6 вариант
1. Уровень Ферми в полупроводнике п-типа расположен:
A) В середине запрещенной зоны
B) В свободной зоне
C) Вблизи свободной зоны
D) В запрещенной зоне
Е) В валентной зоне
Ғ) Вблизи валентной зоны
2. Управляемый ток в биполярном транзисторе:
A) ток области энжекции зарядов
B) ток области экстракции зарядов
C) обратный тепловой ток коллектора
D) ток эмиттерного перехода
Е) ток крайней области, противоположной эмиттеру
3. База биполярного транзистора это:
A) Область в р-п-р (п-р-п) структуре, имеющая низкоомный слой
B) Средняя область в р-п-р (п-р-п) структуре, характеризуется наименыпей концентрации примесей
C) Средняя область в р-п-р (п-р-п) структуре, характеризуется наибольшей концентрации примесей
D) Область в р-п-р (п-р-п) структуре, имеющая высокоомный слой
Е) Средняя область в р-п-р (п-р-п) структуре, используемая для рекомбинации носителей из области эмиттера
Ғ) Крайняя область в р-п-р (п-р-п) структуре, используемая для инжекции носителей в область базы
G) Крайняя область в р-п-р (п-р-п) структуре, используемая для экстракции носителей из области базы
4. Схема включения транзистора, имеющая наибольшее усиление по току:
A) схема с максимальным выходным сопротивлением
B) схема с минимальным входным сопротивлением
C) в схеме с общим коллектором
D) в схемах с общим эмиттером
E) схема с минимальным выходным сопротивлением
F) схема эмиттерного повторителя
5. Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером — это:
A) отношение выходного напряжения к входному напряжению
B) отношение малого тока эмиттера к малому току базы, при постоянном напряжении эмиттер-база
C) отношение тока коллектора к току базы при 1^= сопзі
D) отношение выходного напряжения к входному току при 11]= сопзі
Е) отношение выходного тока к входному току при ІІ2= сопзі
Ғ) отношение малого тока коллектора к малому току базы, при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
G) отношение выходной индуктивности к входному напряжению
6. Основные параметры тиристоров:
A) максимально допустимый средний ток, импульсное прямое напряжение
B) напряжение отсечки
C) постоянный ток стока
D) пороговое напряжение
Е) максимальная частота усиления
Ғ) повторяющееся импульсное напряжение
G) остаточный ток стока
7. Тиристором называют:
A) полупроводниковый прибор с одним устойчивым состоянием
B) полупроводниковый прибор, имеющий три вывода, называемых анод, катод и управляющий электрод
C) полупроводниковый прибор с тремя и более р-п переходами, обладающий способностью принудительного переключения из одного устойчивого состояния (отсечки) в другое (насыщения) 
D) силовой электронный прибор, полностью управляемый ключом
Е) полупроводниковый прибор с двумя р-п переходами, имеющие вольт-амперную
характеристику
Ғ) силовой электронный прибор, предназначенный для управления большим током и напряжением
G) полупроводниковый прибор, имеющий трехслойную структуру п-р-п перехода
8. Устройства, осуществляющие контакт компьютера с внешним миром, преобразующие информацию с тех языков и тех скоростей, на которых работает компьютер, к тем, которые воспринимает человек или другая связанная с компьютером система:
A) устройство ввода/вывода
B) микропроцессорное устройство
C) постоянное запоминающее устройство
D) устройство вывода
Е) устройство ввода
Ғ) устройство управления
9. Основные достоинства усилителей постоянного тока (УПТ), перед селективными усилителями переменного тока радиодиапазона:
A) линейный вид АЧХ во всем диапазоне усиливаемых частот
B) могут усиливать мощность при заданном сопротивлении нагрузки
C) увеличивают напряжение между коллектором и эмиттером
D) УПТ являются базовым элементом многофункциональной электроники
Е) могут усиливать постоянную составляющую сигнала
Ғ) препятствуют изменению сигнала выходного напряжения при изменении сопротивления нагрузки
10. Спад амплитудно-частотной характеристики усилителя низких частот УНЧ на низких частотах объясняется:
A) собственными шумами усилителя
B) влиянием температуры
C) наличием элемента не пропускающего постоянную составляющую тока
D) низким входным сопротивлением схемы
E) наличием элемента не пропускающего переменную составляющую тока
А)амплитудно-частотная характеристика АЧХ
В) характеристика, на которой изображен диапазон пропускаемых частот
С) зависимость фазового сдвига между входным и выходным сигналами от частоты усиливаемого сигнала
D) фазо-частотная характеристика ФЧХ
Е) зависимость фазы от частоты для области низких и верхних рабочих частот
12. Приборы, применяемые для гальванической развязки сигнальных цепей или цепей с малым током коммутации:
A) резистор
B) оптоэлектронное устройство
C) транзисторное устройство
D) оптроны 
14. Свет распространяется по световоду:
A) вдоль серддевины стекловолокна
B) используя излучательную термогенерацию в р-п переходе
C) используя излучательную рекомбинацию в р-п переходе
D) по зигзагообразной траектории
Е) по вращательной траектории вдоль волокна
15. Виды гальванической оптической развязки:
A) транзисторная
B) индуктивная
C) варикапная
D) варисторная
E) позисторная
F) емкостная
16. Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является:
A) напряжение на одном из входов, большее, чем на другом
B) напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах
C) разнополярные импульсы на входах
D) напряжение одинаковой величины на обоих входах
 |
Е) выходное напряжение, синфазное с входным
Ғ) входное напряжение, синфазное с выходным
18. Фазовый сдвиг трехзвенной КС-цепи (С-параллель) на квазирезонансной частоте равен:
A) 270°
B) л
C) -180°
Э)180°
Е) 90°
Ғ) -.(π/2 +π/2 )
19. Запоминающее устройство, с неизменным в процессе выполнения программы содержимым памяти:
A) Память с произвольной выборкой
B) Арифметико-логическое устройство
C) RОМ - read - оnly - mеmогу
D) Постоянное запоминающее устройство
Е) RWM - геаd - write- mеmогу
20. Определение крутизны полевого транзистора:
A) 
B) 
C) 
D) 
E) 
21. Основные параметры управляемого диода:
A) максимальная частота усиления
B) остаточный ток стока
C) управляющий ток и напряжение отпирания
D) повторяющееся импульсное напряжение
E) напряжение отсечки
Ғ) пороговое напряжение
G) максимально допустимый средний прямой ток, обратное напряжение
22. При настройке нуля выхода ОУ, требуется задавать на входе напряжение смещения, причины:
A) из-за инверсии сигнала
B) из-за дестабилизации параметров элементов цепи
C) из-за малого Rэ дифференциального каскада
D) для полученрія необходимого фазового сдвига
E) из-за изменения внутренних параметров
Ғ) из-за большого Rэ дифференциального каскада
G) из-за разбаланса внутри схемы ОУ
23.Назначение катушки индуктивности на представленной схеме:
 |
A) в области высоких частот, когда модуль реактивного сопротивления катушки становится соизмерим с сопротивлением, поэтому последовательно с резистором включают катушку индуктивности
B) на высоких частотах уменыиается коэффициент передачи тока, для компенсации этогоявления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
С) на высоких частотах увеличиваются усилительные свойства транзисторов, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
D) на высоких частотах уменынаются усилительные свойства транзисторов, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
Е) на высоких частотах уменьшаются усилительные свойства транзисторов, т.е. увеличивается коэффициент передачи тока, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
Ғ) на высоких частотах увеличиваются усилительные свойства транзисторов, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
24.Название коэффициента логического элемента, определяющий число входов, которое может иметь элемент:
A) коэффициент интеграции
B) «m» объединения
C) коэффициент разветвления
D) логический коэффициент
Е) коэффициент последовательности
Ғ) «m» по входу
G) коэффициент объединения
25. Коэффициент логического элемента, определяющий количество входов аналогичных элементов, которое может быть подключено к его выходу:
A) коэффициент объединения
В) разветвления
С) коэффициент последовательности
D) объединения
Е) коэффициент интеграции