Система условных обозначений транзисторов такая же, как и у полупроводниковых диодов, только 2 и 3 элемент имеют другие значения. Второй элемент: буква Т – биполярный транзистор; буква П. – полевой транзистор. Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора. Например: ГТ322Г-германиевый транзистор малой мощности, высокой частоты; КТ 940А - кремневый транзистор большой мощности, высокой частоты. В таблице 1.1 показана расшифровка третьего элемента условных обозначений транзисторов.
Табл. 1.1
| Частота, мГц | Мощность, Вт | ||
| малая (до 0,3) | средняя (0,3 – 1,5) | большая (выше 1,5) | |
| Низкая (до 3) Средняя (3 – 30) Высокая (30 – 300) Сверхвысокая (более 300) |
Система обозначения силовых транзисторов
В соответствии с ней приняты следующие обозначения - первый элемент (у некоторых типов транзисторов он может отсутствовать) – цифра обозначающая исходный полупроводниковый метал (1-германий, 2-кремний, 3-арсенид галлия, 4-карбид кремния); второй элемент – буквы ТК, ТКД, или ТКП, обозначающие вид прибора (соответственно дискретный биполярный, составной биполярный, и полевой транзистор); третий элемент - цифра, указывающая порядковый номер разработки; четвертый элемент – цифра, определяющая размер корпуса для каждого конструктивного исполнения; пятый элемент-цифра, обозначает конструктивное исполнение корпуса (1-штыревое с гибкими выводами,2-штыревой с жесткими выводами, 3 – таблеточное, 4 – под запрессовку, 5 – фланцевое, 6-9 – иное исполнение); шестой элемент – отделенное дефисом число, соответствующее максимально допустимому постоянному току коллектора (стока) в амперах; седьмой элемент – отделенное дефисом число, обозначающее класс транзистора в зависимости от максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмиттер при отключенной базе (или от напряжения сток-исток). Например: ТКД133-80-4, ТК235-40-3. При маркировке транзисторов на корпусах могут указываться их условные обозначения или применяться кодированная система маркировки с помощью определённых меток и цвета (точек или меток). На корпусе транзисторов также могут указываться год (код латинской буквой) и месяц (код цифрой или латинской буквой) изготовления. рис 3.2
|
|
Конкретно по каждому типу транзисторов при расшифровке маркировки необходимо пользоваться справочной литературой или ТУ на соответствующий транзистор, в которых также определяется цоколёвка выводов (Э.К,Б).
Характеристики
У транзисторов большое количество различных характеристик и параметров. Обычно рассматриваются семейства входных и выходных характеристик транзистора, снимаемых для схем с ОЭ и ОБ. Входная характеристика-это зависимость силы входного тока транзистора от входного напряжения при постоянном выходном напряжении. Разделение токов и напряжений на входные и выходные зависит от схем включения транзистора.
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
или
КТ313
КТ502
КТ503
Рис.3.2 Транзисторы. Кодовая маркировка. Корпус КТ-26 (ТО-92)
Выходная характеристика - это зависимость выходного тока транзистора от выходного напряжения при постоянном входном токе. Семейства этих характеристик для схем с ОЭ и ОБ обычно приводятся в различной справочной литературе иле ту на соответствующие типы транзисторов. Все параметры транзисторов можно разбить на несколько групп; постоянного тока; в режиме малого сигнала; частотные; в режиме большого сигнала; предельных режимов.
Пример параметров транзисторов:
1-Обратный ток коллектора I к.б.о – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжение коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
2-Напряжение насыщения коллектора – эмиттер Uк.э.нас –напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных силах тока базы и коллектора.
3-Статический коэффициент передачи тока по схеме с ОЭ h21э – отношение постоянного тока I а к току I б при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмитер и силе тока Iэ.
4-Предельная частота fh21 коэффициента передачи тока - частота, при которой модуль коэффициента передачи тока снижается на 3дБ по сравнению с его значением на низкой частоте.
5-Граничная частота fгр коэффициента передачи тока – частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером равен единице.
|
|
6-коэффициент передачи тока h21э в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ- отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току.
7-Максимальное допустимое постоянное напряжение коллектор – эмиттер: при силе тока базы, равной 0, U к.э.о max при сопротивление в цепи база – эмиттер.
Применение
1- схемы (УНЧ) существует множество схем усилителей низкой частоты, где применяются транзисторы как полевые, так и биполярные. У полевых транзисторов качество усиления лучше чем у биполярных так как они меньше входят в режим насыщения.
2- Схемы (УВЧ) - усилители высокой частоты, применяются на входных цепях приёмников Р.Т.А. для усиления высокой частоты.
3- Схемы генераторов - в которых происходит различные преобразования импульсов (синусоидальные, пилообразные, прямоугольные, и т. д.)
4- Cхемы регуляторов напряжения и тока.
Вывод
В настоящее время транзисторы нашли себе широкое применение в схемах Р.Т.А. они используются в качестве схем усилителей различных частот, преобразования импульсов, регулирования напряжения и тока. Они имеют множество различных характеристик и параметров, которые позволяют использовать их для необходимых целей, например усилителей низкой (КТ 819г) или высокой частоты. (ГТ 322а).
Их различная структура n-p-n или p-n-p даёт нам возможность получать различные генераторы, которые позволяют нам преобразовать переменное напряжение из постоянного.
Литература
1. Техническое обслуживание бытовой радиоаппаратуры: спецтехнология:учеб пособие. П.И. Мисюль
2. Е.В Зарежецкий – Радиотовары.
3. К.С Петров Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника
4. А.В. Нефёдов, А.И. Аксенов Отечественные транзисторы для бытовой промышленности
5. Джо Карр Карманный справочник радиоинженера