Екатеринбург
Аннотация
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода............................................ 4
2. Паспортные параметры:....................................................... 4
2.1. Электрические.......................................................... 4
2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4
3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5
3.1. При комнатной температуре.................................... 5
3.2. При повышенной...................................................... 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6
6. Определение сопротивления базы rб................................... 9
6.1. Приближенное.......................................................... 9
6.2. Точное....................................................................... 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10
8. Библиографический список................................................ 10
9. Затраты времени на:........................................................... 10
9.1. Информационный поиск........................................ 10
9.2. Расчеты................................................................... 10
9.3. Оформление............................................................ 10
Краткая характеристика диода
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
КД213А[1]
Рисунок 1
Паспортные параметры:
Электрические
Постоянное прямое напряжение при I пр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Общая таблица параметров
| Предельные значения параметров при Т=25˚С | Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С | Значения параметров при Т= 25˚С | R т п-к, ˚С/Вт | ||||||||||||
| I пр, ср max А | Uобр, и, п мах, В | Uобр мах, В | Iпрг (Iпр, уд)мах, А | fмах, кГц | Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В | tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс | I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА | ||||||||
| Т˚С | tи(tпр), мс | Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А | Iпр, и, А | Uпр, и, В | |||||||||||
| 0,3 | 0,2 | 1,5 |
Вольт-амперная характеристика
При комнатной температуре
При повышенной
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С
| Зависимость R= от Uпр | ||||||
| Uпр | 0,6 | 0,7 | 0,8 | 0,9 | 1,1 | |
 R=
| 0,3 | 0,2333333 | 0,16 | 0,1125 | 0,090909 | 0,073333 |
| Зависимость r~ от Uпр | |||||
| Uпр | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 |
| r~ | 0,1 | 0,0666667 | 0,05 | 0,044444 | 0,038462 |
 |
| Зависимость R= от Uобр | ||||||
| Uобр | ||||||
 R=
| 6666666,7 |
| Зависимость r~ от Uобр | |||||
 Uобр
| |||||
| r~ |
| Зависимость Cдиф от Uпр | |||||||||
Uпр | 0,6 | 0,7 | 0,8 | 0,9 | 1,1 | ||||
| Сдиф | 0,08 | 0,12 | 0,2 | 0,32 | 0,44 | 0,6 |
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
Определение сопротивления базы rб
Приближенное
Точное
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
Библиографический список
1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь, 1979.– 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
Затраты времени на: