Транзистор, как и любой другой электронный прибор, характеризуется рядом эксплуатационных параметров, предельные значения которых указывают на возможности практического применения того или иного транзистора. К числу таких параметров относятся:
Максимально допустимая мощность Р K.max, рассеиваемая коллектором, - это превращающаяся в тепло мощность тока коллектора, бесполезно расходуемая на нагревание транзистора. В общем 
случае мощность, рассеиваемая транзистором, складывается из мощностей, рассеиваемых каждым p-n переходом:
P = P K + P Э = I K U КБ + I Э U ЭБ
Однако в усилительном режиме у плоскостных транзисторов
I Э U ЭБ << I К U КБпоэтому Р ≈ Р К ≈ I К U КБ.
При недостаточном теплоотводе разогрев коллекторного перехода может привести к резкому увеличению тока IK. Это в свою очередь приводит к возрастанию мощности, рассеиваемой на коллекторе, и к еще большему нагреву коллекторного перехода. Процесс приобретает лавинообразный характер, и транзистор необратимо выходит из строя. Следует учитывать также, что при повышении температуры окружающей среды предельно допустимая мощность Р K.max уменьшается. Поэтому необходимо тщательно следить за режимом работы транзисторов, исключая внешний нагрев прибора, особенно работающего при повышенных мощностях.
Максимально допустимый ток коллектора I K.max ограничивается максимально допустимой мощностью, рассеиваемой коллектором. Превышение предельного значения тока коллектора приводит к тепловому пробою коллекторного перехода и выходу транзистора из строя.
Максимально допустимое напряжение между коллектором и общим электродом транзистора (U КЭ.max или U КБ.max). Это напряжение определяется величиной пробивного напряжения перехода. Кроме того, оно зависит от мощности, тока коллектора и температуры окружающей среды.
Из соображений надежности работы схемы не рекомендуется использовать величины токов, напряжений и мощностей выше 70% их наибольших допустимых значений. Следует, однако, отметить, что при работе в ключевом режиме значительная мощность выделяется на транзисторе только в течение перехода из открытого состояния к запертому и обратно (на активном участке характеристики). Поэтому среднее за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе, относительно невелико, что позволяет допускать мгновенные значения токов коллектора и эмиттера в 2—3 раза больше паспортных, предельных для режима усиления значений, не опасаясь перегрева транзистора.
Предельная частота усиления по току (f αили f β) — частота, при которой коэффициент усиления по току αили β уменьшается до 0,7 (в 
раз) своего значения на низких частотах.
Выше перечислены лишь наиболее важные эксплуатационные параметры транзисторов. В паспортах транзисторов и справочниках указывается ряд других параметров: максимально допустимый ток базы, обратный ток эмиттера, максимально допустимый импульсный ток коллектора, напряжение насыщения коллектор - эмиттер, емкость коллекторного перехода, максимальная температура работы транзистора и т. д.