие сведения о полупроводниковых приборах

1. Область науки и техники, изучающая физические явления в полупроводниковых и электровакуумных приборах это?

 

2. На чем основана работа полупроводниковых приборов:

1) на использовании электрических свойств полупроводниковых материалов;

2) на использовании электромагнитных свойств полупроводниковых материалов;

3) на использовании магнитных свойств полупроводниковых материалов;

 

3. Какое место занимают полупроводниковые материалы по электропроводности:

1) между металлами и диэлектриками;

2) между проводниками и диэлектриками;

3) между металлами и проводниками;

 

4. Удельное электрическое сопротивление полупроводников при комнатной температуре лежит в пределах ____________?

1)10^-3 — 10¹⁰ Ом см;

2)10^-2 — 10¹⁰ Ом см;

3)10^-3 — 10¹⁵ Ом см;

4)10^-2 — 10¹¹ Ом см;

 

5. В качестве полупроводниковых веществ используются:

1) кремнии;

2) германий;

3) селен;

4) все варианты;

 

6. Электропроводность чистых однородных полупроводников при температуре, отличной от абсолютного нуля, обусловлена:

1) образование свободных носителей заряда, электронов;

2) образованием свободных носителей заряда, дырок;

1) попарным образова­нием свободных носителей заряда, электронов и дырок;

 

7. Свободные носители заряда в полупроводниках образуются в результате отрыва электронов от собственных или примесных атомов. Такой процесс называется?

 

8. Воссоединение или исчезновение пары носителей за­ряда при встрече свободного электрона с дыркой. Такой процесс называется?

 

9. Электропроводность чистого полупроводника называется ________?

 

10. Что происходит в полупроводниках при приложении внешнего электрического поля:

1) движение свободных носителей зарядов упорядочивается, электроны и дырки дви­жутся во взаимно противоположных направлениях вдоль силовой линии электрического поля;

2) движение свободных носителей зарядов упорядочивается, электроны и дырки дви­жутся в одном направлении вдоль силовой линии электрического поля;

3) движение свободных зарядов упорядочивается, электроны и дырки дви­жутся во взаимно противоположных направлениях вдоль силовой линии электромагнитного поля;

4) движение свободных зарядов упорядочивается, электроны и дырки дви­жутся в одном направлении вдоль силовой линии электромагнитного поля;

 

Общие сведения об электронных устройствах

1. При обычных температурах количество свободных электронов и дырок в чистом полупроводнике равно _________?

1)10¹⁶— 10¹⁸ в 1 см³ вещества;

2)10¹⁰— 10¹⁸ в 1 см³ вещества;

3)10¹⁶— 10¹⁵ в 1 см³ вещества;

4)10¹⁸— 10¹⁰ в 1 см³ вещества;

 

2. Введением каких веществ, существенно изменяют электрические свойства полупроводников:

1) элементы V группы периодической системы таблицы Менделеева;

2) элементы III группы периодической системы таблицы Менделеева;

3) элементы III и V групп периодической системы таблицы Менделеева;

 

3. Электропроводностью типа n, обусловленная переходом валентных электронов в зону проводимости называется?

 

4. Электропроводностью p-типа, где дырки – основные носители заряда это?

 

 

5. Что такое донорные и акцепторные примеси:

1) донорные – примеси элементов V группы, акцепторные -примеси элементов III группы;

2) донорные – примеси элементов III группы, акцепторные -примеси элементов V группы;

3) нет правильного варианта;

 

6. Область раздела двух полупроводников с проводимостями p- и n-типа это?

 

7. Что такое обратный ток в полупроводнике:

1) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;

2) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;

3) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;

4) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;

 

8. При каких условиях p-n-переход называется закрытым или смещенным в обратном направлении:

1) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженностью E_вн, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряжен­ностью E_зап ;

2) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженность E_вн, противоположное по направлению с полем неподвижных ионов напряжен­ностью E_зап ;

3) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электромагнитное поле напряженностью E_вн, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряжен­ностью E_зап ;

4) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электромагнитное поле напряженностью E_вн, противоположное по направлению с полем неподвижных ионов напряжен­ностью E_зап ;

 

9. Значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающееся возрастанием обратного тока при увеличении приложенного напряжения это?

 

10. Лавинообразное размножение носителей заряда — элек­тронов и дырок, приводящее к резкому увеличению обратного тока через р-n-переход при почти неизменном обратном напряжении называется?

 

Полупроводниковые диоды

 

1. Что такое полупроводниковый диод:

1) это прибор с одним р-n-переходом и двумя выводами;

2) это прибор с одним р-n-переходом и одним выводом;

3) это прибор с р – типа переходом и двумя выводами;

4) это прибор с n – типа переходом и одним выводами;

 

2. Что лежит в основе работы полупроводникового диода:

1) магнитные свойства р-n-перехода

2) электрические свойства р-n-перехода;

3) электромагнитные свойства р-n-перехода;

 

3. Что такое запирающий слой и какова его толщина:

1) слой, имеющий подвижные носители заряда, с толщиной несколько микрометров

2) слой, лишенный подвижных носителей заряда, с толщиной несколько микросантиметров

3) слой, лишенный подвижных носителей заряда, с толщиной несколько микрометров

4) слой, имеющий подвижные носители заряда, с толщиной несколько микросантиметров;

4. Контактная разность потенциалов это?

 

5. Дрейфовый ток I_др обусловлен?

 

6. Диффузионный ток I_диф обусловлен?

 

7. В чем заключается динамическое равновесие в полупроводниках?

1) ;

2)

3)

 

8. Что такое прямой ток в полупроводнике:

1) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;

2) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;

3) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;

4) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;

 

9. При каких условиях p-n-переход называется открытым или смещенным в прямом направлении?

1) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, совпадающем с полем двой­ного электрического слоя

2) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, противоположном полю двой­ного электрического слоя

3) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, совпадающем с полем двой­ного магнитного слоя

4) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, противоположном полю двой­ного магнитного слоя

 

10. Для получения более высокого обратного напряжения полупроводниковые диоды можно включать _____________?