Механизм возникновения отрицательного сопротивления в полупроводниковых структурах под действием СВЧ-сигнала

Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники (экзамен) 2019-2020

Содержание дисциплины

Александров Данила Вадимович

Полевые транзисторы на гетеропереходах с селективным легированием.

Гетеропереходы. Двумерный электронный газ в гетеропереходах. Принцип работы полевых транзисторов на гетеропереходах с селективным легированием

Бочкова Татьяна Сергеевна

Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием

2.1. Транзисторы с инжекцией горячих электронов

2.2. Транзисторы на горячих электронах с переносом заряда в пространстве

Каширин Владимир Алексеевич

Перенос носителей заряда в туннельных диодах

Вольтамперная характеристика туннельного диода.

Туннельный ток. Избыточный ток. Диффузионный ток.

Влияние греющего тока на вольтамперную характеристику туннельного диода.

Туннельный ток. Избыточный ток. Диффузионный ток.

Колесов Дмитрий Федорович

Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру

4.1. Механизм последовательного туннелирования. Сечение Ферми. Механизм резонансного туннелирования. Энергетический спектр электрона в квантовой яме. Время жизни электрона в квантовой яме. “Естественная” ширина уровня энергии в квантовой яме ДБКС. Влияние рассеяния носителей заряда на время жизни электрона и ширину уровня энергии в квантовой яме ДБКС. Прохождение электронной волны через ДБКС вблизи резонанса.

Лада Никита Олегович

5. Зонные диаграммы и вольт-амперные характеристики РТД на основе ДБКС с прямоугольной квантовой ямой. Зонные диаграммы и вольт-амперные характеристики РТД на основе ДБКС с параболической квантовой ямой.

Инерционность резонансного туннелирования. Время туннелирования через ДБКС. Быстродействие приборов на основе ДБКС.

Лексин Михаил Сергеевич

6. Микроэлектронные приборы на основе ДБКС. Структура, эквивалентная схема и вольтамперные характеристики горизонтально интегрированных резонансно-туннельных диодов (РТД). Структура, эквивалентная схема и вольтамперные характеристики вертикально интегрированных резонансно-туннельных диодов (РТД). Биполярные резонансно-туннельные транзисторы (БРТТ). Зонные диаграммы. Полевые резонансно-туннельные транзисторы (ПРТТ). Сруктура. Вольт-амперные характеристики. Интерференция электронных волн в двухканальной квантовой структуре.

Никитин Сергей Сергеевич

Методы формирования квантово-размерных структур

7.1. Методы формирования квантово-размерных структур. Формирование квантово-размерных структур «традиционными» методами (молекулярно-лучевая эпитаксия, ионно-лучевое травление, электронно-лучевая и рентгеновская литография).

7.2. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур.

7.3. Концентрационные упругие домены в твердых растворах полупроводников.

7.4. Периодически фасетированные поверхности.

7.5. Поверхностные структуры плоских упругих доменов.

7.6. Упорядоченные массивы трехмерных когерентно напряженных островков.

7.7. Массивы вертикально связанных квантовых точек.

Палагута Алексей Михайлович

Углеродные наноструктуры

8.1. Углеродные нанотрубки.

8.2. Фуллерены.

8.3. Графен.

Трифонова Мария Алексеевна

Механизм возникновения отрицательного сопротивления в полупроводниковых структурах под действием СВЧ-сигнала

9.1. Отрицательное сопротивление в туннельном диоде при воздействии СВЧ-сигнала

9.2. Отрицательное сопротивление в диоде на основе p–n -перехода при воздействии СВЧ-сигнала

9.3. Отрицательное сопротивление в p–i–n -диоде при воздействии СВЧ-сигнала

9.4. Отрицательное сопротивление в ЛПД при воздействии СВЧ-сигнала

Основная литература

1. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы: учеб. пособие / А. А. Барыбин. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. – 423 с. (в НБ СГУ 8 экз)
2. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы: учеб. пособие / А. А. Барыбин. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 423 с. (в НБ СГУ 5 экз)
3. Наноэлектроника: учеб. пособие / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева, Е. А. Уткина. - М.: БИНОМ. Лаб. знаний, 2009. – 223 с. Гриф (в НБ СГУ 55 экз)
4. Усанов Д.А. Ближнеполевая сканирующая СВЧ-микроскопия и области её применения. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2010. - 100 с.
5. Неволин В. К. Зондовые нанотехнологии в электронике: учеб. пособие. - 2-е изд., испр. и доп. - М.: Техносфера, 2006. – 159 с. Гриф (в НБ СГУ 5 экз.)
6. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физические основы наноэлектроники// https://www.sgu.ru/sites/default/files/textdocsfiles/2014/01/10/fiz_osnovy_nanoelektroniki.pdf
7. Основы наноэлектроники: учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. - М.: Физматкнига: Логос: Унив. кн., 2006. – 494 с. Гриф (в НБ СГУ 14 экз.)
8. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Горлицкий В.О. Волноводный фотонный кристалл, выполненный в виде диэлектрических матриц с воздушными включениями// Журнал технической физики. 2016. Т. 86, вып. 2. С. 65–70.
9. Усанов Д. А., Мещанов В. П., Скрипаль А. В., Попова Н. Ф., Пономарев Д. В. Широкополосные согласованные волноводные нагрузки на СВЧ фотонных кристаллах// Радиотехника. 2015. №7. С. 58–63.
10. Усанов Д.А., Мерданов М.К., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. СВЧ фотонные кристаллы. Новые сферы применения// Известия Саратовского ун-та. Новая серия. Серия 1. Физика. 2015. Т. 15. Вып. 1. С. 57–73.

 

Дополнительная литература

1. Нанотехнологии: учеб. пособие / Ч. П. Пул, Ф. Дж. Оуэнс; пер. с англ. под ред. Ю. И. Головина. - 3-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2007. – 375 с. Гриф (В НБ СГУ 5 экз.)
2. Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. М.: Изд-во «Техносфера», 2005. 152 с. (в НБ СГУ 15 экз.)
3. Щука А.А. Наноэлектроника. М.: Физматкнига, 2007. 464 с.
4. Нанотенология: физика, процессы, диагностика, приборы/ Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.: Физматлит, 2006. 552 с.