7 входные характеристики схемы с общим эмиттером 
9 входные характеристики схемы с общим коллектором 
8 входные характеристики схемы с общей базой 
10 выходные характеристики схемы с общим эмиттером 
12выходные характеристики схемы с общим коллектором 
11выходные характеристики схемы с общей базой 
69. Напряжение на выходе связано с входным следующим соотношением: 
70. Не дает усиления по напряжению (Ku<=1) схема включения биполярного транзистора с
общим коллектором
71. Не дает усиления по току (Ki<=1) схема включения биполярного транзистора с общей базой
72. Операционный усилитель имеет большое входное сопротивление, так как на его входе включен дифференциальный усилитель
73. Операционный усилитель два входа и один выход
74. Оптоэлектронный прибор – это устройство
для преобразования электрического сигнала в оптический и обратно
75. Основной режим работы биполярного транзистора в усилительных устройствах (в аналоговых микросхемах) активный режим
76. Основными условиями для обеспечения усилительных свойств биполярного транзистора являются: толщина базы должна быть мала концентрация основных носителей в базе мала по сравнению с эмиттером и коллектором площадь коллекторного p-n-перехода больше площади эмиттерного
77. Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, как правило, является кремний
78. h11- входное сопротивление
79. h12 - коэффициент обратной связи по напряжению
80. h21- коэффициент передачи по току
81. h22 - выходную проводимость
82. По видуобрабатываемого сигнала интегральные схемы подразделяются на аналоговые и цифровые
83. По каналу полевого транзистора протекает ток основных носителей
84. Подложки гибридных интегральных схем служат диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и навесных элементов, а так же для теплоотвода
85. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, … усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем
86. Полевые транзисторы управляются напряжением
87. Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема,... в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника
88. Полупроводниковый прибор, обладающий способностью проводить электрический токприосвещении p-n-перехода, называется фотодиод
89. Полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем, называется полевой транзистор
90. Полупроводниковыми называют микросхемы, в которых используются пассивные и активные элементы полупроводниковые подложки элементы, выполненные в глубине подложки на основе структур транзисторов
91. Простейший дифференциальный усилитель состоит из двух транзисторов
92. 
Решите задачу. Коэффициент передачи по напряжению К u=20, по току K i=5. Коэффициент передачи по мощности К р усилителя в децибелах составит 20 дБ
93. Решите задачу. Определить выходное напряжение и коэффициент усиления инвертирующего усилителя, если R1 =1 кОм, R =10 кОм, U вх=0,5 В. К uос = 10; U вых = -5 В
94. С введением отрицательной обратной связи (ООС) полоса пропускания многокаскадного усилителя увеличивается
95. С введением отрицательной обратной связи (ООС) коэффициент усиления К операционного усилителя уменьшается
96. С введением положительной обратной связи (ПОС) полоса пропускания многокаскадного усилителя уменьшается
97. Светодиод может излучать свет в прямом включении
98. Совмещенная интегральная микросхема – это микросхема, … пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла
99. Стабилитрон – это полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя
100. Стабилитрон включается в обратном направлении
101. Стабилитрон работает в режиме туннельного пробоя лавинного пробоя
102. Стабистор включается в прямом направлении
103. Схема построена на операционном усилителе. 
104. Схема построена на операционном усилителе. 
Напряжение на выходе связано с входным следующим соотношением 
105. Схема построена на операционном усилителе. 
Напряжение на выходе связано с входным следующим соотношением: 
106. Схема построена на операционном усилителе. 
Напряжение на выходе связано с входным следующим соотношением: 
107. Схема, представленная на рисунке, построена на операционном усилителе. Кроме этого, это - 
дифференциатор
108. Схема, представленная на рисунке, построена на операционном усилителе. Кроме этого, это - 
неинвертирующий усилитель
109. Схема, представленная на рисунке, построена на операционном усилителе. Кроме этого, это - 
интегратор
110. Схема, представленная на рисунке, построена на операционном усилителе. Кроме этого, это - 
инвертирующий усилитель
111. Схема, представленная на рисунке, построена на операционном усилителе. Кроме этого, это - 
инвертирующий сумматор
112. Схема, представленная на рисунке, построена на операционном усилителе. Кроме этого, это - 
вычитатающее устройство
113. Схема, представленная на рисунке, построена на операционном усилителе. Кроме этого, это - 
полосовой фильтр
114. Схема, представленная на рисунке, построена на операционном усилителе. Кроме этого, это - 
повторитель
115. 
Схема, представленная на рисунке, является 
дифференциальным усилителем