Важнейшими характеристиками ОУ являются его амплитудные (передаточные) характеристики (рисунок 1). Их представляют в виде двух кривых, относящихся соответственно к инвертирующему и неинвертирующему входам. Характеристики снимают при подаче сигнала на один из входов при нулевом сигнале на другом. Каждая из кривых состоит из горизонтальных и наклонного участков.
Горизонтальные участки кривых соответствуют режиму полностью открытого (насыщенного) либо закрытого транзистора выходного каскада (эмиттерного повторителя). При изменении напряжения входного сигнала на этих участках выходное напряжение усилителя остается без изменения и определяется напряжениями U +вых max и U –вых max.
Указанные значения максимальных выходных напряжений близки к напряжению Е к источников питания.
Рисунок 1 – Передаточные характеристики ОУ (а),передаточные характеристики ОУ при наличии разбаланса (б)
Наклонному (линейному) участку кривых соответствует пропорциональная зависимость выходного напряжения от входного. Угол наклона участка определяется коэффициентом усиления 
операционного усилителя. Значение КU ОУ зависит от типа ОУ и может составлять от нескольких сотен до сотен тысяч и более. Большие значения КU ОУ позволяют при охвате таких усилителей глубокой отрицательной обратной связью получать схемы со свойствами, которые зависят только от параметров цепи отрицательной обратной связи.
Кривые, приведенные на рисунке 1, а проходят через нуль. Состояние, когда U вых=0 при U вх=0, называется балансом ОУ. Однако для реальных ОУ условие баланса обычно не выполняется (наблюдается разбаланс). При U вх=0выходное напряжение ОУ может быть больше или меньше нуля. На рисунке 1, б пунктирными линиями показан возможный вид передаточной характеристики реальных ОУ при входном сигнале, подаваемом на не инвертирующий вход. Напряжение U см0, при котором U вых=0, называется входным напряжением смещения нуля. Оно определяет значение напряжения, которое необходимо подать на вход ОУ для создания баланса. Напряжения U см0 и ΔU вых связаны соотношением 
. Основной причиной разбаланса ОУ является существующий разброс параметров элементов дифференциального усилительного каскада (в частности, транзисторов). Зависимость от температуры параметров ОУ вызывает температурный дрейф входного напряжения смещения и температурный дрейф выходного напряжения.
Усиление гармонических сигналов характеризуется частотными параметрами ОУ, а усиление импульсных сигналов – его скоростными или динамическими параметрами.
Частотные параметры определяют поамплитудно-частотной характеристики ОУ (рисунок 2, а), которая имеет спадающий характер в области высокой частоты, начиная от частоты среза f ср. Причиной этого является частотная зависимость параметров транзисторов и паразитных емкостей схемы ОУ. Частота f 1 при которой коэффициент усиления ОУ равен единице, называется частотой единичного усиления. По граничной частоте f в.п, которой соответствует снижение коэффициента усиления ОУ в 
раз, оценивают полосу пропускания частот усилителя, составляющую для современных ОУ сотни мегагерц.
Рисунок 2 – Амплитудно-частотная (а) и фазочастотная (б) характеристики ОУ;реакция ОУ на воздействие скачка напряжения на входе (в) и (г)
При усилении сигналов ОУ обычно охватывается отрицательной обратной связью по инвертирующему входу. Ввиду создаваемого усилителем в области высоких частот фазового сдвига выходного сигнала относительно входного фазочастотная характеристика ОУ по инвертирующему входу приобретает дополнительный (сверх 180°) фазовый сдвиг (рисунок 2, б). Для некоторой высокой частоты полный фазовый сдвиг становится равным 360°, что соответствует положительной обратной связи по инвертирующему входу на этой частоте. Это приводит самовозбуждению схемы. Для устранения самовозбуждения в ОУ вводят внешние корректирующие RC– цепи, позволяющие несколько изменить ход амплитудно-частотной и фазочастотной характеристик.
Динамическая характеристика это практически характеристика переходного процесса в ОУ, рисунок 2, г.
Динамическими параметрами ОУ являются скорость нарастания выходного напряжения (скорость отклика) и время установления выходного напряжения. Они определяются по реакции ОУ на воздействие скачка напряжения на входе (рисунок 2, в, г,). Скорость нарастания выходного напряжения VU вых находят по отношению приращения выходного напряжения к времени на участке изменения выходного напряжения от 0,1 U вых до 0,9 U вых. Время установления выходного напряжения t уст оценивают интервалом времени, в течении которого выходное напряжение изменяется от уровня 0,1 до уровня 0,9 установившегося значения. Как правило для VU вых = 0,1÷100 В/мкс, а t уст=0,05÷2 мкс.[4]
Вопрос №2. Гибридные интегральные микросхемы
В гибридных ИМС, как правило, пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными. Обычно это малогабаритные дискретные элементы (в т.ч. могут быть и конденсаторы, и резисторы) и монолитные бескорпусные полупроводниковые ИМС.
Гибридные микросхемы были одним из первых этапов на пути миниатюризации изделий радиоэлектронной техники и в настоящий момент большинство гибридных микросхем, выпускающихся в прошлом, были вытеснены более миниатюрными полупроводниковыми ИМС. Но полупроводниковые ИМС обладают рядом недостатков, отсутствующих в гибридных ИМС, что определяет доминирующее положение гибридных ИМС в некоторых областях электроники.
Во-первых, из-за того, что гибридные ИМС выполняются на диэлектрической подложке с высокими изоляционными свойствами, материал подложки практически не оказывает влияния на электрические связи элементов, как это имеет место в полупроводниковых ИМС и отсутствует такой недостаток, как наличие токов утечки в подложку. Благодаря этому гибридные ИМС широко используются в СВЧ-технике, причем, как показывает опыт, для устройств работающих на частотах до 1 ГГц, с успехом применяется толстопленочная технология, поскольку она не требует жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок. Для устройств, работающих на более высоких частотах, когда необходимо обеспечить прецизионное нанесение пленочных элементов очень малых размеров, предпочтительнее тонкопленочная технология.
Во-вторых, гибридные микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность.
В-третьих, использование гибридных ИМС позволяет создавать различные цифровые и аналоговые устройства при сравнительно коротком цикле разработки.
Кроме того, сочетание полупроводниковых ИМС и многослойных гибридных ИМС создает широкие схемотехнические и конструктивные возможности при проектировании больших интегральных схем.
Из недостатков гибридных ИМС по сравнению с полупроводниковыми ИМС следует отметить их достаточно большие габаритные размеры.
Как уже было отмечено выше, при производстве гибридных ИМС используется тонкопленочная или толстопленочная технология. Тонкие пленки наносятся одним из следующих методов: термическое напыление, ионно-плазменное напыление, реактивное напыление. При этом толщина пленок составляет, как правило, 0.1-10мкм.
Для изготовления толстопленочных (более 10мкм) элементов гибридных ИМС применяют различные материалы в виде паст. Пасты позволяют получать методом шелкографии или сеткографии на поверхности пластин требуемую конфигурацию. Метод создания рельефа на поверхности пластины продавливанием вязкой пасты через трафареты, изготовленные из шелка или металлической сетки, соответственно называют шелкографией и сеткографией.
Толстопленочные гибридные ИМС по сравнению с тонкопленочными сравнительно несложны в изготовлении и, кроме того, не требуют высоких затрат на эксплуатацию оборудования при производстве. Преимуществом их следует считать также возможность изготовления резисторов больших сопротивлений, а недостатком - трудность изготовления конденсаторов большой емкости.[5]
В таблице 1 приведены некоторые параметры, характеризующие тонкопленочную и толстопленочную технологию.
Таблица 1 - параметры, характеризующие тонкопленочную и толстопленочную технологию
| Параметр | Тонкопленочная технология | Толстопленочная технология |
| Толщина пленок, мкм | <10 | >10 |
| Минимальная ширина пленочных проводников, мкм | 50-100 | 150-300 |
| Минимально допустимая ширина пленочных резисторов, мкм | 50-100 | |
| Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами, мкм | 100-300 | 50-300 |
| Минимально допустимое расстояние между краем пленочного элемента и краем платы, мкм | 200-500 | |
| Номинальные значения пленочных резисторов | >50 Ом | 25 Ом - 1 МОм |
| Номинальные значения пленочных конденсаторов | >100nF | 50-250pF |