| Параметр | ОБ | ОЭ | ОК |
| КU | 10¸100 | >100 | £1 |
| КI | a£1 | b=50¸100 | b=50¸100 |
| Rвх,кОм | Низкое 0,1¸1 | Среднее1¸10 | Высокое 10¸100 |
| Rвых,кОм | Высокое 0,1¸1000 | Среднее 10¸100 | Низкое 0,1¸1 |
| fmax,Мгц | Высокое ~400 | Низкое <100 | Высокое ~100 |
Недостатком рассмотренных Т-образных схем замещения транзисторов является невозможность измерения параметров этих схем на основе сигналов на внешних выводах транзистора. Поэтому для обеспечения возможности более точного представления схем замещения при малых отклонениях сигналов транзистор можно рассмотреть как линейный активный четырехполюсник.
Транзистор как линейный четырёхполюсник 
Рис.3.12. Транзистор как четырехполюсник
Рассматривая транзистор, как линейный четырехполюсник, отражающий связь между приращениями токов и напряжений, можно определить его параметры на основе измерения сигналов на внешних выводах (рис.3.12).
Взаимосвязь между входными и выходными сигналами четырёхполюсника можно установить с помощью линейных уравнений. Два сигнала выбираются в качестве независимых сигналов и через них выражают два оставшихся сигнала, при этом можно записать несколько систем уравнений в зависимости от того, какие сигналы независимы. Для транзисторов наибольшее распространение получила система в h-параметрах. В качестве независимых параметров выбраны DI1 и DU2:
. (3.7)
Физический смысл h – параметров можно легко установить, если воспользоваться режимами холостого хода на входе схемы и короткого замыкания на её выходе. При холостом ходе на входе DI1 =0, откуда находим два параметра:
и 
. (3.8)
h12 – обратная передача по напряжению - показывает как изменение выходного напряжения влияет на изменение напряжения на входе; этот коэффициент отражает существующую в транзисторе обратную связь: смещение входных характеристик под действием изменения выходного напряжения. Для реальных транзисторов величина этого коэффициента не велика, порядка 10-4 - 10-5.
h22 - выходная проводимость транзистора.
В режиме короткого замыкания КЗ на выходе DU2 = 0. Отсюда
и 
. (3.9)
h11 - представляет собой входное сопротивление транзистора. Для различных схем включения транзисторов величина его будет различной.
h21 - представляет собой коэффициент передачи тока транзистора. Для схемы с ОБ - "-ά "; с ОЭ - "b".
h -параметры транзистора легко рассчитываются на основе статических входных и выходных характеристик транзистора.
Схема замещения транзистора в h -параметрах. Схемазаме -_
Рис.3.13. Схема замещения транзистора на
основе h -параметров
щения (рис.3.13) имеет одинаковый вид независимо от схемы включения транзистора, разница будет заключаться только в величинах h- параметров.
Для проектных расчетов пользуются упрощенной схемой замещения, в которой можно пренебречь h12 (рис.3.14).
Рис. 3.14. Схема замещения для
приближенных расчетов
Для схемы с общим эмиттером вместо h21DI1 =bDI1, а для схемы с общей базой h21DI1 = - aDI1. Система в h -параметрах нашла широкое применение для транзисторов потому, что для них легко реализовать условия для экспериментального определения h-параметров:
DU2 = 0 потому, что собственное выходное сопротивление транзистора велико;
DI1 = 0, так как собственное входное сопротивление транзистора мало.
h -параметры транзистора можно выразить через параметры Т -образной схемы замещения транзистора и установить между ними однозначную связь. В справочниках для транзисторов обычно приводятся не все четыре h -параметра, а только некоторые из них. Обязательно приводится параметр h21=b – коэффициент передачи по току, а остальные, если они не приводятся, иногда можно рассчитать по уравнениям (3.8) и (3.9).