Полупроводники – химические элементы

ПОЛУПРОВОДНИКИ

 

Общие свойства полупроводников

 

1. Ширина запрещенной зоны (в эВ) в распределении электронов по энергиям в полупроводниках:

Меньше, чем 3

больше, чем 3

 

2. Собственными называются полупроводники, …

Свойства которых практически не зависят от примесей,

свойства которых в основном определяются примесями и дефектами,

в состав которых входят элементы четвертой группы Периодической таблицы,

в состав которых не входят атомы металлов и диэлектриков.

 

3. Донорные состояния существуют в полупроводнике, если

Валентность примеси больше, чем валентность основного полупроводника,

валентность примеси меньше, чем валентность основного полупроводника,

валентности примеси и основного полупроводника одинаковы.

 

4. Акцепторные состояния существуют в полупроводнике, если

Валентность примеси меньше, чем валентность основного полупроводника,

валентность примеси больше, чем валентность основного полупроводника,

валентности примеси и основного полупроводника одинаковы.

 

5. Концентрация (в м^-3) примесей в полупроводниках, необходимая для изготовления приборов полупроводниковой электроники, не должна превышать … (концентрация атомов в твердом теле – 10²⁸ м^-3).

10²²

10²⁸

10¹⁰

10^-15.

 

6. Электрическое сопротивление полупроводников

Уменьшается с ростом температуры

увеличивается с ростом температуры,

не зависит от температуры,

с ростом температуры вначале увеличивается, а затем уменьшается.

 

7. Появление примесей в полупроводнике приводит к тому, что

В запрещенной зоне появляются дискретные состояния,

Увеличивается электрическая проводимость,

из запрещенной зоны исчезают дискретные состояния,

увеличивается электрическая проводимость.

 

8. Появление в запрещенной зоне дискретных состояний обусловлено

Появлением примесей и дефектов в полупроводнике,

увеличением давления,

понижением температуры,

уменьшением давления.

 

Методы получения сверхчистых материалов

1. К методам кристаллизационной очистки относятся:

Метод зонной плавки,

Метод вытягивания из расплава,

электролитический метод,

тепловая закалка.

 

2. Соответствие между цифровыми обозначениями и элементами схемы метода зонной плавки:

 

	кварцевая трубка
	индукционная катушка
	очищаемый образец
	расплавленные зоны
	графитовая лодочка

 

1 2

 

 

 

3

 

 

3. Методы кристаллизационной очистки используют для:

Уменьшения концентрации примесей в кристаллической решетке,

уменьшения числа дефектов в кристаллической решетке,

увеличения плотности вещества,

уменьшения шероховатости поверхности,

очистки воды от вредных примесей.

 

4. Монокристаллическая затравка используется

В методе вытягивания из расплава,

в методе зонной плавки,

в электролитическом методе,

при тепловой закалке образца.

 

5. Защитный газ применяется

В методе зонной плавки,

в методе вытягивания из расплава,

в электролитическом методе,

при тепловой закалке образца.

 

 

Полупроводники – химические элементы

 

1. К химическим элементам - полупроводникам относятся:

Кремний,

Германий,

магний,

марганец,

хлор.

 

2. Кремний является базовым материалом для изготовления:

планарных транзисторов,

Интегральных микросхем,

фулереновых нанотрубок,

постоянных магнитов.

 

3. Наиболее распространенное соединение кремния в земной коре:

SiO₂,

SiC,

SiCl₄,

SiHCl₃,

H₂SiO₃.

 

4. Элементы-доноры для полупроводникового германия:

Сурьма,

Фосфор,

аргон,

галлий,

индий.

 

5. Элементы-акцепторы для полупроводникового германия:

Галлий,

Индий,

фосфор,

мышьяк,

аргон.

.

6. Германий применяется для изготовления