Метод модифицированного химического парофазного осаждения (MCVD).




Изготовление оптического волокна на основе кварцевого стекла.

 

Процесс изготовления кварцевых ОВ состоит из 2-х стадий:

Получение заготовки (преформы)

Вытяжка волокна.

 

В настоящее время наиболее распространены парофазные методы получения заготовок ОВ, которые основанны на окислении или гидролизе паров четыреххлористого кремния и галогенидов легирующих компонентов (GeCl4, BBr3, РОС13).

 

Преимущество методов: возможность получения чистой или легированной двуокиси кремния, содержащей примеси «красящих» металлов на уровне <10-7 масс.%.

 

Разновидности парофазных методов:

метод внутреннего парофазного осаждения (модифицированное химическое парофазное осаждение — MCVD –modified chemical vapor deposition);

метод внешнего парофазного осаждения (OVD - outside vapor deposition);

метод парофазного осевого осаждения (VAD – vapor axial deposition);

плазмохимические методы (PMCVD, PCVD и т.д.).

 

Метод модифицированного химического парофазного осаждения (MCVD).

Рис.2. Процесса получения заготовки методом MCVD: а) химическое образование и осаждение оксидов, б) сжатие трубки, в) «схлопывание» трубчатой заготовки в стержень.

 

Этапы процесса:

1. Осаждение частиц оксидов (термофорез) на внутреннюю поверхность опорной трубки.

2. Проплавление осажденного материала с образованием прозрачных стеклообразных слоев.

3. Нагрев и схлопывание трубки в сплошной стержень-заготовку.

 

 

Рис. 3. Схема установки MCVD: а) – система осушки, б) – блок подготовки ПГС, в) – тепломеханический станок, г) – колонна нейтрализации продуктов реакции, 1 – опорная кварцевая труба, 2 – кислородно-водородная горелка, 3 – концевые переключатели, 4 – регуляторы расхода газа, 5 – дозаторы барботажного типа

 

Основные химические реакции при синтезе заготовки ОВ:

SiCl4 г + O2 = SiO2тв,ж + 2Cl2г

GeCl4 г + O2 = GeO2тв+2Cl2r

4РОС1зг + ЗО2 = 2Р2О5тв,г + 6С12г

4ВВrзг + ЗО2 = 2В2ОЗж,тв + 6Br2г.

Особенности реакций:

при температурах <1250°С, больших потоках несущего газа и малых концентрациях исходных веществ имеет место гетерогенное осаждение, приводящее к образованию прозрачных стеклообразных слоев.

при более высоких температурах (>1250°С) и больших концентрациях исходных веществ происходит гомогенное образование частиц чистого или легированного кварцевого стекла, образующих на поверхности трубки или подложках рыхлые порошкообразные слои.

Рис. 4. Зависимость давления паров выходящих галогенидов в процессе MCVD от температуры горячей зоны трубки: 1 – SiCl4, 2 – GeCl4, 3 – POCl3, 4 - Si2OCl6. Скорости поступления исходных реагентов: SiCI4—0,5 г/мин, GeCl4,—0,05 г/мин, РОС13—0,016 г/мин, О2—1540 см3/мин, кварцевая трубка с наружным диаметром 25мм и толщиной стенки 3 мм.

 

Использование фтора:

В качестве исходных реагентов обычно используется фреон-12 (CCl2F2), фреон-113 (C2Cl3F3), а также SF6 и SiF4:

SiF4 + 3 SiO2 тв. = SiO1,5Fтв.

 

Недостаток: тратится часть исходного тетрахлорида кремния - уменьшение скорости образования и осаждения SiO2.

 

 

Рис. 5. Зависимость относительного изменения показателя преломления кварцевого стекла, легированного фтором, от парциального давления SiF4 в ПГС. - теоретическая кривая,• -экспериментальные результаты.

 

Этапы осаждения оксидов:

1. образование микрочастиц (размер до ~ 0,2 мкм)

2. термофорез.

 

 

Рис. 6. Траектория частиц окислов под действием температурного поля в опорной трубке.

Повышение эффективности:

— использование широкозонной горелки, обеспечивающей разогрев ПГС до большей температуры;

— принудительное охлаждение зоны осаждения водой или воздухом, что приводит к уменьшению температуры приповерхностной области;

— повышение теплопроводности ПГС, например, заменой части кислорода на гелий, обладающим более высокой теплопроводностью;

— уменьшение концентрации паров галогенидов в приосевой зоне, например, путем введения вдоль оси опорной трубки дополнительной трубки, по которой в зону нагрева подается инертный газ.



Поделиться:




Поиск по сайту

©2015-2024 poisk-ru.ru
Все права принадлежать их авторам. Данный сайт не претендует на авторства, а предоставляет бесплатное использование.
Дата создания страницы: 2019-11-29 Нарушение авторских прав и Нарушение персональных данных


Поиск по сайту: