Описание лабораторного стенда. Цели работы

Лабораторный стенд, схема которого изображена на рис. 1.1, предназначен для исследования методов осуществления амплитудной модуляции в резонансном усилителе мощности, выполненном на биполярном транзисторе КТ602, с простой схемой выходной цепи. Упрощенная схема усилителя и необходимые вспомогательные элементы представлены на лицевой панели лабораторного стенда. Стенд позволяет исследовать базовую модуляцию смещением, коллекторную модуляцию и комбинированную коллекторно-базовую модуляцию.

Рис. 1.1.

Любая из исследуемых схем осуществления амплитудной модуляции может быть построена подключением генератора модулирующего сигнала к базовой или к коллекторной цепи транзисторного усилителя мощности с помощью переключателей S1 и S2.

Лабораторный стенд наряду с исследуемым устройством включает в себя регулируемые по амплитуде генераторы сигнала возбуждения и модулирующего сигнала и мультиметр, позволяющий измерять токи и напряжения в контрольных точках исследуемого устройства, а также коэффициент модуляции выходного сигнала. При измерении переменных токов и напряжений выводятся их амплитудные значения.

Мультиметр подключается к необходимой контрольной точке схемы с помощью кнопок, расположенных под жидкокристаллическим дисплеем, отображающим измеряемую величину и ее значение. Средняя кнопка предназначена для выделения информации, относящейся к выполняемому пункту лабораторной работы. Левая и правая кнопки позволяют "перелистывать" страницы дисплея назад и вперед в пределах этого пункта.

Генератор модулирующего сигнала "ГЕНЕРАТОР G1" обеспечивает диск­ретное изменение частоты от 10 Гц до 8 кГц (16 значений) и плавную регулировку амплитуды с помощью кнопок ▼ и ▼ и потенциометра "УРО­ВЕНЬ" соответственно.

Генератор входного сигнала возбуждения формирует синусоидальный сигнал с частотой 200 кГц, амплитуда которого плавно регулируется с помощью аттенюатора "ГЕНЕРАТОР G2".

Регулировка базового смещения и напряжения коллекторного питания осуществляется с помощью потенциометров и .

Переключатели S1 и S2 управляются с помощью кнопок управления, расположенных в нижней части лицевой панели стенда, однократным нажатием на кнопку и удержанием ее в течение 0,5 с. Текущее положение любого переключателя индицируется зажиганием соответствующего светодиода.

В лабораторном стенде предусмотрена возможность подключения двухлучевого осциллографа к необходимым контрольным точкам с помощью соответствующих разъемов, выведенных на заднюю панель стенда. При этом кнопками управления ▼ и ▼ ("КАНАЛ 1" и "КАНАЛ 2") на каждый из каналов осциллографа можно независимо выводить осциллограммы токов и напряжений, список которых приведен в поле "ОСЦИЛЛОГРАФ". Конкретный вид выводимого сигнала индицируется зажиганием соответствующего светодиода. В левом верхнем углу лицевой панели расположен выключатель "СЕТЬ", обеспечивающий включение и выключение стенда.

 

Основные сведения

Передача информации связана с управлением каким-либо параметром электромагнитной волны (амплитудой, фазой, поляризацией и т. д.). Амплитудная модуляция (АМ) – один из простейших способов управления колебаниями, при котором по закону изменения модулирующего сигнала изменяется амплитуда высокочастотных (ВЧ) колебаний. Это достигается за счет использования в модулирующем каскаде нелинейных или параметрических элементов.

Реальные модулирующие сигналы являются случайными процессами, спектральная плотность которых практически сосредоточена в ограниченной полосе частот … . Однако при настройке и испытаниях передатчиков используется модуляция одной частотой : . В этом случае выражение для модулированного тока (тока в нагрузке ГВВ, параметры которой не зависят от времени) имеет вид

= k ( + ) = k (1 + ) ,

(2.1)

где k = const (в дальнейшем примем k =1), где - амплитуда первой гармоники коллекторного тока, – амплитуда коллекторного тока в режиме несущей частоты (в отсутвии модулироующего сигнала); – амплитуда огибающей модулирующего колебания; = / – коэффициент модуляции; – угловая частота модуляции; = – угловая частота ВЧ‑коле­бания (несущей).

Временная диаграмма тонального АМ-колебания (модулирующий сигнал содержит одну частоту) и соответствующий ей спектральный состав представлены на рис. 2.1, а и б соответственно. Спектр АМ-колебания (2.1) можно представить суммой составляющих трех частот:

+ 0,5 + 0,5 . (2.2)

При АМ различают следующие режимы и соответствующие этим режимам токи и мощности ВЧ-колебания:

а) режим несущей частоты ( = 0): = , = 0,5 , – отдаваемая мощность в режиме несущей частоты, – эквивалентное сопротивление нагрузки коллектора;

б) максимальный (пиковый) режим = (1 + ),

= 0,5 = (2.3)

при = 1, = 4 ;

в) минимальный режим = (1 – ), = ;

г) средний режим, который характеризуется значениями тока и мощности АМ-колебания, усредненными за период модулирующей частоты:

= , = . (2.4)

Рис. 2.1

Среднее значение мощности равно сумме мощностей колебаний несущей частоты и двух боковых частот (полос) (см. (2.2)), причем средняя мощность колебаний боковых полос при АМ мала по сравнению с мощностью в режиме несущей частоты ( ≤ 0,3…0,4), хотя именно в них содержится информация о передаваемом сигнале:

= /2 ≈ (0,05…0,1) . (2.5)

Несмотря на это используемый в модулируемом каскаде транзистор должен обеспечивать мощность . Выражения (2.3)–(2.5) показывают, что номинальная мощность транзисторов при АМ используется малоэффективно.

С целью повышения среднего уровня коэффициента модуляции , а значит, и повышения мощности боковых полос и КПД в связных передатчиках применяют клипирование – срезание пиков звукового сигнала в тракте модулятора и автоматическое изменение напряжения и подводимой мощности = к модулируемому генератору по закону огибающей передаваемого сигнала. Более значительное повышение энергетических показателей АМ-передатчиков и всей линии связи достигается при использовании однополосной модуляции, – в этом случае колебания несущей частоты и одной из боковых полос подавлены.

Амплитуда тока и тока в контуре зависят от следующих параметров: , , , . Поэтому АМ можно осуществить, изменяя напряжения на электродах АЭ или нагрузки . В зависимости от электрода, на который подается модулирующее напряжение, в транзисторных генераторах различают следующие способы осуществления АМ: модуляцию смещением на базу транзистора (базовую модуляцию) и модуляцию напряжением источника коллекторного питания (коллекторную модуляцию).

Отличие формы огибающей АМ-колебания от формы модулирующего сигнала связано с нелинейными и частотными (линейными) искажениями. Оценка качества модуляции производится на основе статических и динамических модуляционных характеристик (СМХ и ДМХ соответственно).

Статическая модуляционная характеристика – зависимость первой гармоники коллекторного тока или контурного тока от постоянного напряжения на электроде, в цепь которого подводится модулирующее напряжение, т. е. от для коллекторной и от для базовой модуляции. При снятии СМХ напряжение модулирующего электрода ( или ) изменяется настолько медленно, что искажения, присущие только динамическому режиму модуляции, отсутствуют. СМХ позволяет определить границы линейной модуляции, тем самым определить точку, соответствующую режиму несущей частоты, и оценить нелинейные искажения, возникающие в процессе модуляции.

Амплитудная динамическая модуляционная характеристика (АДМХ) = f () – зависимость коэффициента модуляции от амплитуды модулирующего напряжения (рис. 2.2).. Обычно она снимается для частоты модулирующего сигнала F = 400 Гц или 1000 Гц и дает возможность определить его допустимый динамический диапазон. При малых значениях амплитуды напряжения модуляции < глубина модуляции может оказаться меньше паразитной (фон, шумы).

При больших значениях амплитуды напряжения модуляции > захватываются участки верхнего и нижнего загибов СМХ, что приводит к появлению верхнего загиба в АДМХ. АДМХ снимается, как правило, для отрицательных m – = f () и положительных m + = f () полупериодов огибающей радиосигнала.

Глубина модуляции вверх:

,

Глубина модуляции вниз:

Совпадение этих характеристик свидетельствует о правильности выбора режима несущей частоты, соответствующего середине линейного участка.

Частотные искажения оцениваются частотной и фазочастотной модуляционными характеристиками (ЧМХ и ФМХ).

ЧМХ передатчика m = f (F) – это зависимость глубины модуляции АМ-колебаний от модулирующей частоты при постоянном уровне амплитуды напряжения . Она снимается, как правило, при двух значениях амплитуды напряжения , соответствующих коэффициентам модуляции 50 и 90% на средних частотах модулирующего сигнала.

Базовая модуляция. При базовой модуляции смещением напряжение смещения изменяется по закону модулирующего сигнала: = + + . В процессе модуляции изменяется как амплитуда импульса коллекторного тока, так и угол отсечки , причем относительно линейная зависимость = f () (СМХ) (рис. 2.3) получается в недонапряженном режиме, что следует из эквивалентной схемы коллекторной цепи генератора для этого режима, представляемой в виде генератора тока.

При больших значениях () генератор переходит в перенапряженный режим, в котором ток практически не зависит от напряжения , и поэтому данный режим не может использоваться при модуляции смещением на базу транзистора.

В пиковой точке СМХ (максимальный режим) генератор рассчитывается в граничном или в слегка недонапряженном режиме. Используя кусочно-линейную аппроксимацию характеристик УЭ, можно получить аналитическое выражение для СМХ. Для этого используют данные расчета генератора в граничном режиме, соответствующем пиковой точке модуляции.

Напряжение , соответствующее минимальному режиму, определяется соотношением = – .

Статическая модуляционная характеристика нелинейна и имеет S‑образ­ную форму. Для того чтобы нелинейные искажения модулирующего сигнала были низкими, а энергетические показатели генератора по возможности высокими, угол отсечки в режиме максимальной мощности выбирается равным 110…120°. В этом случае СМХ имеет симметричный вид и четные гармоники в огибающей АМ-сигнала будут минимальными. Реальные СМХ отличаются от расчетных из-за нелинейности реальных характеристик УЭ в области изгибов.

Для анализа энергетических показателей АМ-генераторов удобно СМХ, а также зависимость = f (), аппроксимировать линейной зависимостью. В этом случае соотношения для расчета мощностей и КПД в режиме несущей и других точках СМХ просты и наглядны:

= /(1 + m); = /(1 + m)2; = – ;
= /(1 + m); = /(1 + m).

КПД генератора с базовой модуляцией смещением пропорционален и, следовательно, в режиме несущей частоты при m = 1 уменьшается в два раза.

КПД при модуляции несколько возрастает, так как = и = , а полезная мощность возрастает за счет появления боковых составляющих в спектре сигнала (2.4), (2.5):

; = – .

Однако приведенное возрастание КПД незначительно, поскольку средний коэффициент модуляции речевыми сигналами мал. Поэтому расчет мощности, выделяемой на коллекторе транзистора, необходимо проверять в режиме несущей частоты. В силу низкого КПД в режиме несущей частоты базовая модуляция оказывается энергетически неэффективной.

Так как работа генератора при рассматриваемом способе модуляции происходит в недонапряженном режиме, то уровень базовых токов мал, что обусловливает малую мощность модулятора. Следует учитывать, что нагрузкой модулятора служит цепь базы модулируемого каскада, по которой протекает постоянная составляющая базового тока, изменяющаяся с изменением коэффициента модуляции m по нелинейному закону и носящая вентильный характер. Это обусловливает возникновение нелинейных искажений модулирующего сигнала непосредственно на базе модулируемого транзистора. Для уменьшения нелинейных искажений необходимо уменьшать выходное сопротивление модулятора и снижать базовый ток. Выходная мощность модулятора определяется исходя из значения базового тока в максимальном режиме = 0,5 . Для устранения эффекта базовой демодуляции, возникающего при автоматическом смещении, и уменьшения нелинейных искажений напряжение смещения должно быть фиксированным.

ЧМХ генератора имеет спад в области низких и верхних частот. Во всех видах АМ модуляционный трансформатор может определять спад коэффициента модуляции m (F) как со стороны нижних частот из-за ограниченности индуктивности намагничивания, так и со стороны верхних частот из-за влияния паразитных емкостей и индуктивностей рассеяния. Необходимо учитывать и влияние на ЧМХ генератора в области нижних частот параметров сглаживающих фильтров источников питания и блокировочных элементов. В области верхних частот спад ЧМХ связан с влиянием блокировочных элементов в цепи базы, шунтирующих выход модулятора, а также с неравномерностью частотной характеристики сопротивления согласующей цепи в полосе частот, занимаемой АМ‑сигналом.

Коллекторная модуляция. В передатчиках большой и средней мощности широко используется коллекторная модуляция, что объясняется ее высокой эффективностью по сравнению с базовой.

При коллекторной модуляции последовательно в цепь источника постоянного напряжения подается модулирующее напряжение = , прямо пропорциональное . При однотональном модулирующем сигнале напряжение коллекторного питания определяется выражением

= + = [1 + ( / ) ] =
= (1 + ). (2.6)

Анализ влияния коллекторного напряжения на анодный ток показывает, что линейная зависимость составляющих тока и от напряжения наблюдается в перенапряженном режиме (рис. 2.4, а).

Поэтому при модуляции одним тоном первая гармоника и постоянная составляющая изменяются практически по одному закону:

= (1 + ); = (1 + ). (2.7)

Глубокая коллекторная модуляция (m = 1) осуществляется в перенапряженном режиме, а граничный (или слегка перенапряженный) режим устанавливается в максимальной точке СМХ. С учетом (2.6) и (2.7)

= / = 0,5( / ) / = 0,5 = const, (2.8)

т. е. = = = 0,75…0,8.

 

Рис. 2.4

Именно поэтому коллекторная модуляция используется в выходных каскадах мощных радиопередающих устройств, определяющих их полный КПД.

Однако в чистом виде коллекторная модуляция каскадов практически не используется из-за возрастания напряженности режима работы вблизи = 0, резкого возрастания базовых токов и нелинейности СМХ (рис. 2.4, б). Недостатком коллекторной модуляции является большая мощность модулятора.

В коллекторном токе ВЧ-генератора () содержатся постоянная составляющая и переменная модулирующей частоты = m . Средняя мощность, потребляемая коллекторной цепью генератора при изменяющихся напряжении () и токе () за период модулирующей частоты:

= + 0,5 = (1 + 0,5 ). (2.9)

Следовательно, мощность, отдаваемая ВЧ-генератору источником постоянного напряжения, равна , а мощность, отдаваемая модулятором, = 0,5 . При m = 1 = 1,5 , а = = 0,5 .

Эквивалентное сопротивление нагрузки модулятора равно = = / = m / m = const.

Сопротивление не зависит от глубины модуляции, что обусловливает малые нелинейные искажения. При модуляции возрастают средняя мощность АМ-колебаний = (1 + 0,5 ), подводимая мощность (2.9) и мощность, рассеиваемая на коллекторе. Так как КПД остается постоянным (2.8), = – = (1 + 0,5 ). Следовательно, при коллекторной модуляции средний режим, а не режим несущей частоты (как при базовой), определяет тепловой режим коллектора транзистора. В максимальном режиме при m = 1 коллекторное напряжение должно выбираться из условия = (1 + ) < , где – максимально допустимое напряжение источника коллекторного питания (рис. 2.5, б). Вследствие этого в максимальном режиме транзистор при коллекторной модуляции отдает практически такую же мощность, как и при базовой.

В транзисторных радиопередатчиках обычно используются комбинированные виды модуляции: комбинированная коллекторно-базовая за счет автосмещения в базовой цепи, тройная коллекторная модуляция с принудительной коллекторной модуляцией оконечного и предоконечного каскадов и с автоматической – в базе оконечного каскада, а также автоматическая коллекторная модуляция, аналогичная автоанодной модуляции. Угол отсечки коллекторного тока в максимальном режиме выбирается в пределах 80° < < 90°.

 

Цели работы

1. Изучение принципов построения и работы схемы осуществления базовой модуляции смещением.

2. Изучение принципов построения и работы схемы осуществления простой и комбинированной коллекторных модуляций.

3. Знакомство с методами определения основных качественных характеристик устройств формирования амплитудно-модулированного сигнала.

4. Изучение статических модуляционных характеристик рассматриваемых схем осуществления амплитудной модуляции.

5. Изучение амплитудных и частотных динамических модуляционных характеристик при базовой и при коллекторной модуляциях.