2-вариант
- Ширина запрещенной зоны у полупроводников равна:
A) в диапазоне 0 – 3 эВ
B) близко к 0 эВ
C) от 4 до 20 эВ
D) невозможно измерить
E) от 10 до 20 эВ
F) от 0 до 10 эВ
2. Основные возможные виды направленного движения носителей заряда:
A) электронно-дырочное
B) диффузно-дрейфовое
C) дырочное
D) электронное
E) свободно-электронное
F) свободное
3. Количество компонентов N в кристалле полупроводника характеризует:
A) аппаратное обеспечение
B) коэффициент ИМС k=lgN 3
C) коэффициент ИМС k=lgN
D) количество информации
E) программное обеспечение
F) степень интеграции
4. Алгоритм преобразования данных в форме последовательности команд ЭВМ:
A) данные
B) программа
C) ассемблер
D) hardware
E) software
F) программное обеспечение
5. Физические компоненты схемы, составляющие микрокомпьютер и способные выполнять только ограниченный набор элементарных операций:
A) software
B) программа
C) компоненты микросхемы
D) аппаратура
E) hardware
6. Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером –это:
A) отношение малого тока эмиттера к малому току базы, при постоянном напряжении эмиттер-база
B) отношение выходной индуктивности к входному напряжению
C) отношение выходного напряжения к входному напряжению
D) отношения тока коллектора к току базы при U2=const
E) отношение выходного тока к входному току при U2=const
7. Условное обозначение устройства на рисунке:
A) структурная схема источника питания
B) схема устройства для преобразования электрического сигнала
C) условное обозначения интегральной микросхемы генератора
D) структурная схема транзистора
E) условное обозначения ИМС, выполняющей генерацию сигнала
|
F) условное обозначение стабилитрона
8. Линейная схема – это
A) схема, в которой сигналы на входе и выходе связаны линейным оператором
B) схема, в которой входной и выходной токи связаны линейным оператором
C) схема, в которой сигналы на входе и выходе связаны нелинейным оператором
D) схема, в которой входной и выходной токи связаны нелинейным оператором
E) генератор линейно изменяющего напряжения ГЛИН
9. С повышением температуры скорость протекания процесса диффузии примеси в полупроводнике:
A) увеличивается
B) постоянно во времени
C) не зависит от вида вводимой примеси
D) убывает во времени
E) не изменяется
10. Эффект Эрли – это:
A) изменение толщины базы из-за влияния температуры и давления
B) изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе
C) влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы вследствие изменения ширины базы
D) изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода
E) максимально возможный коэффициент усиления по напряжению
11. Схема усиления,представленная на рисунке:
A) усилитель на биполярном транзисторе
B) усилитель постоянного тока
C) эмиттерный повторитель
D) катодный повторитель
E) дифференциальный усилитель
12. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением это:
A) изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода
B) подъем выходных характеристик при увеличении отрицательного напряжения коллектор-база, коллекторный ток при этом уменьшается
|
C) изменение толщины базы из-за влияния высокой температуры
D) изменение, при котором уменьшается воздействие коллекторного тока на эмиттер
E) влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы
F) подъем выходных характеристик при увеличении отрицательного напряжения коллектор-база, коллекторный ток при этом увеличивается
G) изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе
13. Схема, изображенная на рисунке:
A) условное обозначения интегральной микросхемы стабилитрона
B) условное обозначения интегральной микросхемы диода
C) структурная схема транзистора
D) схема устройства для преобразования электрического сигнала
E) условное обозначения интегральной микросхемы варикапа
F) структурная схема операционного усилителя
G) условное обозначения интегральной микросхемы усилителя
14. Отрицательная обратная связь в усилителях используется:
A) для увеличения паразитной емкости
B) для увеличения динамического диапазона усиления
C) для уменьшения помех и искажений
D) для увеличения коэффициента усиления
E) для увеличения мощности выходного сигнала
F) для уменьшения напряжения питания схемы
G) для стабилизации полученного сигнала
15. Фазовый сдвиг между входным напряжением и напряжением обратной связи в усилителе с отрицательной обратной связью ООС равен:
A) 180о
B) 2π
C) 180о + π
D) 90о + π/2
E) π
F) 270о
16. Усилитель, изображенный на схеме:
A) усилительный каскад с термостабилизацией коллекторного тока
|
B) усилительный каскад с термостабилизацией на составных транзисторах
C) усилительный каскад с эмиттерной термостабилизацией
D) усилительный каскад с коллекторной термостабилизацией
E) усилительный каскад с термостабилизацией эмиттерного тока
F) усилительный каскад с термостабилизацией с инжекцией на основном электроде
17. Схема, изображенная на рисунке:
A) фильтр с фазо-частотной характеристикой АЧХ от fн до fв
B) нелинейная система состоит из фильтра нижних частот и верхних частот
C) генератор синусоидальных колебаний
D) генератор прямоугольных импульсов
E) фильтр с амплитудно-частотной характеристикой АЧХ от fн до fв
F) линейная система состоит из фильтра нижних частот и верхних частот
G) фильтр низких частот
18. Схема, изображенная на рисунке, называется схемой:
A) схемой неинвертирующего усилителя
B) усилителя поворачивающего сигнал на 900оС
C) усилителя переворачивающего сигнал на π
D) усилителя переворачивающего сигнал на π/2
E) схемой инвертирующего усилителя
F) схемой интегратора
G) схемой дифференциатора
19. Назначение катушки индуктивности
A) на высоких частотах уменьшаются усилительные свойства транзисторов, т.е. увеличивается коэффициент передачи тока, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
B) на высоких частотах увеличиваются усилительные свойства транзисторов,
для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
C) на высоких частотах уменьшаются усилительные свойства транзисторов, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
D) на высоких частотах увеличиваются усилительные свойства транзисторов, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивности
E) в области высоких частот, когда модуль реактивного сопротивления катушки становится соизмерим с сопротивлением, поэтому последовательно с резистором включают катушку индуктивности
F) для того чтобы расширить полосу пропускания, применяют высокочастотную коррекцию усилительных свойств,поэтому последовательно с резистором включают катушку индуктивности
G) на высоких частотах уменьшаются усилительные свойства транзисторов, т.е. уменьшается коэффициент передачи тока, для компенсации этого явления с резистором включают катушку индуктивности
20. Коэффициент усиления по напряжению усилителя:
A)
B)
C)
D)
E)
21. Стабилитроны применяются для:
A) стабилизации напряжения в цепях питания радиоаппаратуры
B) детектирования ВЧ сигналов
C) стабилизации напряжения
D) модуляции НЧ сигналов
E) генерирования электрических колебаний
22. Входное сопротивление усилителя это:
A) отношение выходного напряжения к входному току
B) отношение выходного напряжения к выходному току
C) отношение входного напряжения к входному току
D) отношение входного напряжения к выходному току
E) обратная величина отношения входного тока к входному напряжению
23. Волоконный световод-это:
A) полая тонкая нить из специального стекла
B) стекловолокно толщиной несколько микрон
C) нити из алюминиевых проводов
D) семейство тонких нитей из металла
E) тонкая нить из оптически прозрачного стекла
F) семейство тонких нитей из проводящих материалов
G) стеклянная нить малого диаметра
24. Оптроны с открытым оптическим каналом фиксируют:
A) измеряют угол наклона
B) скорость перемещения или поворота
C) количество предметов
D) угол наклона предметов
E) перестановку предметов на поверхности
25. Название коэффициента логического элемента, определяющий число входов, которое может иметь элемент:
A) коэффициент интеграции
B) логический коэффициент
C) «n» разветвления
D) «m» объединения
E) коэффициент разветвления
F) «m» по входу
G) Коэффициент последовательности