Пояснения к работе
В данной работе используется биполярный транзистор МП37 (n-p-n).
Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38 - германиевые, усилительные, маломощные, низкочастотные, структуры n-p-n. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами.
| 
|
| Рисунок 1 – Габаритные размеры, цокалевка транзистора и вид сверху на 4-х контактную колодку с транзистором |
Постановка задачи.
Входной характеристикой биполярного транзистора является зависимость входного тока базы от напряжения база-эмиттер (IБЭ) при постоянном напряжении коллектор-эмиттер (UКЭ).
Выходной характеристикой биполярного транзистора является зависимость тока коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ) при постоянном токе базы (IБ).
Схема для снятия статических характеристик приведена на рисунке 2.
| Е1 |
| R |
| PV2 |
| + |
| – |
| PА2 |
| PV1 |
| Е2 |
| + |
| – |
| 10кОм |
| PА1 |
| VT |
Рисунок 2 – Принципиальная схема снятия статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.
В схеме используются два регулируемых источника напряжения Е1 и Е2. С помощью источника Е1 регулируется напряжение смещения на базе транзистора. Источник напряжения Е2 питает цепь коллектора Контроль тока базы осуществляется амперметром РА1. Вольтметр PV1 измеряет напряжение база-эмиттер (UБЭ).
Контроль тока коллектора осуществляется амперметром РА2. С помощью вольтметра PV2 измеряется напряжение коллектор-эмиттер (UКЭ).
При снятии входных статических характеристик с помощью источника напряжения Е2 устанавливается напряжение коллектор-эмиттер (UКЭ), значение которого в процессе измерения остается неизменным. С помощью источника напряжения Е1 устанавливается напряжение база-эмиттер (UБЭ), значение которого изменяется в процессе измерения.
При снятии выходных статических характеристик с помощью источника напряжения Е1 устанавливается ток базы (IБ), значение которого в процессе измерения остается низменным. С помощью источника напряжения Е2 устанавливается напряжение коллектор-эмиттер (UКЭ), значение которого изменяется в процессе измерения.
Снятие входных статических характеристик транзистора.
В соответствии с рисунком 2 собрать схему измерений.
Установить пределы измерений амперметра РА1 – 2 мА, вольтметра PV1 – 2 В. Тумблеры переключения режимов работы вольтметров (PV1 и PV2) и амперметров (РА1 и РА2) установить в положение измерения постоянных величин. Регулировки управления выходным напряжением источников Е1 и Е2 повернуть против часовой стрелки до упора (минимальное выходное напряжение – 0 В).
Собранную схему показать преподавателю (технику, лаборанту).
После проверки преподавателем собранной схемы включить установку.
Вращая регулировку выходного напряжения источника Е2, установите напряжение коллектор эмиттер (UКЭ) равное 5 В. Вращая регулировки выходного напряжения источника Е1, изменять значение напряжения база-эмиттер (UБЭ) согласно таблице 2. При каждом значении напряжения база-эмиттер (UБЭ) записать показания амперметра РА1 в соответствующий столбец таблицы.
| UКЭ = 5 В | Таблица 2 | |||||||
| UБЭ, В (PV1) | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | 0,21 | 0,22 | 0,23 | 0,24 |
| IБ, мкА (РА1) |
Повторить данную операцию при двух значениях напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ) равных 10 В и 15 В, полученные экспериментальные данные занести в таблицы 2 и 4.
| UКЭ = 10 В | Таблица 3 | |||||||
| UБЭ, В (PV1) | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,16 | 0,17 | 0,18 | 0,19 | 0,2 |
| IБ, мкА (РА1) |
| UКЭ = 15 В | Таблица 4 | |||||||
| UБЭ, В (PV1) | 0,05 | 0,08 | 0,1 | 0,11 | 0,12 | 0,13 | 0,14 | 0,15 |
| IБ, мкА (РА1) |
Снятие выходных статических характеристик транзистора.
Выходной характеристикой биполярного транзистора является зависимость тока коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ) при постоянном токе базы.
Порядок измерений.
Установите пределы измерений амперметра – 20 мА. Вольтметра – 20 В. Тумблеры переключения режимов работы вольтметров PV1 и PV2 установите в положение измерения постоянных величин. Ручки управления выходным напряжением источника Е2 поверните против часовой стрелки до упора.
При этом ток коллектора не должен превышать 15-20 мА при изменении напряжения на коллекторе. Провести измерения при трех значениях тока базы IБ, полученные экспериментальные данные занести в таблицы 5, 6 и 7.
| IБ = 50 мкА | Таблица 5 | |||||||
| UК, В (PV2) | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | ||||
| IК, мА (PA2) |
| IБ = 100 мкА | Таблица 6 | |||||||
| UК, В (PV2) | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | ||||
| IК, мА (PA2) |
| IБ = 150 мкА | Таблица 7 | |||||||
| UК, В (PV2) | 0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | ||||
| IК, мА (PA2) |
По полученным экспериментальным данным построить входные и выходные статические характеристики биполярного транзистора.
7. Содержание отчета:
· наименование работы и цель работы;
· используемые приборы;
· схемы измерений;
· результаты измерений, занесенные в соответствующие таблицы;
· построенные входные и выходные статические характеристики транзистора;
· выводы по работе;
· ответы на контрольные вопросы.
8. Контрольные вопросы:
1. Какие полупроводниковые транзисторы называются биполярными транзисторами?
2. Какие существуют виды биполярных транзисторов?
3. Каковы полярности напряжений питания биполярных транзисторов и чем они определяются?
4. Какие области можно выделить на воль-амперных (ВАХ) характеристиках транзистора?