Еще одна технология, позволяющая достаточно безболезненно повысить скорость чипов, не требуя от производителей отказаться от всех их сегодняшних наработок. Как и технология медных соединений, SOI позволяет создателям чипов убить двух зайцев одним выстрелом - поднять скорость, до 25 процентов, одновременно снизив энергопотребление. Что из себя представляет эта технология? Вспомним начало обработки кремниевой пластины - она покрывается тонкой пленкой окисла кремния. А в SOI к этому бутерброду добавляется еще один элемент - сверху опять наносится тонкий слой кремния:
Вот и получается - кремний на изоляторе. Зачем это понадобилось? Чтобы уменьшить емкость. В идеале МОП транзистор должен выключаться, как только будет исчезнет питание с затвора (или наоборот, появится, в случае с КМОП). Но наш мир далеко не идеален, это справедливо и в данном конкретном случае. На время срабатывания транзистора напрямую влияет емкость области между между измененными участками кремния, через которую и идет ток при включении транзистора. Он начинает и заканчивает идти не мгновенно, а только после, соответственно, зарядки и разрядки этой промежуточной зоны. Понятно, что чем меньше это время, тем быстрее работает транзистор, можно сказать, что тем меньше его инерция. Для того и придумана SOI - при наличии между измененными участками и основной массой кремния тонкой пластинки изолирующего вещества (окисел кремния, стекло, и т.д.), этот вопрос снимается, и транзистор начинает работать заметно быстрее.
Основная сложность в данном случае, как и в случае с медными соединениями, заключается в разных физических свойствах вещества. Кремний, используемый в подложке - кристалл, пленка окислов - нет, и закрепить на ее поверхности, или же не поверхности другого изолятора еще один слой кристаллического кремния весьма трудно. Вот как раз проблема создания идеального слоя и заняла весьма много времени. Не так давно IBM уже продемонстрировала процессоры PowerPC и чипы SRAM, созданные с использованием этой технологии, просигнализировав этим о том, что SOI подошла к стадии возможности коммерческого применения. Совсем недавно, IBM объявила о том, что она достигла возможности сочетать SOI и медные соединения на одном чипе, пользуясь плюсами обеих технологий. Тем не менее, пока что никто кроме нее не заявил публично о намерении использовать эту технологию при производстве чипов, хотя о чем-то подобном речь идет.
Перовскиты
Поиски замены на роль изолирующей пленки на поверхности подложки идут давно, учитывая, что как и алюминий, диоксид кремния начинает сдавать в последнее время - при постоянном увеличении плотности транзисторов на чипе необходимо уменьшать толщину его изолирующего слоя, а этому есть предел, поставленный его электрическими свойствами, который уже довольно близок. Однако пока, несмотря на все попытки, SiO2 по прежнему находится на своем месте. В свое время IBM, предполагала использовать в этой роли полиамид, теперь пришла очередь Motorola выступить со своим вариантом - перовскиты.
Этот класс минералов в природе встречается довольно редко - Танзания, Бразилия и Канада, но может выращиваться искусственно. Кристаллы перовскитов отличаются очень высокими диэлектрическими свойствами: использованный Motorola титанат стронция превосходит по этому параметру диоксид кремния более чем на порядок. А это позволяет в три-четыре раза снизить толщину транзисторов по сравнению с использованием традиционного подхода. Что, в свою очередь, позволяет значительно снизить ток утечки, давая возможность заметно увеличить плотность транзисторов на чипе, одновременно сильно уменьшая его энергопотребление.
Пока что эта технология находится в достаточно ранней стадии разработки, однако Motorola уже продемонстрировала возможность нанесения пленки перовскитов на поверхность стандартной 20 см кремниевой пластины, а также рабочий КМОП транзистор, созданный на базе этой технологии.
Список литературы, источники:
· «Аппаратные средства PC» К. Айден, Х. Фибельман, М. Крамер «BHV – Санкт-Петербург» Санкт-Петербург, 1997г.
· «Основы промышленной электроники» В.Г. Герасимов (третье издание) «Высшая школа» Москва, 1986г.
· «Технология и конструкция микросхем, микропроцессоров и микросборок» Л.А. Коледов «Радио и связь» Москва, 1989г.
· «Инженер-конструктор технолог микроэлектронной и микропроцессорной техники» Б.Ф. Высоцкий «Радио и связь» Москва, 1988г.
· Журнал «CHIP» №08/2002 «Издательский дом «Бурда» www.burda.ru
· Журнал «CHIP» №09/2002 «Издательский дом «Бурда» www.burda.ru
· Журнал «CHIP» №12/2002 «Издательский дом «Бурда» www.burda.ru
· Журнал «CHIP» №01/2003 «Издательский дом «Бурда» www.burda.ru
· Журнал «Hardware», №39, 1997 год
· ©2001-2003 https://www.Overclockers.ru/ - "Российский оверклокерский портал. Справочник по разгону. Пользовательская и лабораторная статистика разгона процессоров. Обзоры материнских плат, видеокарт, кулеров. Новости из мира оверклокинга. Экстремальный разгон. Файлы, конференция, голосования".
· https://amdcpu.nm.ru/
· https://compiron.euro.ru/ - «Мир компьютерного железа»
· https:// AMDNOW.ru/
· https://www.osmag.ru/ - Журнал "Открытые Системы", #09-10/1999
· https://www.kv.minsk.by/ - (c) 1994-2003, "Компьютерные Вести"
· https://www.ixbt.com/ - Copyright © by iXBT.com, 1997—2003. Produced by iXBT.com
· https://www.programz.by.ru – «Полезные программы и информация»
 |
kazaker@mail.ru